【技术实现步骤摘要】
一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件
[0001]本申请涉及电子器件
，尤其涉及一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件。
技术介绍
[0002]硅基电子器件的尺寸不断缩小。但是随着硅基电子器件的尺寸逐渐逼近量子极限，出现了短沟道效应等问题，这些问题会限制硅基电子器件的尺寸进一步缩小。而铁电晶体管是在场效应晶体管的基础上，在栅介质中引入铁电材料得到，铁电晶体管具有尺寸远小于硅基电子器件的优点。
[0003]铁电晶体管具有非易失特性，可用于存储器，提升了存储器在单位面积上的存储能力。
[0004]目前的铁电晶体管存在可靠性低、耐用性低的问题。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供了一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件，用于提高铁电晶体管的可靠性和耐用性。
[0006]为解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：
[0007]第一方面，本申请实施例提供一种铁电晶体管，包括：衬底、背栅电极、背栅介电层、沟道层、源电极、漏电极、界面层、...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铁电晶体管，其特征在于，包括：衬底、背栅电极、背栅介电层、沟道层、源电极、漏电极、界面层、顶栅铁电层、顶栅电极；其中，所述背栅电极位于所述衬底的底部；所述背栅介电层位于所述衬底的上方；所述沟道层位于所述背栅介电层的上方；所述源电极和所述漏电极位于所述沟道层的上方的两侧；所述界面层位于所述沟道层的上方；所述顶栅铁电层位于所述界面层的上方，其中，所述界面层用于连接所述沟道层与所述顶栅铁电层；所述顶栅电极位于所述顶栅铁电层的上方。2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其特征在于，所述界面层包括：单层的有机分子晶体材料。3.根据权利要求1或2所述的铁电晶体管，其特征在于，所述顶栅铁电层包括：铁电材料，所述铁电材料包括氧化铪、或，氧化铪及金属元素掺杂的铪基氧化物，所述金属元素包括如下至少一种:铝、稿、硅。4.根据权利要求1至3中任一项所述的铁电晶体管，其特征在于，所述沟道层包括：二维材料。5.根据权利要求4所述的铁电晶体管，其特征在于，所述二维材料，包括：石墨烯和过渡金属硫族化合物MX2，其中，所述过渡金属包括如下至少一种：钼Mo、钨W、钽Ta、铌Nb；所述硫族化合物包括如下至少一种：硫S、硒Se、碲Te。6.根据权利要求1至5中任一项所述的铁电晶体管，其特征在于，所述背栅介电层包括：氧化物材料，所述氧化物材料包括至少一种：氧化铪HfO2、二氧化锆ZrO2、二氧化硅SiO2、三氧化二铝Al2O3。7.一种制备如权利要求1所述的铁电晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底的底部沉积背栅电极；在所述衬底上沉积背栅介电层；在所述背栅介电层上形成沟道层；在所述沟道层的上方的两侧上制备源电极和漏电极；在所述沟道层上制备界面层；在所述界面层上制备顶栅铁电层；使用高温退火的方式，使得所述顶栅铁电层获得铁电相；在所述顶栅铁电层的上方制备顶栅电极，以得到所述铁电晶体管。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述沟道层上制备界面层，包括：采用范德华外延技术，在所述沟道层上制备所述界面层。9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述在所述界面层上制备顶栅铁电层，包括：通过原子层沉积技术，在所述界面层上制备所述顶栅铁电层。10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：如权利要求1至6中任一项所述的铁电
晶体管。11.一种存算一体器件，其特征在于，所述存算一体器件包括：如权利要求1至6中任一项所述的铁电晶体管。12.一种数据读取方法，其特征在于，当如权利要求1至6中任一项所述的铁电晶体管接收到处理器的读取指令时，所述铁电晶体管的源电极接地，所述铁电晶体管的顶栅电极和背栅电极悬空；所述方法包括：根据所述读取指令确定漏电极电压；向所述铁电晶体管的漏电极施加所述漏电极电压；根据所述漏电极电压获取所述铁电晶体管的沟道层的电阻值；向所述处理器发送所述电阻值。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述铁电晶体管的源电极接地、且所述铁电晶体管的顶栅电极悬空时，根据所述读取指令确定背栅电极电压；当向所述铁电晶体管的漏电极施加所述漏电极电压时，向所述铁电晶体管的背栅电极施加所述背栅电极电压；根据所述漏电极电压和所述背栅电极电压，获取所述铁电晶体管的转移特性曲线，和/或所述铁电晶体管的阈值电压。14.一种数据写入方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：王欣然，闫鑫，于志浩，宁宏凯，罗时江，赵俊峰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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