一种HJT太阳能电池切片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种HJT太阳能电池切片及其制备方法，属于HJT太阳能电池技术领域。本发明专利技术的制备方法对HJT太阳能电池片先进行预切割，再进行后续激光切割，能够大幅度地降低所述HJT太阳能电池片在切片过程中受到的切割损伤，有效地提高了HJT太阳能电池切片的光电转换效率。换效率。换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种HJT太阳能电池切片及其制备方法


[0001]本专利技术属于HJT太阳能电池
，具体涉及一种HJT太阳能电池切片及其制备方法。

技术介绍

[0002]晶体硅异质结太阳能电池（HJT）是利用非晶硅薄膜与单晶硅衬底形成的异质结结构的太阳能电池。具体地，HJT太阳能电池片以N型单晶硅（C
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Si）为衬底；硅片衬底经过制绒清洗后，正面依次沉积本征非晶硅薄膜（i
‑
a
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Si：H）和硼、镓掺杂的P型非晶硅（P
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a
‑
Si：H），与硅片衬底形成p
‑
n异质结；硅片衬底的背面又通过沉积本征非晶硅薄膜（i
‑
a
‑
Si：H）和磷掺杂的N型非晶硅（N
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a
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Si：H）形成背表面场；双面沉积透明导电氧化物薄膜（TCO）；最后通过丝网印刷在硅片衬底两侧的顶层形成金属基电极。因此，HJT太阳能电池综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HJT太阳能电池切片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将N型单晶硅衬底进行清洗制绒；（2）在所述N型单晶硅衬底的正面沉积第一薄膜，在所述N型单晶硅衬底的背面沉积第二薄膜，所述第一薄膜和所述第二薄膜采用本征非晶硅、本征微晶硅或氧化物；（3）在所述第一薄膜的表面沉积第三薄膜，所述第三薄膜采用N型非晶硅、N型微晶硅或N型多晶硅，在所述第二薄膜的表面沉积第四薄膜，所述第四薄膜采用P型非晶硅、P型微晶硅或P型多晶硅；（4）在所述第三薄膜的表面沉积第一透明导电氧化物薄膜，在所述第四薄膜的表面沉积第二透明导电氧化物薄膜，得到HJT太阳能电池片；（5）将所述HJT太阳能电池片正面位于切割中轴线左右d1宽度范围内的所述第一薄膜、所述第三薄膜和所述第一透明导电氧化物薄膜去除，形成2d1宽度的第一正面窗口，和/或将所述HJT太阳能电池片背面对应于切割中轴线左右d1宽度范围内的所述第二薄膜、所述第四薄膜和所述第二透明导电氧化物薄膜去除，形成2d1宽度的第一背面窗口；（6）在所述HJT太阳能电池片的正面和背面分别沉积金属电极；（7）沿着所述切割中轴线对所述HJT太阳能电池片进行激光切割，得到所述HJT太阳能电池切片。2.根据权利要求1所述的HJT太阳能电池切片的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，d1大于0且小于等于1cm。3.根据权利要求1或2所述的HJT太阳能电池切片的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，采用激光刻蚀法、丝网印刷法、光刻法或化学刻蚀法制备所述第一正面窗口和/或所述第一背面窗口。4.根据权利要求1所述的HJT太阳能电池切片的制备方法，其特征在于，步骤（5）和步骤（6）之间还包括：在设置有...

【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，赵东明，冯标，肖平，罗丽珍，陈传科，薛尧，虞祥瑞，刘云，张时，张文康，邵琦杰，张欣，陈紫杰，刘国华，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司华能大理风力发电有限公司洱源分公司，
类型：发明
国别省市：