【技术实现步骤摘要】
基于负反馈调节的电流采样及过流保护电路、系统及方法
[0001]本专利技术属于电子电路
,尤其涉及一种基于负反馈调节的电流采样及过流保护电路、系统及方法。
技术介绍
[0002]电子电路中的元器件都有其工作电流,当电路中电流超过工作电流时就会对元器件造成损害,轻则无法正常工作,重则会造成短路,导致电路烧毁。因此,对电路电流进行实时监测,过流及时切断电源回路非常必要。
[0003]现有技术中,通常采用以下几种方式进行电流采样及过流保护:
[0004](1)直接用采样电阻进行电流采样;
[0005]ADC测量采样电阻上面的压降,不经过运算放大器等处理电路,当采样大电流时,为了保证过流能力,只能选阻值很小的电阻,电压=电流*电阻,往往得到一个很小的电压信号范围,此信号直接送入ADC芯片或单片机,采样电流精度很差。
[0006](2)用采样电阻,经过差分运算放大器等处理电路进行电流采样;
[0007]一般采用低端采样和高端采样两种拓扑结构,低端采样电路引入地线干扰,影响采样精度,高端采样 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于负反馈调节的电流采样及过流保护电路,其特征在于,包括:负载回路和运放回路,所述负载回路中包括采样电阻,所述运放回路中包括第二电阻、运算放大器、P沟道MOS管、分压组件和N沟道MOS管,所述运算放大器的反相输入端通过第二电阻连接所述采样电阻的第一端,所述运算放大器的同相输入端与所述采样电阻的第二端连接,所述运算放大器的输出端连接所述P沟道MOS管的栅极,所述运算放大器的同相输入端连接所述P沟道MOS管的源极,所述P沟道MOS管的漏极连接控制系统处理器单元的ADC输入端,所述P沟道MOS管的漏极连接分压组件的第一端,所述分压组件的第二端连接N沟道MOS管的栅极,所述分压组件的第三端连接N沟道MOS管的源极并接地,所述N沟道MOS管的漏极连接低压电源并连接控制系统处理器单元的中断输入端。2.根据权利要求1所述的基于负反馈调节的电流采样及过流保护电路,其特征在于,所述P沟道MOS管的漏极通过稳压滤波电路连接控制系统处理器单元的ADC输入端,所述稳压滤波电路包括第四电阻,所述第四电阻的第一端连接所述P沟道MOS管的漏极,所述第四电阻的第二端连接控制系统处理器单元的ADC输入端,所述第四电阻的第二端通过并联的第二电容和稳压管接地。3.根据权利要求1所述的基于负反馈调节的电流采样及过流保护电路,其特征在于,所述N沟道MOS管的漏极通过电平转换电路连接控制系统处理器单元的中断输入端,所述电平转换电路串联的第八电阻、第九电阻和第三电容,所述N沟道MOS管的漏极连接所述第八电阻的第二端,所述第九电阻的第二端连接控制系统处理器单元的中断输入端,所述第三电容的第二端接地,所述第八电阻的第一端连接所述低压电源。4.根据权利要求1所述的基于负反馈调节的电流采样及过流保...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢灿华,王天林,刘国安,胡健,冯地明,徐腾,
申请(专利权)人:浙江中控研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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