过热保护电路和电子设备制造技术

本申请公开了一种过热保护电路和一种电子设备，该过热保护电路包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、NMOS管、电压比较器、三极管、稳压管和浪涌抑制器；热敏电阻的第一端与PMOS管的漏极相连接，热敏电阻的第二端分别与第一电阻的第一端以及电压比较器的一个输入端相连接；第二电阻的第一端、NMOS管的漏极和稳压管的负极均与PMOS管的源极相连接；第二电阻的第二端、PMOS管的栅极以及稳压管的正极均与第三电阻的第一端相连接；第三电阻的第二端连接三极管的集电极；电压比较器的输出端、第四电阻以及三极管的基极依次连接；NMOS管的栅极与浪涌抑制器相连接。本申请能在需要执行热关断操作时对热保护电路实现很好的保护。路实现很好的保护。路实现很好的保护。

【技术实现步骤摘要】
过热保护电路和电子设备


[0001]本申请涉及电路
，具体涉及一种过热保护电路和一种电子设备。

技术介绍

[0002]在相关技术的过热保护电路及具有过热保护功能的电子装置中，使用PMOS管、NTC热敏电阻和PTC热敏电阻来实现过热保护功能，电路原理图如图1所示。PMOS管的开通原理就是当G极电压低于S极电压一定的值时，即G极和S极的电压差达到开启阈值时开通。电路正常工作时，NTC热敏电阻和PTC热敏电阻分压，使得PMOS管G极电压低于S极电压，PMOS管开启，当热敏电阻周围温度升高时，NTC的阻值下降，PTC的阻值上升，NTC电阻两端的电压减小，也就是PMOS管G极和S极的电压差减小，PMOS管关断，实现过热保护功能。相关技术中，在由于PMOS管发热而需要进行过热保护执行热关断操作时，相关技术的技术方案不能对热保护电路实现很好的保护。

技术实现思路

[0003]本申请的目的是提供一种过热保护电路，以解决相关技术中在由于PMOS管发热而需要进行过热保护执行热关断操作时不能对热保护电路实现很好的保护的技术问题。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。
[0004]根据本申请实施例的一个方面，提供一种过热保护电路，包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、NMOS管、电压比较器、三极管、稳压管和浪涌抑制器；所述热敏电阻的第一端与所述PMOS管的漏极相连接，所述热敏电阻的第二端分别与所述第一电阻的第一端以及所述电压比较器的一个输入端相连接，所述第一电阻的第二端接地；所述第二电阻的第一端、所述NMOS管的漏极和所述稳压管的负极均与所述PMOS管的源极相连接；
[0005]所述第二电阻的第二端、所述PMOS管的栅极以及所述稳压管的正极均与所述第三电阻的第一端相连接；所述第三电阻的第二端连接所述三极管的集电极；所述三极管的发射极接地；所述电压比较器的输出端、所述第四电阻以及所述三极管的基极依次连接；
[0006]所述NMOS管的栅极与所述浪涌抑制器相连接。
[0007]在本申请的一些实施例中，所述热敏电阻为PTC热敏电阻。
[0008]在本申请的一些实施例中，所述PTC热敏电阻的第一端与PMOS管的漏极相连接，所述PTC热敏电阻的第二端与所述电压比较器的正向输入端相连接。
[0009]在本申请的一些实施例中，所述PTC热敏电阻的第一端与PMOS管的漏极相连接，所述PTC热敏电阻的第二端与所述电压比较器的负向输入端相连接。
[0010]在本申请的一些实施例中，所述热敏电阻为NTC热敏电阻。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述NTC热敏电阻的第一端与PMOS管的漏极相连接，所
述NTC热敏电阻的第二端与所述电压比较器的负向输入端相连接。
[0012]在本申请的一些实施例中，所述第一电阻为NTC热敏电阻。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述第一电阻为PTC热敏电阻。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述稳压管的稳压值为3.3V。
[0015]根据本申请实施例的另一个方面，提供一种电子设备，包括上述任一项所述的过热保护电路。
[0016]本申请实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0017]本申请实施例提供的过热保护电路，包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、NMOS管、电压比较器、三极管、稳压管和浪涌抑制器，能够在由于PMOS管发热而需要进行过热保护执行热关断操作时对热保护电路实现很好的保护，满足实际应用中对电路的保护需求，解决了相关技术中在由于PMOS管发热而需要进行过热保护执行热关断操作时不能对热保护电路实现很好的保护的技术问题。
[0018]本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请实施例了解。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1示出了相关技术的过热保护电路图。
[0021]图2示出了本申请一个实施例的过热保护电路图。
[0022]图3(a)示出了本申请一个实施例中的PMOS管和热敏电阻的PCB布局Top层示意图。
[0023]图3(b)示出了本申请一个实施例中的PMOS管和热敏电阻的PCB布局Bottom层示意图。
[0024]图4示出了本申请另一个实施例中的PMOS管和热敏电阻的PCB布局Top层示意图。
[0025]图5示出了本申请另一个实施例的过热保护电路图。
[0026]图6示出了本申请另一个实施例的过热保护电路图。
[0027]图7示出了本申请另一个实施例的过热保护电路图。
[0028]本申请的目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0029]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0030]本领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解
的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0031]本文术语解释：PMOS管—P沟道金属氧化物半导体场效应管；NMOS管—N沟道金属氧化物半导体场效应管；NTC热敏电阻—具有负温度系数的热敏电阻；PTC热敏电阻—具有正温度系数的热敏电阻；PCB—印制电路板；FR4—耐燃材料等级的代号，PCB板基材使用的材料符合FR4等级，其热导率远小于铜的热导率；热阻—当有热量在物体上传输时，物体两端温度差与热源的功率之间的比值，可以类比电阻来理解；热导率—又称导热系数，反映物质热传导的能力。
[0032]电压比较器工作原理：当正向输入端电压高于负向输入端时，电压比较器输出高电平；当正向输入端电压低于负向输入端时，电压比较器输出低电平；输出高电平时，可以让图2中的三极管T导通，使电阻R3与地相连，输出低电平时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过热保护电路，其特征在于，包括热敏电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、PMOS管、NMOS管、电压比较器、三极管、稳压管和浪涌抑制器；所述热敏电阻的第一端与所述PMOS管的漏极相连接，所述热敏电阻的第二端分别与所述第一电阻的第一端以及所述电压比较器的一个输入端相连接，所述第一电阻的第二端接地；所述第二电阻的第一端、所述NMOS管的漏极和所述稳压管的负极均与所述PMOS管的源极相连接；所述第二电阻的第二端、所述PMOS管的栅极以及所述稳压管的正极均与所述第三电阻的第一端相连接；所述第三电阻的第二端连接所述三极管的集电极；所述三极管的发射极接地；所述电压比较器的输出端、所述第四电阻以及所述三极管的基极依次连接；所述NMOS管的栅极与所述浪涌抑制器相连接。2.根据权利要求1所述的过热保护电路，其特征在于，所述热敏电阻为PTC热敏电阻。3.根据权利要求2所述的过热保护电路，其特征在于，所述PTC热敏电阻的第一端与PMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘振喆，吕凤龙，单海彭，周成龙，李永辉，
申请(专利权)人：潍柴动力股份有限公司，
类型：新型
国别省市：