有机发光晶体管及其制备方法、显示面板技术

一种有机发光晶体管及其制备方法、发光面板，所述有机发光晶体管包括：基板；设置在所述基板一侧的栅极层；设置在所述栅极层远离所述基板一侧的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的第一源电极；设置在所述第一源电极远离所述基板一侧的发光功能层；和设置在所述发光功能层远离所述基板一侧的第一漏电极，其中，所述第一源电极远离所述基板一侧的表面具有第一光栅结构。本公开实施例的有机发光晶体管将所述第一源电极的表面设置为光栅结构，可以减弱由于器件内部膜层间折射率的差异性等引起的波导效应、基底效应和SPP效应，使光子更多地成为有效光子，从而使更多的光能够从有机发光晶体管中发射出，提高有机发光晶体管的效率。光晶体管的效率。光晶体管的效率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光晶体管及其制备方法、显示面板


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种有机发光晶体管及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]有机发光晶体管(Organic Light
‑
Emitting Transistor,OLET)是集成了有机场效应晶体管(Organic Field
‑
Effect Transistor,OFET)的开关功能与有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)的电致发光功能的器件。OLET 器件结构简单、制备工艺成熟、器件轻薄、易于微型化，成为了未来显示技术的发展趋势之一，因此有必要对其进行深入的研究。OLET器件的工作原理是：栅极电压在控制薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)部分源漏电流的同时，也控制了发光区域的面积与发光强度。但前几年制备的横向结构OLET 因有机蒸镀材料的载流子迁移率较低，易于引起器件工作电压较高、效率低、寿命短、开口率小的问题。
[0003]垂直结构OLET器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光晶体管，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板一侧的栅极层；设置在所述栅极层远离所述基板一侧的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的第一源电极；设置在所述第一源电极远离所述基板一侧的发光功能层；和设置在所述发光功能层远离所述基板一侧的第一漏电极，其中，所述第一源电极远离所述基板一侧的表面具有第一光栅结构。2.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一光栅结构包括基层和设置在所述基层上的多个凸起，所述多个凸起沿着第一方向依次排布并且沿着第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉。3.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，多个凸起的高度均相同。4.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，设置在所述基层的周边区域的凸起具有第一高度，设置在所述基层的中部区域的凸起具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度。5.根据权利要求4所述的有机发光晶体管，其特征在于，沿着从所述中部区域到所述周边区域的方向，所述凸起的高度逐渐增加。6.根据权利要求5所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一光栅结构远离所述基板一侧的表面为弧面结构。7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层远离所述基板一侧的表面具有第二光栅结构，所述第一源电极具有均一的厚度，所述第一光栅结构和所述第二光栅结构具有相匹配的形状和相同的周期。8.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一源电极靠近所述基板一侧的表面为平面。9.根据权利要求2至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述多个凸起的高度均为H；或者，设置在所述基层的周边区域的凸起具有第一高度，设置在所述基层的中部区域的凸起具有第二高度，并且高度最小的凸起的高度为H；H为65nm至112nm，所述第一光栅结构的间隔宽度为245nm至340nm，所述第一光栅结构的周期为274nm至650nm。10.根据权利要求9所述的有机发光晶体管，其特征在于，在发射蓝光的有机发光晶体管中，H为65nm至75nm，所述第一光栅结构的间隔宽度为245nm至255nm，所述第一光栅结构的周期为274nm至486nm；或者在发射绿光的有机发光晶体管中，H为78nm至92nm，所述第一光栅结构的间隔宽度为275nm至285nm，所述第一光栅结构的周期为303nm至591nm；或者在发射黄光的有机发光晶体管中，H为84nm至100nm，所述第一光栅结构的间隔宽度为295nm至305nm，所述第一光栅结构的周期为415nm至620nm；或者在发射红光的有机发光晶体管中，H为90nm至112nm，所述第一光栅结构的间隔宽度为330nm至340nm，所述第一光栅结构的周期为335nm至650nm。
11.根据权利要求2至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，在垂直于所述基板的平面内，所述凸起的截面形状为三角形、半圆形或梯形。12.根据权利要求2至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一光栅结构远离所述基板一侧的表面为网格状或孔状。13.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一源电极的材料选自金属、氧化铟锡、碳纳米管、单层石墨烯和银纳米线中的任意一种，所述金属为金、银、铜、铝、镁及其合金中的任意一种。14.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料选自氧化铝、二氧化钛、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、氧化乙烯和聚丙烯酸中的任意一种或多种。15.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述栅极层的材料选自氧化铟锡、金、银、铝和镁中的任意一种或多种；所述第一漏电极的材料选自金、银、铜、铝和镁中的任意一种或多种。16.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述发光功能层包括：设置在所述第一源电极远离所述基板一侧的空穴传输层；设置在所述空穴传输层远离所述基板一侧的发光层；设置在所述发光层远离所述基板一侧的电子传输层。17.一种发光面板，其特征在于，包括多个根据权利要求1至16中任一项所述的有机发光晶体管。18.根据权利要求17所述的发光面板，其特征在于，还包括：设置在所述基板与所述栅极层之间的开关晶体管，所述开关晶体管包括第二源电极和第二漏电极，所述第二漏电极分别与所述栅极层和所述第二源电极电连接；设置在所述第一漏电远离所述基板一侧的薄膜封装层；设置在所述薄膜封装层远离所述基板一侧的BM光刻胶层和彩膜层；设置在多个有机发光晶体管之间的像素定义层。19.一种有机发光晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S10：在基板一侧形成栅极层；S20：在所述栅极层远离所述基板一侧形成具有第二光栅结构的栅极绝缘层；S30：在所述具有第二光栅结构的栅极绝缘层远离所述基板一侧形成厚度均一的第一源电极，所述第一源电极远离所述基板一侧的表面具有第一光栅结构；S40：在所述第一源电极远离所述基板一侧形成发光功能层；和S50：在所述发光功能层远离所述基板一侧形成第一漏电极。20.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，步骤S20包括：S21：采用旋涂与压印工...

【专利技术属性】
技术研发人员：张娟，孙孟娜，焦志强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：