一种半导体刻蚀设备制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体刻蚀设备，包括：工作台，配置于工作台的腔体组件，配置于工作台并形成于腔体组件周向外侧的喷液组件，以及贯穿工作台并沿轴向延伸入腔体组件的承托组件；腔体组件包括：回收腔体，以及罩设于回收腔体并与回收腔体围合形成集气腔的固定罩；回收腔体包括：腔底结构，同轴设置于腔底结构外侧的第一分隔罩，沿第一分隔罩的径向方向向外依次形成若干个套设于第一分隔罩的第二分隔罩，同轴套设于第二分隔罩的外罩体，以及连通集气腔以供回收腔体内气体流通的导气通路。通过本申请，实现了回收腔体内的化学气体的流通，防止化学气体聚集在回收腔体内对晶圆表面造成腐蚀、污染等影响，以确保晶圆表面质量以及晶圆性能。圆性能。圆性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体刻蚀设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体刻蚀设备。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，刻蚀工艺是半导体制造工艺中重要的步骤之一，刻蚀工艺包括：干法刻蚀和湿法刻蚀。其中湿法刻蚀在对晶圆处理中需要使用多种化学液体，化学液体在对晶圆处理的过程中会挥发形成化学气体，并且使用后的化学液体需要单独回收以避免多种化学液体混合发生化学反应。
[0003]公开号为CN113124167A的中国专利技术专利申请公开了一种轴密封结构及半导体设备，轴密封结构包括：具有上下贯穿安装孔的底座，装配在所述安装孔中的运动轴，运动轴的外壁与安装孔的内壁之间具有间隙；开设于运动轴内的通气管路，通气管路具有进气端及出气端，进气端与供气源相连通，出气端与间隙相连通。通过引入密封结构，防止工艺腔与外界通过运动轴与底座形成的间隙进行互通，以防止湿法处理的杂质、废气、废液、腐蚀液等进入间隙并等扩散到外界。
[0004]然而，上述现有技术中的半导体设备只通过密封结构对运动轴与底座形成的间隙进行密封，以防止废气与废液等进入间隙并等扩散到外界。从而导致上述现有技术中的半导体设备在对晶圆的处理过程中存在难以供废气流通的缺陷，导致废气难以排出并聚集在工艺腔内，进而导致废气会对晶圆表面造成腐蚀、污染等影响，降低晶圆表面质量降低，影响晶圆性能。并且，当内挡流罩上升并与外挡流罩重叠或者内挡流罩和外挡流罩同时下降时，难以将外集液槽内的废气排出，导致废气聚集在外集液槽内。
[0005]有鉴于此，有必要对现有技术中的半导体刻蚀设备予以改进，以解决上述问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于揭示一种半导体刻蚀设备，用于解决现有技术中的半导体设备所存在的诸多缺陷，尤其是为了实现回收腔体内的化学气体的流通，防止化学气体聚集在回收腔体内对晶圆表面造成腐蚀、污染等影响，以确保晶圆表面质量以及晶圆性能。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体刻蚀设备，包括：工作台，配置于所述工作台的腔体组件，配置于所述工作台并形成于所述腔体组件周向外侧的喷液组件，以及贯穿所述工作台并沿轴向延伸入所述腔体组件的承托组件；所述腔体组件包括：回收腔体，以及罩设于所述回收腔体并与所述回收腔体围合形成集气腔的固定罩；所述回收腔体包括：腔底结构，同轴设置于所述腔底结构外侧的第一分隔罩，沿所述第一分隔罩的径向方向向外依次形成若干个套设于所述第一分隔罩的第二分隔罩，同轴套设于所述第二分隔罩的外罩体，以及连通所述集气腔以供所述回收腔体内气体流通的导气通路。
[0008]作为本专利技术的进一步改进，所述导气通路包括：
形成于所述第一分隔罩与所述腔底结构之间的第一导气通路，形成于所述第一分隔罩与所述第二分隔罩之间的第二导气通路，以及形成于所述第二分隔罩与所述外罩体之间的第三导气通路。
[0009]作为本专利技术的进一步改进，所述腔底结构包括：腔底座，所述腔底座内边缘沿竖直方向向上延伸形成内环形隔板，所述腔底座外边缘沿竖直方向向上延伸形成外环形隔板，以及形成于所述内环形隔板与所述外环形隔板之间的第一收集腔。
[0010]作为本专利技术的进一步改进，所述第一分隔罩包括：第一环形罩体，所述第一环形罩体沿竖直方向向上延伸形成第一环形围板，所述第一环形围板具有靠近所述回收腔体的中轴线的延伸趋势，所述第一环形罩体沿径向方向依次向内倾斜延伸形成导流板和竖直向下延伸形成的第一隔板，所述第一环形罩体底端沿径向方向依次向外水平延伸形成第一衔接部和竖直向上延伸形成的第二隔板，以及形成于所述第一环形罩体与所述第二隔板之间的第二收集腔；所述第一隔板与所述第一环形罩体之间形成容置至少部分所述外环形隔板的第一环形区域，所述第一隔板至少部分延伸入所述第一收集腔以构造出供所述第一收集腔内的气体流通至所述集气腔内的呈迂回状的所述第一导气通路。
[0011]作为本专利技术的进一步改进，所述第二分隔罩包括：第二环形罩体，所述第二环形罩体沿竖直方向向上延伸形成第二环形围板，所述第二环形围板具有靠近所述回收腔体的中轴线的延伸趋势，所述第二环形围板沿竖直方向向下延伸形成第三隔板，所述第二环形罩体底端沿径向方向依次向外水平延伸形成第二衔接部和竖直向上延伸形成的第四隔板，以及形成于所述第二环形罩体与所述第四隔板之间的第三收集腔；所述第二环形罩体与所述第三隔板之间形成容置至少部分所述第二隔板的第二环形区域，所述第三隔板至少部分延伸入所述第二收集腔以形成供所述第二收集腔内的气体流通至所述集气腔内的呈迂回状的所述第二导气通路。
[0012]作为本专利技术的进一步改进，所述外罩体包括：第三环形罩体，所述第三环形罩体沿竖直方向向上延伸形成第三环形围板，所述第三环形围板具有靠近所述回收腔体的中轴线的延伸趋势，以及所述第三环形围板沿竖直方向向下延伸形成的第五隔板；所述第三环形罩体与所述第五隔板之间形成容置至少部分所述第四隔板的第三环形区域，所述第五隔板至少部分延伸入所述第三收集腔以形成供所述第三收集腔内的气体流通至所述集气腔内的呈迂回状的所述第三导气通路。
[0013]作为本专利技术的进一步改进，所述第一环形围板外周面的延伸趋势与所述第二环形围板内周面的延伸趋势匹配，所述第一环形围板外周面与所述第二环形围板内周面至少部分相贴合。
[0014]作为本专利技术的进一步改进，所述第二环形围板外周面的延伸趋势与所述第三环形围板内周面的延伸趋势匹配，所述第二环形围板外周面与所述第三环形围板内周面至少部分相贴合。
[0015]作为本专利技术的进一步改进，所述第一环形围板内边缘被构造出环形导液部，所述
第二环形围板内边缘被构造出具有沿竖直方向向下延伸趋势并匹配所述环形导液部的环形阻液部，所述环形阻液部与所述环形导液部相贴合；所述第三环形围板内边缘被构造出具有沿竖直方向向下延伸趋势并匹配所述环形阻液部的环形挡液部，所述环形挡液部与所述环形阻液部相贴合。
[0016]作为本专利技术的进一步改进，所述腔体组件还包括：同轴设置于所述回收腔体内部的中心腔体结构；所述中心腔体结构包括：支撑台，轴向配置于所述支撑台的支撑块，轴向嵌套于所述支撑块的环形衔接座，配置于所述环形衔接座并周向抵持所述内环形隔板的密封圈，以及同轴套设于所述环形衔接座并用于引导液体进入所述第一收集腔的环形导引板。
[0017]作为本专利技术的进一步改进，所述半导体刻蚀设备还包括：形成于所述工作台底部的升降组件；所述升降组件包括：独立驱动所述第一分隔罩、所述第二分隔罩和所述外罩体沿竖直方向进行升降以形成工艺腔的托举机构。
[0018]作为本专利技术的进一步改进，所述工艺腔包括：所述托举机构驱动所述第一分隔罩、所述第二分隔罩和所述外罩体沿竖直方向上升，形成于所述第一分隔罩与所述中心腔体结构之间并连通所述第一收集腔的第一工艺腔；所述托举机构驱动所述第二分隔罩和所述外罩体沿竖直方向上升，形成于所述第一分隔罩与所述第二分隔罩之间并连通所述第二收集腔的第二工艺腔；所述托举机构驱动所述外罩体沿竖直方向上升，形成于所述第二分隔罩与所述外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：工作台，配置于所述工作台的腔体组件，配置于所述工作台并形成于所述腔体组件周向外侧的喷液组件，以及贯穿所述工作台并沿轴向延伸入所述腔体组件的承托组件；所述腔体组件包括：回收腔体，以及罩设于所述回收腔体并与所述回收腔体围合形成集气腔的固定罩；所述回收腔体包括：腔底结构，同轴设置于所述腔底结构外侧的第一分隔罩，沿所述第一分隔罩的径向方向向外依次形成若干个套设于所述第一分隔罩的第二分隔罩，同轴套设于所述第二分隔罩的外罩体，以及连通所述集气腔以供所述回收腔体内气体流通的导气通路。2.根据权利要求1所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述导气通路包括：形成于所述第一分隔罩与所述腔底结构之间的第一导气通路，形成于所述第一分隔罩与所述第二分隔罩之间的第二导气通路，以及形成于所述第二分隔罩与所述外罩体之间的第三导气通路。3.根据权利要求2所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述腔底结构包括：腔底座，所述腔底座内边缘沿竖直方向向上延伸形成内环形隔板，所述腔底座外边缘沿竖直方向向上延伸形成外环形隔板，以及形成于所述内环形隔板与所述外环形隔板之间的第一收集腔。4.根据权利要求3所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述第一分隔罩包括：第一环形罩体，所述第一环形罩体沿竖直方向向上延伸形成第一环形围板，所述第一环形围板具有靠近所述回收腔体的中轴线的延伸趋势，所述第一环形罩体沿径向方向依次向内倾斜延伸形成导流板和竖直向下延伸形成的第一隔板，所述第一环形罩体底端沿径向方向依次向外水平延伸形成第一衔接部和竖直向上延伸形成的第二隔板，以及形成于所述第一环形罩体与所述第二隔板之间的第二收集腔；所述第一隔板与所述第一环形罩体之间形成容置至少部分所述外环形隔板的第一环形区域，所述第一隔板至少部分延伸入所述第一收集腔以构造出供所述第一收集腔内的气体流通至所述集气腔内的呈迂回状的所述第一导气通路。5.根据权利要求4所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述第二分隔罩包括：第二环形罩体，所述第二环形罩体沿竖直方向向上延伸形成第二环形围板，所述第二环形围板具有靠近所述回收腔体的中轴线的延伸趋势，所述第二环形围板沿竖直方向向下延伸形成第三隔板，所述第二环形罩体底端沿径向方向依次向外水平延伸形成第二衔接部和竖直向上延伸形成的第四隔板，以及形成于所述第二环形罩体与所述第四隔板之间的第三收集腔；所述第二环形罩体与所述第三隔板之间形成容置至少部分所述第二隔板的第二环形区域，所述第三隔板至少部分延伸入所述第二收集腔以形成供所述第二收集腔内的气体流通至所述集气腔内的呈迂回状的所述第二导气通路。6.根据权利要求5所述的半导体刻蚀设备，其特征在于，所述外罩体包括：第三环形罩体，所述第三环形罩体沿竖直方向向上延伸形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵天翔，华斌，宋裕华，
申请(专利权)人：苏州智程半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：