甲硅烷基化低聚锗烷和多环硅-锗化合物、其制备方法及其用于制备含Si和Ge的固体的用途技术

本发明专利技术涉及式(Ia)或式(Ib)的化合物其制备方法；和所述化合物用于制备含Si和Ge的固体的用途。物用于制备含Si和Ge的固体的用途。物用于制备含Si和Ge的固体的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】甲硅烷基化低聚锗烷和多环硅
‑
锗化合物、其制备方法及其用于制备含Si和Ge的固体的用途
专利

[0001]本专利技术涉及甲硅烷基化低聚锗烷和多环硅
‑
锗化合物、其制备方法及其用于制备含Si和Ge的固体的用途。
[0002]专利技术背景
[0003]卤代硅烷、聚卤代硅烷、卤代锗烷、聚卤代锗烷、硅烷、聚硅烷、锗烷、聚锗烷和相应的混合化合物早已为人所知，参见常见的无机化学教科书以及WO 2004/036631 A2或C.J.Ritter等人，J.Am.Chem.Soc.，2005，127，9855
‑
9864。
[0004]三苯基甲锗烷基硅烷及其制备描述在EP 3 409 645 A1中。
[0005]氯甲硅烷基芳基锗烷及其制备公开在EP 3 410 466中。
[0006]Ritter等人，J.Am.Chem.Soc.2005，127，9855描述了(H3Ge)
x
SiH4‑
x
用于制备硅上的半导体纳米结构的用途。
[0007]从现有技术出发，希望制备改进的硅
‑
锗化合物，特别是耐储存的硅
‑
锗化合物，并提供用于简单制备大量此类化合物的灵活方法。还希望提供可用于生产Si/Ge固体的化合物。
[0008]本专利技术的目的是克服现有技术的缺点，特别是制备耐储存的、定制硅
‑
锗化合物，其适用于制备Si/Ge固体。
[0009]专利技术概述<br/>[0010]通过式(Ia)或(Ib)的化合物实现这一目的
[0011][0012]其中在式(Ia)中
[0013]‑
n是1至10的整数；
[0014]‑
R1和R2互相独立地选自C1至C
20
烷基、C2至C
20
烯基、C2至C
20
炔基、C3至C
20
环烷基、C6至C
20
芳基、C7至C
20
芳烷基和C7至C
20
烷芳基；和
[0015]‑
X1选自H、SiH3、卤素和Si(Y1)3，其中Y1＝卤素；
[0016][0017]其中在式(Ib)中
[0018]‑
E1至E6互相独立地为Si或Ge；
[0019]‑
X
11
至X
14
互相独立地选自H、SiH3、卤素和Si(Y2)3；
[0020]‑
Y2独立地选自C1至C
20
烷基和卤素；
[0021]‑
R3至R
14
互相独立地选自C1至C
20
烷基、C2至C
20
烯基、C2至C
20
炔基、C3至C
20
环烷基、C6至C
20
芳基、C7至C
20
芳烷基、C7至C
20
烷芳基和Z；和
[0022]‑
z独立地选自H、卤素和C1至C
20
烷基。
[0023]式(Ia)的化合物
[0024]可以规定，n是1至8的整数。可以进一步规定，n是1至6的整数。可以进一步规定，n是1至4的整数。还可以规定，n是2至10的整数。还可以规定，n是2至8的整数。还可以规定，n是2至6的整数。还可以规定，n是2至5的整数。最后，可以规定，n是2至4的整数。
[0025]可以规定，R1和R2互相独立地选自C1至C
12
烷基、C2至C
12
烯基、C2至C
12
炔基、C3至C
12
环烷基、C6至C
12
芳基、C7至C
13
芳烷基和C7至C
13
烷芳基。
[0026]可以规定，R1和R2互相独立地选自C1至C
12
烷基、C6至C
12
芳基、C7至C
13
芳烷基和C7至C
13
烷芳基。
[0027]可以规定，R1和R2互相独立地选自C1至C
20
烷基和C6至C
20
芳基。
[0028]可以规定，R1和R2互相独立地选自C1至C
12
烷基和C6至C
12
芳基。
[0029]可以规定，R1和R2互相独立地为苯基或甲基。
[0030]可以规定，R1和R2相同。在这方面，可以规定，式(Ia)的化合物中包含的所有R1和R2相同并选自上文提到的基团之一。
[0031]可以规定，X1选自H、SiH3、Cl和SiCl3。
[0032]式(Ib)的化合物
[0033]可以规定，E1至E6的至少三个是Ge且E1至E6的剩余部分是Si。可以规定，E1至E6的四个、五个或六个是Ge且E1至E6的剩余部分是Si。可以规定，E1至E6的四个或五个是Ge且E1至E6的剩余部分是Si。
[0034]可以规定，R3至R
14
互相独立地选自C1至C
12
烷基、C2至C
12
烯基、C2至C
12
炔基、C3至C
12
环烷基、C6至C
12
芳基、C7至C
13
芳烷基、C7至C
13
烷芳基和卤素。
[0035]可以规定，R3至R
14
互相独立地选自C1至C
12
烷基、C6至C
12
芳基、C7至C
13
芳烷基、C7至C
13
烷芳基和卤素。
[0036]可以规定，R3至R
14
互相独立地选自C1至C
20
烷基、C6至C
20
芳基和卤素。
[0037]可以规定，R3至R
14
互相独立地选自C1至C
12
烷基和卤素。
[0038]可以规定，R3至R
14
互相独立地为Cl或甲基。
[0039]可以规定，直接连接到相同Em的两个Rn(即，成对的R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R
10
、R
11
和R
12
、和R
13
和R
14
中的两个R)相同。
[0040]可以规定，在E
m
(即E1至E6之一)是Ge的情况下，直接连接到该E
m
的两个R
n
是C1至C
20
烷基。可以规定，在E
m
(即E1至E6之一)是Ge的情况下，直接连接到该E
m
的两个R
n
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.式(Ia)或(Ib)的化合物其中在式(Ia)中
‑
n是1至10的整数；
‑
R1和R2互相独立地选自C1至C
20
烷基、C2至C
20
烯基、C2至C
20
炔基、C3至C
20
环烷基、C6至C
20
芳基、C7至C
20
芳烷基和C7至C
20
烷芳基；和
‑
X1选自H、SiH3、卤素和Si(Y1)3，其中Y1＝卤素；其中在式(Ib)中
‑
E1至E6互相独立地为Si或Ge；
‑
X
11
至X
14
互相独立地选自H、SiH3、卤素和Si(Y2)3；
‑
Y2独立地选自C1至C
20
烷基和卤素；
‑
R3至R
14
互相独立地选自C1至C
20
烷基、C2至C
20
烯基、C2至C
20
炔基、C3至C
20
环烷基、C6至C
20
芳基、C7至C
20
芳烷基、C7至C
20
烷芳基和Z；和
‑
z独立地选自H、卤素和C1至C
20
烷基。2.根据权利要求1的化合物，其中n是1至4的整数。3.根据权利要求1或2的化合物，其中R1和R2互相独立地选自C1至C
20
烷基和C6至C
20
芳基。4.根据前述权利要求任一项的化合物，其中R1和R2互相独立地为苯基或甲基。5.根据前述权利要求任一项的化合物，其中R1和R2相同。6.根据前述权利要求任一项的化合物，其中X1选自H、SiH3、Cl和SiCl3。
7.根据前述权利要求任一项的化合物，其中E1至E6的至少三个...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：约翰沃尔福冈歌德大学，
类型：发明
国别省市：