阵列基板、对置基板及显示面板制造技术

本申请涉及一种阵列基板、对置基板及显示面板，该阵列基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的扫描线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和公共电极；像素电极与公共电极分层且绝缘设置，阵列基板还包括公共电极走线，公共电极走线包括与扫描线电连接的连接部，公共电极通过过孔与连接部电连接，且过孔在第一衬底基板上的正投影位于扫描线在第一衬底基板上的正投影的至少一侧，公共电极走线还包括围绕连接部设置的遮光部。该阵列基板可以遮挡过孔周侧的配向层较薄、容易出现配向紊乱的区域，提升产品的显示效果。升产品的显示效果。升产品的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、对置基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、对置基板及显示面板。

技术介绍

[0002]平面转换型(In
‑
Plane Switching，简称IPS)液晶显示面板的公共电极与像素电极位于顶层，形成平面电场。为了使面内公共电极的电压稳定，需要尽量增加公共电极与公共电极走线之间的过孔，以使面内公共电极全导通，减小公共电极的负载，提升稳定性。
[0003]IPS液晶显示面板一般通过摩擦(Rubbing)配向工艺来定义液晶分子的初始方向。由于过孔较深，过孔周边地势不平，配向液涂布后易流入过孔中，导致过孔周边形成的配向膜变薄，显示区容易出现摩擦配向紊乱(Rubbing Mura)的问题，影响像素的画面显示。

技术实现思路

[0004]本申请的目的旨在提供一种阵列基板、对置基板及显示面板，其可以遮挡过孔周侧的配向层较薄、容易出现配向紊乱的区域，提升产品良率。
[0005]第一方面，本申请实施例提出了一种阵列基板，包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的扫描线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和公共电极，扫描线和数据线相互绝缘且交叉限定形成阵列分布的多个子像素，每个子像素内均设有薄膜晶体管和像素电极；像素电极与公共电极分层且绝缘设置，阵列基板还包括与扫描线同层且交叉设置的公共电极走线，公共电极走线包括与扫描线电连接的连接部，公共电极通过过孔与连接部电连接，且过孔在第一衬底基板上的正投影位于扫描线在第一衬底基板上的正投影的至少一侧；其中，公共电极走线还包括围绕连接部设置的遮光部。
[0006]在一种可能的实施方式中，遮光部和连接部在第一衬底基板上的正投影面积之和与连接部在第一衬底基板上的正投影面积的比值为：(1.2～1.5):1。
[0007]在一种可能的实施方式中，过孔的数量为多个，且多个过孔在第一衬底基板上的正投影位于扫描线在第一衬底基板上的正投影的同一侧。
[0008]在一种可能的实施方式中，阵列基板包括依次形成于第一衬底基板上的第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、层间绝缘层及第三金属层；第一金属层包括薄膜晶体管的栅极、遮光部、扫描线及公共电极走线；第二金属层包括薄膜晶体管的源极、漏极、数据线及公共电极；第三金属层包括像素电极，过孔贯穿栅绝缘层设置。
[0009]在一种可能的实施方式中，阵列基板包括依次形成于第一衬底基板上的第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、层间绝缘层及第三金属层；第一金属层包括薄膜晶体管的栅极、遮光部、扫描线及公共电极走线；第二金属层包括薄膜晶体管的源极、漏极、数据线及像素电极；第三金属层包括公共电极，过孔贯穿栅绝缘层及层间绝缘层设置。
[0010]在一种可能的实施方式中，像素电极成对设置为一组像素电极对，像素电极对极性相同且与同一条数据线电连接，同列中相邻的两组像素电极对分别连接至不同的数据线，多组像素电极对在行方向和列方向交错排布。
[0011]第二方面，本申请实施例提出了一种对置基板，其特征在于，与如前所述的阵列基板相对设置，对置基板包括第二衬底基板及形成于第二衬底基板上的遮光层，遮光层在阵列基板上的正投影至少覆盖遮光部。
[0012]第三方面，本申请实施例还提出了一种显示面板，包括：如前所述的阵列基板；如前所述的对置基板，与阵列基板相对设置；以及液晶层，设置于阵列基板与对置基板之间。
[0013]根据本申请实施例的阵列基板、对置基板及显示面板，该阵列基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板上的扫描线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和公共电极，扫描线和数据线相互绝缘且交叉限定形成阵列分布的多个子像素，每个子像素内均设有薄膜晶体管和像素电极；像素电极与公共电极分层且绝缘设置，阵列基板还包括与扫描线同层且交叉设置的公共电极走线，公共电极走线包括与扫描线电连接的连接部，公共电极通过过孔与连接部电连接，且过孔在第一衬底基板上的正投影位于扫描线在第一衬底基板上的正投影的至少一侧，公共电极走线还包括围绕连接部设置的遮光部。由此，遮光部是在过孔周侧的连接部基础上进一步加宽，可以遮挡过孔周侧的配向层较薄、容易出现配向紊乱的区域，提升产品的显示效果。
附图说明
[0014]下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
[0015]图1示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
[0016]图2示出本申请第一实施例提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；
[0017]图3示出相关技术中阵列基板的局部俯视结构示意图；
[0018]图4示出图3沿方向M
‑
M的剖面图；
[0019]图5示出图2所示的阵列基板的像素架构示意图；
[0020]图6示出本申请第二实施例提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；
[0021]图7示出本申请第三实施例提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；
[0022]图8示出本申请第四实施例提供的阵列基板的局部俯视结构示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]1、阵列基板；Px、子像素；Sc、扫描线；D、数据线；T、薄膜晶体管；P、像素电极；C、公共电极；G、栅极；S、源极；Dr、漏极；L、公共电极走线；
[0025]10、第一衬底基板；11、第一金属层；110、连接部；111、遮光部；12、栅绝缘层；13、第二金属层；14、层间绝缘层；15、第三金属层；H、过孔；PS、支撑柱；16、色阻层；17、第一配向膜；
[0026]2、对置基板；20、第二衬底基板；21、遮光层；22、第二配向膜；
[0027]3、液晶层。
具体实施方式
[0028]下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述
中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
[0029]图1示出本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
[0030]如图1所示，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板1、与阵列基板1相对设置的对置基板2和设置于阵列基板1与对置基板2之间的液晶层3。液晶层3包括多个液晶分子，液晶分子通常为棒状，既可以像液体一样流动，又具有某些晶体特征。当液晶分子处于电场中时，其排列方向会根据电场的变化而改变。
[0031]本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板上的扫描线、数据线、薄膜晶体管、像素电极和公共电极，所述扫描线和所述数据线相互绝缘且交叉限定形成阵列分布的多个子像素，每个所述子像素内均设有所述薄膜晶体管和所述像素电极；所述像素电极与所述公共电极分层且绝缘设置；所述阵列基板还包括与所述扫描线同层且交叉设置的公共电极走线，所述公共电极走线包括与所述扫描线电连接的连接部，所述公共电极通过过孔与所述连接部电连接，且所述过孔在所述第一衬底基板上的正投影位于所述扫描线在所述第一衬底基板上的正投影的至少一侧，其特征在于，所述公共电极走线还包括围绕所述连接部设置的遮光部。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光部与所述连接部在所述第一衬底基板上的正投影面积之和与所述连接部在所述第一衬底基板上的正投影面积的比值为：(1.2～1.5):1。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔的数量为多个，且多个所述过孔在所述第一衬底基板上的正投影位于所述扫描线在所述第一衬底基板上的正投影的同一侧。4.根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括支撑柱，所述支撑柱位于所述扫描线与所述公共电极走线的交叉处，且所述支撑柱与所述过孔正对设置。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括依次形成于所述第一衬底基板上的第一金属层、栅绝缘层、第二金属层、层间绝缘层及第三金属层；所述第一金属层包括所述薄膜晶体管的栅极、所述遮光部、所述扫描线及所述公共电极走线；所述第二金...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝晶晶，康报虹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：