一种分子自旋光伏器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种分子自旋光伏器件及其制备方法，涉及半导体光电子技术领域，所述分子自旋光伏器件包括衬底以及在衬底的一面上依次层叠设置的铁磁底电极、底界面修饰层、有机光伏材料层、顶界面修饰层和铁磁顶电极。所述制备方法包括：提供衬底；在衬底的一面上依次层叠设置铁磁底电极、底界面修饰层、有机光伏材料层、顶界面修饰层和铁磁顶电极；顶界面修饰层通过溶液旋涂法沉积在有机光伏材料层上。相比现有的分子自旋光伏器件，本发明专利技术利用溶液旋涂法在有机光伏材料层上叠加一层顶界面修饰层，可以同步优化顶界面处电荷与自旋注入，从而大幅增强室温下分子自旋光伏器件的自旋

【技术实现步骤摘要】
一种分子自旋光伏器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电子
，尤其涉及一种分子自旋光伏器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]自旋电子学利用自旋和电荷携带信息，着眼于开发具有高存储密度、高处理速度、低功耗的新一代磁电元件。分子半导体一方面由于极弱的自旋散射表现出独特的室温自旋应用天赋；另一方面，丰富的光电特性可以与自旋输运相互作用诞生新的自旋功能，从而激发了广泛的研究兴趣。在自旋与电荷交互作用的功能性自旋电子学器件中，一个典型的代表是分子自旋光伏器件，它创造性地集成了光伏与自旋电子功能，其输出自旋信号可以利用光伏效应进行调制，甚至在室温下达到完全自旋极化。然而，目前这种调制自旋信号的能力严重受限于当前单组分器件结构导致的弱自旋
‑
光伏相互作用驱动力，并且自分子自旋光伏器件诞生以来，它几乎无法得到改善。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种分子自旋光伏器件及其制备方法，用以解决现有技术中分子自旋光伏器件受限于当前单组分器件结构导致弱自旋
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光伏相互作用驱动力的缺陷，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分子自旋光伏器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底的一面上依次层叠设置的铁磁底电极、底界面修饰层、有机光伏材料层、顶界面修饰层和铁磁顶电极。2.根据权利要求1所述的分子自旋光伏器件，其特征在于，所述顶界面修饰层的材质为水或醇可溶的有机界面材料。3.根据权利要求2所述的分子自旋光伏器件，其特征在于，所述水或醇可溶的有机界面材料为共轭小分子阴极界面材料SME1。4.根据权利要求1所述的分子自旋光伏器件，其特征在于，所述顶界面修饰层的厚度小于或者等于7纳米。5.根据权利要求4所述的分子自旋光伏器件，其特征在于，所述顶界面修饰层的厚度为2.5纳米。6.根据权利要求1所述的分子自旋光伏器件，其特征在于，所述铁磁顶电极开设有透光通道。7.根据权利要求6所述的分子自旋光伏器...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙向南，秦阳，谷现荣，郭立丹，卢书杭，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：