膜结构体及其制造方法技术

课题：提供膜结构体及其制造方法，该膜结构体具有形成于衬底上的缓冲膜，能够使形成于缓冲膜上的金属膜或者压电体膜的取向方向一致为规定方向。解决手段：膜结构体(10)具有衬底(11)和形成于衬底(11)上的缓冲膜(12)。衬底(11)为SOI衬底，其包含：由36

【技术实现步骤摘要】
膜结构体及其制造方法


[0001]本专利技术涉及膜结构体及其制造方法。

技术介绍

[0002]作为具有衬底、形成于衬底上的缓冲膜、形成于缓冲膜上的金属膜的膜结构体，已知具有硅(Si)衬底、形成于Si衬底上的包含氧化锆(ZrO2)的缓冲膜、形成于缓冲膜上的包含铂(Pt)的金属膜的膜结构体。另外，已知还具有形成于金属膜上的压电体膜的膜结构体。
[0003]日本特开2018
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81974号公报(专利文献1)中公开有一种技术，在膜结构体中，具有：包含基体、基体上的绝缘层、和绝缘层上的硅层的衬底；和包含在硅层上外延生长的氧化锆的第1膜；和包含在第1膜上外延生长的铂的第1导电膜；和在第1导电膜上外延生长的压电膜。
[0004]日本特开2018
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81975号公报(专利文献2)中公开有一种技术，在膜结构体中，具有硅衬底、包含形成于硅衬底上的锆的第1膜、包含在第1膜上外延生长的氧化锆的第2膜、包含在第2膜上外延生长的铂的第1导电膜、和在第1导电膜上外延生长的压电膜。
[0005]现有技术文献
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种膜结构体，其具有：衬底、和形成于所述衬底上的缓冲膜，所述衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包含：由36
°
～48
°
的旋转Y切割Si衬底、或者36
°
～48
°
的旋转Y切割Si衬底形成的基体；所述基体上的绝缘层；和由所述绝缘层上的Si膜形成的SOI层，所述SOI层的上表面的晶面的密勒指数，与所述基体的上表面的晶面的密勒指数相同，所述缓冲膜包含在所述衬底上外延生长的ZrO2。2.根据权利要求1所述的膜结构体，其中，具有在所述缓冲膜上外延生长的金属膜。3.根据权利要求2所述的膜结构体，其中，所述金属膜包含Pt。4.根据权利要求2或3所述的膜结构体，其中，具有在所述金属膜上外延生长的SRO膜。5.根据权利要求2或3所述的膜结构体，其中，具有在所述金属膜上外延生长的压电体膜。6.根据权利要求4所述的膜结构体，其中，具有在所述SRO膜上外延生长的压电体膜。7.根据权利要求4所述的膜结构体，其中，在所述膜结构体的面内X射线衍射图案中，观测到分别表示所述SRO膜的SRO(110)面的2个衍射峰。8.根据权利要求1所述的膜结构体，其中，具有在所述缓冲膜上外延生长的压电体膜。9.根据权利要求5或6所述的膜结构体，其中，所述压电体膜包含PZT、AlN、LiTaO3或者LiNbO3。10.根据权利要求6所述的膜结构体，其中，所述压电体膜为包含PZT的PZT膜，在所述膜结构体的面内X射线衍射图案中，观测到分别表示所述PZT膜的PZ...

【专利技术属性】
技术研发人员：小西晃雄，金森广晃，
申请(专利权)人：微新创研究所股份有限公司，
类型：发明
国别省市：