IGBT模组组件、功率器件及电子器件制造技术

本申请涉及半导体技术领域，本申请公开一种IGBT模组组件、功率器件及电子器件。包括IGBT芯片及电路板，IGBT芯片包括主体及多个引脚，多个引脚沿主体的周侧间隔设置，引脚包括第一连接部及第二连接部，第一连接部与主体电连接，第连接部与第一连接部之间具有折弯角度，多个第二连接部均沿在同一平面内延伸。与现有技术相比，可方便用于对多个引脚的折弯高度及折弯角度进行控制，提高装配效率，可有效提高IGBT芯片与其他电路元件之间电连接的稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
IGBT模组组件、功率器件及电子器件


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种IGBT模组组件、功率器件及电子器件。

技术介绍

[0002]近年来功率半导体技术快速发展，功率半导体器件已应用在诸多科技领域上，在汽车、智能家电、新能源、光伏等核心高新技术都有所应用。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管)是最常见的功率半导体器件之一，是变频技术和逆变技术的核心元件，由于应用环境的不同和市场需求产生诸多类型IGBT。而从IGBT引脚封装结构上看，现有的大多数IGBT都是直插式封装结构，直插式IGBT在与印刷线路板(PCB，Printed Circuit Board)装配时，手动调节IGBT中多个引脚垂直插入PCB板上定位孔后的插入深度，并根据实际需求对引脚进行折弯，这无疑增加人工和设备，且折弯后，由于人工调整折弯角度及折弯位置不均一，导致IGBT模块与PCB板的电连接性能较差，影响整体功率器件的性能。

技术实现思路

[0003]为了解决IGBT的引脚与其他电子器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模组组件，其特征在于，包括IGBT芯片(10)，包括主体(11)及多个引脚(12)，多个所述引脚(12)沿所述主体(11)的周侧间隔设置，所述引脚(12)包括第一连接部(121)及第二连接部(122)，所述第一连接部(121)与所述主体(11)电连接，所述第二连接部(122)与所述第一连接部(121)之间具有第一夹角，多个所述第二连接部(122)均在同一平面内延伸。2.如权利要求1所述的IGBT模组组件，其特征在于，还包括：散热器件(30)，所述主体(11)包括第一侧面(13)及第二侧面(14)，多个所述引脚(12)设置于所述第一侧面(13)，所述第二侧面(14)装配于所述散热器件(30)。3.如权利要求2所述的IGBT模组组件，其特征在于，所述散热器件(30)包括散热板(31)，所述散热板(31)开设有限位槽(32)，所述第二侧面(14)面向所述限位槽(32)，所述主体(11)限位固定于所述限位槽(32)内。4.如权利要求3所述的IGBT模组组件，其特征在于，所述散热器件(30)包括多个散热翅片(33)，多个所述散热翅片(33)设置于所述散热板(31)。5.如权利要求3所述的IGBT模组组件，其特征在于，所述散热板(31)包括限位壁(34)，所述限位壁(34)围成所述限位槽(32)，所述限位壁(34)设置有第一卡接部(341)，所述主体(11)设置有第二卡接部(15)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁彰怀，廖勇波，李春艳，马颖江，宋德超，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：