一种五氟化钽的制备装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种五氟化钽的制备装置，包括反应釜和精馏塔，反应釜连接精馏塔，精馏塔的塔底安装铠装加热器，精馏塔外侧壁设置冷却夹套，精馏塔塔顶设置加热器，精馏塔塔顶设置塔顶取样口和出料口。本发明专利技术先将一定纯度以上的钽通过与含氟气体进行氟化反应，生成的五氟化钽再进入精馏塔进行多次精馏排出杂质气体，再通过对产品进行分析检测，检测合格后方可进行产品收集。采用此装置及方法制备出的五氟化钽使用范围广，可操作性强，收率高，成本低，有利于工业化生产。利于工业化生产。利于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种五氟化钽的制备装置及制备方法


[0001]本专利技术属于五氟化钽生产
，具体涉及一种五氟化钽的制备装置及制备方法。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(简称PVD)是集成电路芯片沉积金属互连线的主要工艺，具体是指在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体过程，在基板材料表面沉积具有某种特殊功能的薄膜材料，根据操作技术可分为溅射镀膜和真空蒸发镀膜两种方法。
[0003]溅射靶材是采用上述工艺中的关键耗材。半导体芯片的单元器件内部由衬底、绝缘层、介质层、导体层及保护层等组成，其中，介质层、导体层甚至保护层都要用到溅射镀膜工艺。集成电路领域的镀膜用靶材主要包括钽靶、铝靶、钨靶等，尤其是12英寸钽靶几乎全部依赖于进口，。
[0004]五氟化钽在电子工业中用作化学气相淀积硅化钽或钽膜，制作低电阻、高熔点的电路互连线和栅极，五氟化钽在电子元器件表面、半导体器件表面、钛及金属氮化物电极表面、金属钨表面上，可形成附着力极强、厚度为0.1μm级的绝缘薄膜，具有较高的介电率。此外，更重要的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种五氟化钽的制备装置，其特征在于，包括反应釜(1)和精馏塔，所述反应釜(1)上端开设加料口(3)，所述反应釜(1)通过进气管路(4)分别连接氟化气体钢瓶(5)和惰性气体钢瓶(6)，所述反应釜(1)连接精馏塔，所述精馏塔上开设有取样口(13)和出料口(14)，所述反应釜(1)具有加热功能。2.根据权利要求1所述的一种五氟化钽的制备装置，其特征在于，所述精馏塔包括塔身(2)、塔釜(8)和塔顶(11)，所述反应釜(1)上端设置有加料口(3)，所述反应釜(1)的出料口通过输送管(7)连接塔釜(8)，所述塔釜(8)的底部设置铠装加热器(9)，所述塔釜(8)的侧壁上安装冷却夹套(10)，所述塔顶(11)的侧壁设置有加热器(12)，所述取样口(13)和出料口(14)开设在塔顶(11)。3.根据权利要求1所述的一种五氟化钽的制备装置，其特征在于，所述反应釜(1)的材质为蒙乃尔合金或镍基合金或316L不锈钢，所述精馏塔的材质为蒙乃尔合金或镍基合金或奥氏体不锈钢。4.根据权利要求1所述的一种五氟化钽的制备装置，其特征在于，所述惰性气体钢瓶(6)内填充纯度不低于99％的氮气或氩气或氦气，所述氟化气体钢瓶(5)内填充纯度不低于99.9％的三氟化氮或氟气。5.一种利用如权利要求1
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4中任一权利要求所述的五氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚峰，彭立培，冀嘉梁，梁树峄，郭晓彬，胡阳，冯海波，赵星，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：