【技术实现步骤摘要】
加热组件的制备方法及气体传感器的制备方法
[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种加热组件的制备方法及气体传感器的制备方法。
技术介绍
[0002]随着半导体技术的发展，出现了气体传感器。气体传感器在气体传感组件、微热量计、气体流量计、红外光源、微小颗粒的收集等领域有较大的发展空间。气体传感器具有热量损耗小、加热功率低、工艺流程简单、响应时间短容易与其他微电子器件集成等优点，其应用十分广泛。
[0003]目前，气体传感器通常都是通过加热组件与微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)传感组件进行集成。传统技术中，气体传感器通常通过将加热组件的加热层与传感组件的导电层相互交错排布以构成气体传感器。然而，由于传统技术中加热层与导电层位于同一平面上，且两者之间需要保持一定的间隔，从而存在器件设计面积较大的问题。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对现有技术中的器件设计面积较大的问题提供一种加热组件的制备方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种加热组件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底的上表层形成导电层；于所述导电层的上表层、所述导电层的侧壁以及所述基底的上表层形成第一绝缘层；于所述第一绝缘层的侧壁形成侧墙结构，其中，所述第一绝缘层的侧壁与所述导电层的侧壁相对应；于所述第一绝缘层的上表层形成第一加热电极以及第二加热电极；其中，所述第一加热电极与所述第二加热电极分别与所述侧墙结构的端部对应接触设置。2.根据权利要求1所述的加热组件的制备方法，其特征在于，于所述第一绝缘层的侧壁形成侧墙结构，包括：于所述第一绝缘层的表面形成初始侧墙结构；采用自对准侧墙工艺去除部分的初始侧墙结构，以形成所述侧墙结构；所述侧墙结构包括去除部分的初始侧墙结构后，保留在所述第一绝缘层的侧壁的部分所述初始侧墙结构。3.根据权利要求1所述的加热组件的制备方法，其特征在于，于所述基底的上表层形成导电层，包括：于所述基底的上表层形成第一梳齿结构以及第二梳齿结构，所述第一梳齿结构与所述第二梳齿结构共同构成所述导电层，其中，所述第一梳齿结构的梳齿部分与所述第二梳齿结构的梳齿部分呈交错排列；所述第一梳齿结构还包括第一梳齿电极，所述第一梳齿电极与所述第一梳齿结构的梳齿部分的第一端部连接，所述第二梳齿结构还包括第二梳齿电极，所述第二梳齿电极与所述第二梳齿结构的梳齿部分的第一端部连接。4.根据权利要求3所述的加热组件的制备方法，其特征在于，所述第一加热电极包括第一子电极和第二子电极，所述第二加热电极包括第三子电极和第四子电极，所述于所述第一绝缘层的上表层形成第一加热电极以及第二加热电极，包括：于所述第一绝缘层的上表层形成所述第一子电极、所述第二子电极、所述第三子电极以及所述第四子电极，其中，所述第一子电极与位于所述第一梳齿结构侧壁的第一侧墙接触设置，所述第一侧墙为所述第一梳齿结构的梳齿部分的第一端部的侧墙结构；所述第二子电极与位于所述第二梳齿结构侧壁的第二侧墙接触设置，所述第二侧墙为所述第二梳齿结构的梳齿部分的第二端部的侧墙结构；所述第三子电极与位于所述第一梳齿结构侧壁的第三侧墙接触设置，所述第三侧墙为所述第一梳齿结构的梳齿部分的第二端部的侧墙结构；所述第四子电极与位于所述第二梳齿结构侧壁的第四侧墙接触设置，所述第四侧墙为所述第二梳齿结构的梳齿部分的第一端部的侧墙结构。5.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，所述气体传感器的制备方法包括：提供基底；于所述基底的上表层形成导电层；于所述导电层的上表层、所述导电层的侧壁以及所述基底的上表层形成第一绝缘层；于所述第一绝缘层的侧壁形成侧墙结构，其中，所述第一绝缘层的侧壁与所述导电层
的侧壁相对应；于所述第一绝缘层的上表层以及所述侧墙结构的表面形成所述第一氧化层；去除部分的所述第一氧化层以形成初始开口，并去除部分覆盖所述侧墙结构端部的所述第一氧化层；其中，所述初始开口暴露出所述第一绝缘层的上表层；基于所述初始开口去除部分的所述第一绝缘层以形成开口，其中，所述开口暴露出所述导电层的上表层；于所述第一绝缘层的上表层形成第一加热电极以及第二加热电极，其中，所述第一加热电极与所述第二加热电极分别与所述侧墙结构的端部对应接触设置；于所述导电层端部的上方形成第一传感电极以及第二传感电极，其中，所述第一传感电极以及第二传感电极分别与导电层的端部对应接触设置，且对部分所...
【专利技术属性】
技术研发人员：周正，倪梁，卢惠棉，杨力建，
申请(专利权)人：深圳市汇投智控科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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