一种非洲菊壮苗培育方法技术

本发明专利技术涉及一种非洲菊壮苗培育方法，包括以下步骤：Ⅰ.将非洲菊组培苗接种于生根培养基进行培养。Ⅱ.选择步骤Ⅰ培养后的非洲菊组培苗移栽于栽培基质。Ⅲ.定期为移栽于栽培基质的非洲菊组培苗浇灌菌悬液。该菌悬液的制备过程为，取在PDB液体培养基培养后的印度梨形孢菌液，离心后用ddH2O清洗，加入ddH2O并搅碎，调节吸光值。Ⅳ.对非洲菊幼苗进行缓苗处理。

【技术实现步骤摘要】
一种非洲菊壮苗培育方法


[0001]本专利技术涉及植物培育方法，具体涉及一种非洲菊壮苗培育方法。

技术介绍

[0002]非洲菊（Gerbera jamesoniiL.）又名扶郎花，为菊科大丁草属多年生草本花卉，是世界五大鲜切花之一，是具有重要经济观赏价值的园艺植物。由于在实际生产中，非洲菊大多采用露地或简易大棚栽培，冬天的持续低温和夏天的棚内高温等原因均可导致非洲菊产量和切花品质下降，造成损失。
[0003]而印度梨形孢（Piriformospora indica）是印度科学家Verma在西北部沙漠地区灌木丛根部分离出的一种内生真菌，属于担子菌门层菌纲梨形孢属，其与丛枝菌根真菌的功能特性极为相似，在寄主植物的根际定殖，并产生复杂的互利共生作用。在如公开号为CN107155896B、CN108668896B等中国专利技术专利或者如本申请人在先申请的公开号为CN110235665A中国专利技术专利申请中公开了印度梨形孢有助于促进非洲菊生长和提高气抵御生物和非生物逆境胁迫的耐受力，但是仅通过上述公开的技术手段还是难以很好解决非洲菊栽培中遇到冬天的持续低温和夏天的棚内高温等原因导致非洲菊产量和切花品质下降的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种非洲菊壮苗培育方法，以解决上述问题。
[0005]本专利技术采用如下技术方案：一种非洲菊壮苗培育方法，包括以下步骤：Ⅰ.将非洲菊组培苗接种于生根培养基进行培养。
[0006]Ⅱ.选择步骤Ⅰ培养后的非洲菊组培苗移栽于栽培基质。
>[0007]Ⅲ.定期为移栽于栽培基质的非洲菊组培苗浇灌菌悬液。
[0008]该菌悬液的制备过程为，取在PDB液体培养基培养后的印度梨形孢菌液，离心后用ddH2O清洗，加入ddH2O并搅碎，调节吸光值。
[0009]Ⅳ.对浇灌菌悬液结束后的非洲菊幼苗进行缓苗处理。
[0010]Ⅴ
.将缓苗处理后的非洲菊幼苗充分浇透后采用自然干旱处理，干旱处理至非洲菊幼苗完全展开第三片叶。
[0011]进一步地：上述步骤Ⅰ的培养过程包括以下步骤：
ⅰ
.预先在28℃的PDA培养基上在黑暗条件下培养印度梨形孢，培养时间两周。
[0012]ⅱ
.在25℃/20℃（亮/暗）条件下在上述生根培养基培养非洲菊组培苗，其中光周期为16h，光强度为100μmolm
‑2s
‑1。上述生根培养基为含有浓度为0.5mg/L的NAA、0.5mg/L的激动素以及质量分数为1.5%的蔗糖、0.2%的活性炭、0.7%的琼脂的1/2*MS培养基，生根培养基PH为5.8。
[0013]ⅲ
.上述非洲菊组培苗生根14d后，从预先培养有印度梨形孢的PDA培养基边缘取下印度梨形孢菌块与该非洲菊组培苗共同培养。
[0014]上述步骤Ⅲ中每周一次为每株非洲菊组培苗浇灌50ml上述菌悬液，浇灌四次。
[0015]上述步骤Ⅲ持续30d，步骤Ⅲ培养条件为温度25℃、湿度70%
‑
75%、白天光照12h。上述步骤Ⅱ中的上述栽培基质由泥炭土、黄土、珍珠岩以质量比3∶1∶1配成。
[0016]上述步骤Ⅲ中的上述菌悬液的制备过程中印度梨形孢菌液在PDB液体培养基培养14d，离心为4℃、8000g离心15min，ddH2O清洗清洗三遍，吸光值调节为OD
600
至0.8。
[0017]上述步骤Ⅳ的上述缓苗处理持续7d。
[0018]上述步骤
Ⅴ
的上述自然干旱处理持续14d。
[0019]上述步骤Ⅳ包括在进行上述缓苗处理前抽取非洲菊新鲜根部并对印度梨形孢是否浸染非洲菊根部进行鉴别。该鉴别包括RT
‑
PCR鉴别，RT
‑
PCR鉴别所用引物序列分别为PiTef1
‑
F（5'
‑
GGCCACCGTGACTTTATCAAGAAC
‑3’
）、PiTef1
‑
R（5
’‑
TTCCTTGACGATTTCGTTGAAGCG
ꢀ‑3’
）和GjActin
‑
F（5
’‑
ATGGTGAACTCCCACACTCAGAAG
‑3’
）、GjActin
‑
R（5
’‑
CAGGATGAAGATGAGGATGACAAGA
‑3’
）。
[0020]上述抽取非洲菊新鲜根部为随机抽出非洲菊幼苗并采集其健康新鲜的根部样本，迅速放入液氮，混合均匀后磨样，置于
‑
80℃冰箱低温保存。
[0021]上述鉴别还包括染色鉴别。该染色鉴别为将根部切片先用体积分数为2%的氢氧化钾浸泡3min，再用体积分数为0.05%的台盼蓝染色7min，再用ddH2O缓慢冲洗后制片，用光学显微镜观察印度梨形孢在非洲菊幼苗根部的定殖情况。
[0022]由上述对本专利技术的描述可知，和现有技术相比，本专利技术具有如下优点：经本申请人研究发现，非洲菊培育中，冬天的持续低温和夏天的棚内高温等原因会造成非洲菊干旱或者间歇性干旱。本专利技术通过印度梨形孢有助于促进植物生长和提高气抵御生物和非生物逆境胁迫的耐受力，即通过步骤Ⅲ中浇灌令印度梨形孢在非洲菊幼苗根部定殖，促进非洲菊幼苗生长、提高非洲菊幼苗抗干旱能力，令非洲菊幼苗能够大概率可以承受一定程度干旱胁迫，再配合缓苗后的步骤
Ⅴ
自然干旱处理，刺激非洲菊幼苗SOD、POD、CAT活性和渗透调节物质的累积，令非洲菊无论在冬天持续低温还是在夏天棚内高温等情况下，产量与切花品质都能保持稳定。并且该步骤
Ⅴ
自然干旱处理能够人为筛选出具备能够在非洲菊未来培育中的冬天持续低温和夏天棚内高温等情况下保证产量和切花品质的个体。
[0023]而本专利技术进一步方案中，本专利技术通过在步骤Ⅰ的非洲菊生根培养基培养阶段与印度梨形孢菌块共同培养，提升非洲菊个体对一定程度的耐受能力，令非洲菊个体对后续培育过程的耐受力更强且能够进一步保证非洲菊未来培育中的冬天持续低温和夏天棚内高温等情况下的产量和切花品质。步骤
Ⅴ
自然干旱处理循序渐进起到炼苗作用，令本专利技术的非洲菊幼苗培育方法培育的非洲菊在冬夏以高产量高品质获取极大市场竞争优势。而两次印度梨形孢的加入方式，在自然干旱处理前最大程度提升植株个体耐受力，而且组合起来在特定阶段增强印度梨形孢效果，进而利用其促生作用促进植株生成，提升培育效率。
附图说明
[0024]图1为本专利技术的非洲菊幼苗培育方法中步骤Ⅲ浇灌对比示意图。
[0025]图2为本专利技术的非洲菊幼苗培育方法中步骤
Ⅴ
自然干旱处理效果对比示意图。
[0026]图3为本专利技术的非洲菊幼苗培育方法中RT
‑
PCR鉴别结果对比示意图。
[0027]图4为本专利技术的非洲菊幼苗培育方法中染色鉴别结果示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非洲菊壮苗培育方法，其特征在于：包括以下步骤：Ⅰ.将非洲菊组培苗接种于生根培养基进行培养；Ⅱ.选择步骤Ⅰ培养后的非洲菊组培苗移栽于栽培基质；Ⅲ.定期为移栽于栽培基质的非洲菊组培苗浇灌菌悬液；该菌悬液的制备过程为，取在PDB液体培养基培养后的印度梨形孢菌液，离心后用ddH2O清洗，加入ddH2O并搅碎，调节吸光值；Ⅳ.对浇灌菌悬液结束后的非洲菊幼苗进行缓苗处理；
Ⅴ
.将缓苗处理后的非洲菊幼苗充分浇透后采用自然干旱处理，干旱处理至非洲菊幼苗完全展开第三片叶。2.根据权利要求1所述的一种非洲菊壮苗培育方法，其特征在于：所述步骤Ⅰ的培养过程包括以下步骤：
ⅰ
.预先在28℃的PDA培养基上在黑暗条件下培养印度梨形孢，培养时间两周；
ⅱ
.在25℃/20℃（亮/暗）条件下在所述生根培养基培养非洲菊组培苗，其中光周期为16h，光强度为100μmolm
‑2s
‑1；所述生根培养基为含有浓度为0.5mg/L的NAA、0.5mg/L的激动素以及质量分数为1.5%的蔗糖、0.2%的活性炭、0.7%的琼脂的1/2*MS培养基，生根培养基PH为5.8；
ⅲ
.所述非洲菊组培苗生根14d后，从预先培养有印度梨形孢的PDA培养基边缘取下印度梨形孢菌块与该非洲菊组培苗共同培养。3.根据权利要求1所述的一种非洲菊壮苗培育方法，其特征在于：所述步骤Ⅲ中每周一次为每株非洲菊组培苗浇灌50ml所述菌悬液，浇灌四次。4.根据权利要求3所述的一种非洲菊壮苗培育方法，其特征在于：所述步骤Ⅲ持续30d，步骤Ⅲ培养条件为温度25℃、湿度70%
‑
75%、白天光照12h；所述步骤Ⅱ中的所述栽培基质由泥炭土、黄土、珍珠岩以质量比3∶1∶1配成。5.根据权利要求1所述的一种非洲菊壮苗培育方法，其特征在于：所述步骤Ⅲ中的所述菌悬液的制备过程中印度梨形孢菌液在PDB液体培养基培养14d，离心为4℃、8000g离心15min，ddH2O清洗清洗三遍，吸光...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玮婷，郭芸玮，陈仕朋，林发壮，陈昌铭，夏朝水，曹奕鸯，甘玮欣，姚凤琴，钟琳珊，林辉锋，周辉明，
申请(专利权)人：三明市农业科学研究院，
类型：发明
国别省市：