面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法及装置制造方法及图纸

本申请涉及一种面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法及装置，首先本发明专利技术电流补偿方法，不仅仅局限于选通开关导通电阻引起的阵列接入电阻，可以推广到其他的场景中，例如外围读写电路对阵列的接入电阻影响。其次，本发明专利技术阐述的忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法，实现了对忆阻器阵列输出电流的有效补偿，有效抑制了阵列接入电阻对忆阻器神经形态计算性能的影响，为硬件实现性能的优化提供新思路。为硬件实现性能的优化提供新思路。为硬件实现性能的优化提供新思路。

【技术实现步骤摘要】
面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法及装置


[0001]本专利技术属于微纳电子
，具体涉及一种面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法及装置。

技术介绍

[0002]随着计算机、物联网和数字媒体等的进一步发展，数据的爆炸式增长对计算速度和计算能效提出了越来越高的要求。在这其中，忆阻器作为一种新兴的纳米信息器件，利用忆阻器开展神经形态计算具有低延时和低功耗等方面的优势，是研究的重点领域。
[0003]然而，受到当前制备工艺水平的影响，忆阻器非理想问题成为阻碍大规模忆阻器阵列应用的瓶颈。当前的忆阻器非理想问题主要可以分为器件层面和阵列层面两类。器件层面包括器件的阻值波动和良率问题。针对器件阻值波动，网络训练加噪法和网络权值少态法是可行的优化方案；而针对良率忆阻器，可以通过网络剪枝重构的方式进行优化。相关的优化方法有效地改善了器件层面的非理想问题，然而硬件实现过程中，阵列层面的非理想问题通常产生更严重的影响，是当前该领域探索的重点方向，目前还缺乏有效的忆阻器阵列接入电阻的电流补偿手段。

技术实现思路

[0004]基于此，有必本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法，其特征在于，包括步骤：获取忆阻器阵列的实际列输出电流值、各行的电阻值和各行的输入电压值；根据所述实际列输出电流值、各行的电阻值、各行的输入电压值和所述忆阻器阵列的接入电阻值，确定所述忆阻器阵列的列电流补偿模型；在处理所述忆阻器阵列的输出电流过程中，根据所述列电流补偿模型在数字域对所述忆阻器阵列的输出电流进行补偿处理；其中，所述忆阻器阵列的列电流补偿模型为：；其中，列电流补偿系数A和B分别为：；；其中，表示列补偿电流值，表示所述忆阻器阵列第n行的输入电压值，表示所述忆阻器阵列第n行忆阻器的电阻值，表示实际列输出电流值，表示所述忆阻器阵列的接入电阻值。2.根据权利要求1所述的面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法，其特征在于，所述忆阻器阵列为1T1R交叉阵列或忆阻器交叉阵列。3.根据权利要求1或2所述的面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法，其特征在于，所述忆阻器阵列的接入电阻值为选通开关导通电阻引起的接入电阻值。4.根据权利要求1或2所述的面向忆阻器阵列接入电阻的电流补偿方法，其特征在于，所述忆阻器阵列的接入电阻值为外围读写电路引起的接入电阻值。5.一种面向忆阻器阵列接入电阻的电流补...

【专利技术属性】
技术研发人员：李清江，王伟，徐晖，童霈文，刁节涛，刘海军，王义楠，于红旗，王玺，李楠，步凯，陈长林，刘森，宋兵，李智炜，王琴，曹荣荣，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：