【技术实现步骤摘要】
一种可在线校准的混合型电感电流传感器及其校准方法
[0001]本专利技术涉及传感器的
,更具体地说,尤其涉及一种可在线校准的混合型电感电流传感器。
技术介绍
[0002]传统的电感电流检测方式主要有串联电阻检测法、基于镜像管检测法和RC滤波检测法。串联电阻检测法具有检测精度高,速度快的优点,但是会极大地损害DC
‑
DC转换器的转换效率。基于镜像管检测法具有检测精度高和对转换效率无损的优点,但是检测速度受限于控制环路的有限带宽,使其不适用于甚高频DC
‑
DC转换器。RC滤波检测法具有检测速度快和对转换效率无损的优点,但是检测的直流增益等于电感的直流等效电阻(DCR),而DCR的值受温度、器件老化和芯片封装等影响存在大约
±
50%的波动;检测的交流增益受电感时间常数与并联RC时间常数的匹配程度影响,最理想的情况下,这样RC滤波检测法的直流增益和交流增益相等。如果可以利用镜像管检测法检测精度高的优点去校准RC滤波检测法的精度,这样可以得到一个高精度、高速度且对转换效率无损的RC滤波电感电流传感电路。
[0003]传统的校准方案没有处理镜像管检测法速度慢的问题,只能对开关频率仅为4MHz的DC
‑
DC转换器进行校准。其次传统的校准方案的校准方案是先校准RC滤波电感电流传感电路的直流增益,再去校准交流增益,校准只能在DC
‑
DC转换器工作在负载电流稳定的状态下进行,若负载电流出现一定波动时,很难实现校准。
[0004 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可在线校准的混合型电感电流传感器,其特征在于,包括设置在DC
‑
DC转换器的电路上的基于采样的镜像管电感电流传感电路模块(1)、RC滤波电感电流传感电路(2)和电感电流校准控制器模块(3),所述的基于采样的镜像管电感电流传感电路模块(1)感应采样时刻DC
‑
DC转换器中上侧功率PMOS管(M
p
)的电压值并产生校准的参考电压值(V
ISEN
),所述的RC滤波电感电流传感电路(2)输出DC
‑
DC转换器该时刻的实际电压值(V
SEN
),所述的电感电流校准控制器模块(3)比较参考电压值(V
ISEN
)与实际电压值(V
SEN
)后调整其电阻或增益后使输出电压值(V
SEN
)等于参考电压值(V
ISEN
)。2.根据权利要求1所述的一种可在线校准的混合型电感电流传感器,其特征在于,所述的基于采样的镜像管电感电流传感电路模块(1)包括两个并列设置的第一采样电路(11)和第二采样电路(12)、降压输出电路(13)以及偏置电流模块(14),所述的第一采样电路(11)和第二采样电路(12)在电感充电时分别获取采样时刻为A和采样时刻为B时DC
‑
DC转换器中上侧功率PMOS管(M
p
)的实时电压(V
DS
),所述的降压输出电路(13)将两个采样时刻的实时电压(V
DS
)降压后分别输出A时刻参考电压值(V
ISENA
)和B时刻参考电压值(V
ISENB
),所述的偏置电流模块(14)控制降压输出电路(13)的电流。3.根据权利要求2所述的一种可在线校准的混合型电感电流传感器,其特征在于,所述的第一采样电路(11)包括第一开关(S
0A_1
)、第二开关(S
0A_2
)、第三开关(S
1A_1
)、第四开关(S
1A_2
)、第五开关(S
2A_1
)、第六开关(S
2A_2
)和第一采样电容(C
HA
),所述第一采样电容(C
HA
)的一端分别通过第一开关(S
0A_1
)、第三开关(S
1A_1
)和第五开关(S
2A_1
)与DC
‑
DC转换器中的输入电压(V
G
)连接,所述第一采样电容(C
HA
)的另一端分别通过第二开关(S
0A_2
)、第四开关(S
1A_2
)和第六开关(S
2A_2
)与DC
‑
DC转换器中上侧功率PMOS管(M
p
)的输出端连接;所述的第二采样电路(12)包括第七开关(S
0B_1
)、第八开关(S
0B_2
)、第九开关(S
1B_1
)、第十开关(S
1B_2
)、第十一开关(S
2B_1
)、第十二开关(S
2B_2
)和第二采样电容(C
HB
),所述第二采样电容(C
HB
)的一端分别通过第七开关(S
0B_1
)、第九开关(S
1B_1
)和第十一开关与DC
‑
DC转换器中的输入电压(V
G
)连接,所述第二采样电容(C
HB
)的另一端分别通过第八开关(S
0B_2
)、第十开关和第十二开关(S
2B_2
)与DC
‑
DC转换器中上侧功率PMOS管(M
p
)的输出端连接。4.根据权利要求3所述的一种可在线校准的混合型电感电流传感器,其特征在于,所述的降压输出电路(13)包括第一PMOS管(M1)、第二PMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)、第五PMOS管(M5)、第六PMOS管(M6)、第七PMOS管(M7)、第八PMOS管(M8)、对照PMOS管(M
SEN
)、第一运算放大模块(OP)、第一稳定电容(C1)、第二稳定电容(C2)、第十三开关(S
HB
)、第十四开关(S
HA
)、第十五开关(S
EN
)和第十六开关(S
ENB
),所述第一PMOS管(M1)的栅极和漏极、第二PMOS管(M2)的栅极和漏极均与第一分电压(V
G1
)、DC
‑
DC转换器中上侧功率PMOS管(M
p
)的输出端连接,所述的第十六开关(S
ENB
)设置在第二PMOS管(M2)的栅极与第一分电压(V
G1
)之间,所述第一PMOS管(M1)的源极与第三PMOS管(M3)的栅极和漏极连接,所述第二PMOS管(M2)的源极与第四PMOS管(M4)的栅极和漏极连接,所述第三PMOS管(M3)的源极分别与运算放大模块(OP)的输入端和第五PMOS管(M5)...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑彦祺,谢伟涛,陈志坚,李斌,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:
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