扩散方法及太阳能电池制作方法技术

本公开实施例中提供扩散方法及太阳能电池制作方法，扩散方法包括至少两步扩散工艺，每步扩散工艺还包括如下步骤：在将硅片放入扩散炉的情况下，向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散，对扩散炉内进行升温，使磷向硅片内部推进，基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，并在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进，在经过至少两步通源推进过程之后，对扩散炉内进行降温之后，打开扩散炉取出硅片。在变温含氧推进过程中，通过降温，可以降低磷扩散速度，有利于形成浅结，同时提高扩散均匀性。同时，通过降温，较低的温度能够让杂质更好地分凝到吸杂区域，提高对于硅片的吸杂作用，减少硅片内部的复合中心，提升太阳能电池的光电转换效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
扩散方法及太阳能电池制作方法


[0001]本公开涉及太阳能电池
，尤其涉及扩散方法及太阳能电池制作方法。

技术介绍

[0002]扩散工艺是太阳能电池制作过程中的一个步骤。具体地，扩散是制备PN结的工序，PN结是太阳能电池的核心结构，在当前的太阳能电池生产中，PN结的制备方法多采用低压扩散工艺，以提高扩散均匀性，进而提高PN结质量。PN结质量的好坏对太阳能电池的效率有着重要的影响，PN结质量越好，电池性能越高。
[0003]随着工艺不断地提升，PN结逐渐向浅结高方阻方向发展，因此，如何获得太阳能电池中的浅结高方阻，是业界考虑的课题。

技术实现思路

[0004]鉴于以上相关技术的缺点，本公开的目的在于提供扩散方法及太阳能电池制作方法，以解决相关技术中太阳能电池低方阻的技术问题。
[0005]本公开第一方面提供一种扩散方法，其包括至少两步扩散工艺，每步扩散工艺包括如下步骤：
[0006]在将硅片放入扩散炉的情况下，向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散；
[0007]对扩散炉内进行升温，使磷向硅片内部推进；
[0008]基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，并在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进；
[0009]在经过至少两步通源推进过程之后，对扩散炉内进行降温之后，打开扩散炉取出硅片。
[0010]可选地，在至少两步扩散工艺的第一步扩散工艺中，对扩散炉内进行升温，包括：
[0011]对扩散炉内升温，温度范围为825
‑
840℃，通入大氮和不携磷小氮，大氮的流量范围为1200
‑
1500sccm，不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，升温时间范围为6
‑
8min。
[0012]可选地，在至少两步扩散工艺的第一步扩散工艺中，基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，降温范围为20
‑
30℃；
[0013]在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进，包括：
[0014]在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，氧气的流量范围为900
‑
1200sccm，大氮的流量范围为600
‑
900sccm，不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm的氮气，降温时间范围为7
‑
9min。
[0015]可选地，在至少两步扩散工艺的第一步扩散工艺中，向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散，包括：
[0016]将扩散炉内温度控制在775
‑
790℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，氧气的流量范围为450
‑
650sccm，携磷小氮的流量范围为700
‑
850sccm，时间范围为2
‑
4min。
[0017]可选地，至少两步扩散工艺设置为两步扩散工艺，其中在第二步扩散工艺中，向扩
散炉中通源以对硅片进行磷扩散，包括：
[0018]将扩散炉内温度控制在795
‑
810℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，氧气的流量范围为450
‑
650sccm，携磷小氮的流量范围为700
‑
850sccm，时间范围为3
‑
5min。
[0019]可选地，在第二步扩散工艺中，对扩散炉内进行升温，包括：
[0020]对扩散炉内升温，温度范围为850
‑
870℃，通入大氮和不携磷小氮，大氮的流量范围为1200
‑
1500sccm，不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，升温时间范围为7
‑
9min。
[0021]可选地，在第二步扩散工艺中，基于升温末端温度对扩散炉内进行降温，降温范围为20
‑
30℃；
[0022]在降温时通入氧气以对硅片进行变温含氧推进，包括：
[0023]在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，氧气的流量范围为900
‑
1200sccm，大氮的流量范围为600
‑
900sccm，不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，降温时间范围为5
‑
7min。
[0024]可选地，扩散方法包括两步扩散工艺，第一步扩散工艺包括：
[0025]在将硅片放入扩散炉的情况下，将扩散炉内温度控制在780℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，氧气的流量为500sccm，携磷小氮的流量为800sccm，时间为3min，以向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散；
[0026]对扩散炉内升温至830℃，通入大氮和不携磷小氮，大氮的流量为1400sccm，不携磷小氮的流量为500sccm，时间为7min，使磷向硅片内部推进；
[0027]基于升温末端温度对扩散炉内降温至800℃，在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，氧气的流量为1000sccm，大氮的流量为800sccm，不携磷小氮的流量为500sccm，降温时间为8min，以对硅片进行变温含氧推进；
[0028]第二步扩散工艺包括：
[0029]将扩散炉内温度控制在800℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，氧气的流量为500sccm，携磷小氮的流量为800sccm，时间为4min，以向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散；
[0030]对扩散炉内升温至860℃，通入大氮和不携磷小氮，大氮的流量为1400sccm，不携磷小氮的流量为500sccm，时间为8min，使磷向硅片内部推进；
[0031]基于第二步扩散工艺中的升温末端温度对扩散炉内降温至830℃，在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，氧气的流量为1000sccm，大氮的流量为800sccm，不携磷小氮的流量为500sccm，降温时间为6min，以对硅片进行变温含氧推进。
[0032]可选地，扩散方法包括两步扩散工艺，第一步扩散工艺包括：
[0033]在将硅片放入扩散炉的情况下，将扩散炉内温度控制在775℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，氧气的流量为450sccm，携磷小氮的流量为700sccm，时间为2min，以向扩散炉中通源以对硅片进行磷扩散；
[0034]对扩散炉内升温至825℃，通入大氮和不携磷小氮，大氮的流量为1200sccm，不携磷小氮的流量为400sccm，时间为6min，使磷向硅片内部推进；
[0035]基于升温末端温度对扩散炉内降温至795℃，在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，氧气的流量为900sccm，大氮的流量为600sccm，不携磷小氮的流量为400sccm，降温时间为7min，以对硅片进行变温含氧推进；
[0036]第二步扩散工艺包括：
[0037]将扩散炉内温度控制在795℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，氧气的流量为450sccm，携磷小氮的流量为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩散方法，其特征在于，包括至少两步扩散工艺，每步扩散工艺包括如下步骤：在将硅片放入扩散炉的情况下，向扩散炉中通源以对所述硅片进行磷扩散；对所述扩散炉内进行升温，使所述磷向所述硅片内部推进；基于所述升温末端温度对所述扩散炉内进行降温，并在降温时通入氧气以对所述硅片进行变温含氧推进；在经过所述至少两步通源推进过程之后，对所述扩散炉内进行降温之后，打开扩散炉取出所述硅片。2.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在所述至少两步扩散工艺的第一步扩散工艺中，所述对所述扩散炉内进行升温，包括：对所述扩散炉内升温，温度范围为825
‑
840℃，通入大氮和不携磷小氮，所述大氮的流量范围为1200
‑
1500sccm，所述不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，所述升温时间范围为6
‑
8min。3.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，在所述至少两步扩散工艺的第一步扩散工艺中，所述基于所述升温末端温度对所述扩散炉内进行降温，降温范围为20
‑
30℃；在降温时通入氧气以对所述硅片进行变温含氧推进，包括：在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，所述氧气的流量范围为900
‑
1200sccm，所述大氮的流量范围为600
‑
900sccm，所述不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，降温时间范围为7
‑
9min。4.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，在所述至少两步扩散工艺的第一步扩散工艺中，向扩散炉中通源以对所述硅片进行磷扩散，包括：将扩散炉内温度控制在775
‑
790℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，所述氧气的流量范围为450
‑
650sccm，所述携磷小氮的流量范围为700
‑
850sccm，时间范围为2
‑
4min。5.根据权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述至少两步扩散工艺设置为两步扩散工艺，其中在第二步扩散工艺中，所述向扩散炉中通源以对所述硅片进行磷扩散，包括：将所述扩散炉内温度控制在795
‑
810℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，所述氧气的流量范围为450
‑
650sccm，所述携磷小氮的流量范围为700
‑
850sccm，时间范围为3
‑
5min。6.根据权利要求5所述的扩散方法，其特征在于，在第二步扩散工艺中，所述对所述扩散炉内进行升温，包括：对所述扩散炉内升温，温度范围为850
‑
870℃，通入大氮和不携磷小氮，所述大氮的流量范围为1200
‑
1500sccm，所述不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，所述升温时间范围为7
‑
9min。7.根据权利要求6所述的扩散方法，其特征在于，在第二步扩散工艺中，所述基于所述升温末端温度对所述扩散炉内进行降温，降温范围为20
‑
30℃；在降温时通入氧气以对所述硅片进行变温含氧推进，包括：在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，所述氧气的流量范围为900
‑
1200sccm，所述大氮的流量范围为600
‑
900sccm，所述不携磷小氮的流量范围为400
‑
600sccm，降温时间范围为5
‑
7min。8.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述扩散方法包括两步扩散工艺，所述第一步扩散工艺包括：
在将硅片放入扩散炉的情况下，将所述扩散炉内温度控制在780℃，向扩散炉内通入氧气和携磷小氮，所述氧气的流量为500sccm，所述携磷小氮的流量为800sccm，时间为3min，以向扩散炉中通源以对所述硅片进行磷扩散；对所述扩散炉内升温至830℃，通入大氮和不携磷小氮，所述大氮的流量为1400sccm，所述不携磷小氮的流量为500sccm，时间为7min，使所述磷向所述硅片内部推进；基于所述升温末端温度对所述扩散炉内降温至800℃，在降温时通入氧气、大氮和不携磷小氮，所述氧气的流量为1000sccm，所述大...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯德魁，简磊，丁留伟，苏晓峰，卞强，董龙辉，李松江，夏斯阳，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：