【技术实现步骤摘要】
具有三态侦测功能的状态侦测电路及其状态侦测方法
[0001]本专利技术涉及一种状态侦测电路，特别涉及一种具有三态(tri
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state)侦测功能的状态侦测电路。本专利技术还涉及用以控制状态侦测电路的控制方法。
技术介绍
[0002]请参阅图1，美国专利US5469086A中公开一种状态侦测电路。如图1所示，状态侦测电路1000包含脉冲产生器101、计数器201以及浮接状态判断器301。在测试期间，脉冲产生器101用以根据输入节点Nin1的状态而产生脉冲，并由计数器201计算脉冲产生器101所产生的脉冲数量。浮接状态判断器301根据计数器201所计算的脉冲数量而判断输入节点Nin1的状态，当计数器201所计算的脉冲数量超过一定数量时，则浮接状态判断器301判断输入节点Nin1为浮接状态，反之，则判断输入节点Nin1为非浮接状态。图1的现有技术电路复杂，只能用于低压侦测，且仅能判断输入节点Nin1是否为浮接状态，而无法判断输入节点Nin1的其他状态(例如：电性连接于外部电压或接地电位均无法判断)。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种状态侦测电路，用以侦测一输入节点的状态为浮接、电性连接于一接地电位或电性连接于一外部电压，其中该状态侦测电路包含：一单向元件电路，用以将一测试节点单向电性导通至一侦测节点，该侦测节点耦接于该输入节点，其中该测试节点、该单向元件电路、该侦测节点及该输入节点形成一电流路径；以及一判断电路，用以根据该侦测节点的电压位准而判断该输入节点的状态；其中于一侦测阶段中，该状态侦测电路于该测试节点提供一测试电压，其中该侦测节点的电压位准根据该输入节点的状态、该测试电压与该单向元件电路的特性而决定。2.如权利要求1所述的状态侦测电路，其中，于该侦测阶段中，该判断电路根据以下至少一种情形而判断该输入节点的状态：当该侦测节点的电压位准低于一第一阈值且高于一第二阈值时，该判断电路判断该输入节点的状态为浮接；当该侦测节点的电压位准低于该第二阈值时，该判断电路判断该输入节点的状态为电性连接于该接地电位；及/或当该侦测节点的电压位准高于该第一阈值时，该判断电路判断该输入节点的状态为电性连接于该外部电压；其中该第一阈值大于该第二阈值。3.如权利要求2所述的状态侦测电路，其中，还包含一放电电路，耦接于该侦测节点，其中于一放电阶段，该状态侦测电路于该测试节点提供一接地电位，该放电电路用以将该测试节点的该接地电位电连接至该侦测节点与该输入节点，以将该侦测节点与该输入节点的电压位准放电至该接地电位，其中该放电阶段早于该侦测阶段。4.如权利要求3所述的状态侦测电路，其中，该放电电路并联耦接于该单向元件电路。5.如权利要求4所述的状态侦测电路，其中，该放电电路包括一第一晶体管，其为一金氧半晶体管的开关，且该单向元件电路包括该金氧半晶体管的内接二极管。6.如权利要求3所述的状态侦测电路，其中，还包含一缓冲电路，用以根据一驱动信号而于该测试节点产生该测试电压或该接地电位。7.如权利要求6所述的状态侦测电路，其中，还包含一控制电路，用以产生一第一控制信号及该驱动信号，由此控制该状态侦测电路操作于该侦测阶段或该放电阶段，其中该放电电路根据该第一控制信号而操作。8.如权利要求3所述的状态侦测电路，其中，还包含一箝位元件，耦接于该输入节点与该侦测节点之间，由此使得该侦测节点的电压位准受箝位而不超过一电压上限，其中该电压上限小于该单向元件电路、该放电电路或该判断电路各自对应的耐受电压的绝对最大额定值之中的最小者；其中该外部电压的电压位准高于该单向元件电路、该放电电路或该判断电路各自对应的耐受电压的绝对最大额定值。9.如权利要求8所述的状态侦测电路，其中，该箝位元件为一金氧半晶体管，该金氧半晶体管具有一导通阈值电压，其中该电压上限相关于该导通阈值电压与该金氧半晶体管的使能位准。10.如权利要求9所述的状态侦测电路，其中，该金氧半晶体管的使能位准为该测试...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤俊仁，王宣凯，杨智仁，佘宪治，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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