磷化磨粒的方法、含Ni2P的磨粒及含前述磨粒的切割线技术

本发明专利技术提供一种磷化磨粒的方法、含Ni2P的磨粒及含前述磨粒的切割线。所述磷化磨粒的方法包括在磨粒的表面形成至少一含镍磷的金属层，然后进行磷化反应，以在所述至少一含镍磷的金属层的表面形成具有优异的抗腐蚀性的富磷化层。磷化层。磷化层。

【技术实现步骤摘要】
磷化磨粒的方法、含Ni2P的磨粒及含前述磨粒的切割线


[0001]本专利技术涉及一种磨线的改良技术，且特别是涉及一种磷化磨粒(abrasives)的方法、含Ni2P的磨粒及含前述磨粒的切割线(cutting wire)。

技术介绍

[0002]在现今半导体产业及太阳能产业上，硅晶片的需求越来越大。然而，在传统工艺中的晶片切割所采用的是内圆切割刀，这个方法是使用一圆形刀片，里面镶上钻石使其具有切割高硬度的硅晶片的能力。但是，这种内圆切割刀每次只能切割出一片晶片，造成产出效率太慢，晶片尺寸也会受到限制，而无法达到需求。
[0003]因此，目前使用多条钻石切割线同时进行切割。例如一次使用10条钻石线，就能一次产出10片晶片，产出效率为传统方法的十倍；依此类推。钻石切割线主要是在不锈钢线表面，通过电镀的方式同时将钻石粒和镍沉积在线上，利用镍金属包覆钻石粒并将其固定在不锈钢线表面，称为上砂(tack
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on process)。之后使用时磨掉外层的镍层，使钻石粒裸露出来，即可切割高硬度的硅晶片。
[0004]由于钻石粒本身本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磷化磨粒的方法，其特征在于，包括：在磨粒的表面形成至少一含镍磷的金属层；以及进行磷化反应，以在所述至少一含镍磷的金属层的表面形成富磷化层。2.根据权利要求1所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述磷化反应包括在惰性气体的环境下利用次磷酸盐或磷化氢进行磷化。3.根据权利要求2所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述次磷酸盐包括次磷酸钠、次磷酸钙、次磷酸镍、次磷酸铵或次磷酸钾。4.根据权利要求2所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述富磷化层的磷含量为18wt％以上。5.根据权利要求1所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述磷化反应的温度在150℃～350℃，时间为1小时至3小时。6.根据权利要求1所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述富磷化层的厚度在0.01微米～1微米之间。7.根据权利要求1所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述富磷化层包括Ni2P。8.根据权利要求1所述的磷化磨粒的方法，其特征在于，所述磨粒的材料包括天然钻石、人工钻石、氮化硼、碳化硅、碳化硼或氧化铝。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：卫子健，罗晖闳，黄颂修，
申请(专利权)人：华旭矽材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：