一种铈元素强化铼合金材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铈元素强化铼合金材料及其制备方法，涉及铼合金材料技术领域，以质量百分比计，包括如下成分制成：钼10

【技术实现步骤摘要】
一种铈元素强化铼合金材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及铼合金材料
，尤其涉及一种铈元素强化铼合金材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]MOCVD(新型气相外延生长技术)是一项重要的半导体材料和器件、薄膜的制造方法，在芯片制造行业有重要的应用，其使用的铼加热圈需要在急冷急热的条件下使用，但是铼的热膨胀系数比较高，在急冷急热时容易造成不可逆的变形，影响加热效果和使用寿命。采用现有的铼合金来替代纯铼，虽然能对上述性能加以改善，但是仍然存在高温强度不够，热膨胀系数过大，合金维氏硬度有待进一步提高的缺陷。
[0003]为了解决上述问题，专利文献CN 106756157 B提供了一种钼铼镧合金材料的制备方法，包括以下步骤：一、对钼铼镧合金材料的成分进行设计，然后按设计成分分别称取纳米氧化镧粉、铼粉和二氧化钼粉；二、再次称取纳米氧化镧粉；三、将步骤一和二所称取的纳米氧化镧粉混合均匀后加入去离子水中，分散后过滤，得到滤液；四、将铼粉加入到滤液中，分散后得到混合液，然后加入二氧化钼粉中；五、利用氢气进行还原，得到还原物料，筛分后混料，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铈元素强化铼合金材料，其特征在于，以质量百分比计，包括如下成分制成：氧化铈0.01
‑
4wt％，余量为铼及其它不可避免的杂质。2.根据权利要求1所述的铈元素强化铼合金材料，其特征在于，还包括如下成分：钼10
‑
25wt％、镍0.5
‑
1.2wt％、锰1
‑
3wt％、铱0.2
‑
0.5wt％、铟0.003
‑
0.008wt％、钽0.01
‑
0.04wt％、铝1
‑
3wt％、钪0.05
‑
0.15wt％、钨0.2
‑
0.6wt％、、其它稀土元素0.005
‑
0.01wt％、纳米填料0.001
‑
0.004wt％；所述其它稀土元素为铈、镝、钕按质量比(2
‑
4):(0.5
‑
1.1):(0.1
‑
0.3)混合形成的混合物。3.根据权利要求1所述的铈元素强化铼合金材料，其特征在于，所述纳米填料的粒径为30
‑
90nm；所述纳米填料为氧化锆、碳化硼、硼化硅按质量比(1
‑
3):1:(0.8
‑
1.2)混合形成的混合物。4.根据权利要求1所述的铈元素强化铼合金材料，其特征在于，所述铈元素强化铼合金材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1、球...

【专利技术属性】
技术研发人员：张扬英，钟玉，
申请(专利权)人：诸暨弘德新材料有限公司，
类型：发明
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