一种适用于切槽单色晶体内侧面加工的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种适用于切槽单色晶体内侧面加工的装置，其特征在于，包括外置驱动大磁铁(4)，插板(5)，小磨头(7)和料槽(8)；所述料槽(8)，用于盛放研磨液或抛光液；所述插板(5)设置在所述料槽(8)的侧壁上，用于与待加工的切槽单色晶体连接，将所述切槽单色晶体固定在所述料槽(8)的内壁上；所述外置驱动大磁铁(4)位于所述料槽(8)的外部，所述小磨头(7)包括磁铁(9)和覆盖层(10)；所述覆盖层(10)设置于所述磁铁(9)上；所述外置驱动大磁铁(4)，用于产生梯度磁场带动所述小磨头(7)转动，实现用于对所述切槽单色晶体的内侧面进行研磨或抛光。本装置具有高度的灵活性和可控性。本装置具有高度的灵活性和可控性。本装置具有高度的灵活性和可控性。

【技术实现步骤摘要】
SPIE Optical Engineering+Applications
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San Diego,California,United States(Sunday 9August 2015)]Advances in Laboratory
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based X
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Ray Sources,Optics,and Applications IV
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The best of both worlds:automated CMP polishing of channel
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cut monochromators[J].2015；Kasman,Elina,Montgomery,et al.Strain
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free polished channel
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cut crystal monochromators:a new approach and results[C],2017。
[0009]大阪大学及Spring
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8的Takashi Hirano等人在2016年利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于切槽单色晶体内侧面加工的装置，其特征在于，包括外置驱动大磁铁(4)，插板(5)，小磨头(7)和料槽(8)；所述料槽(8)，用于盛放研磨液或抛光液；所述插板(5)设置在所述料槽(8)的侧壁上，用于与待加工的切槽单色晶体连接，将所述切槽单色晶体固定在所述料槽(8)的内壁上；所述外置驱动大磁铁(4)位于所述料槽(8)的外部，所述小磨头(7)包括磁铁(9)和覆盖层(10)；所述覆盖层(10)设置于所述磁铁(9)上；所述外置驱动大磁铁(4)，用于产生梯度磁场带动所述小磨头(7)转动，实现用于对所述切槽单色晶体的内侧面进行研磨或抛光。2.根据权利要求1所述的适用于切槽单色晶体内侧面加工的装置，其特征在于，所述外置驱动大磁铁(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪振，刁千顺，李明，刘鹏，姜永诚，陶冶，盛伟繁，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：新型
国别省市：