光器件制造技术

一种光器件包括基板、层压在基板的一个表面上的第一包覆层、以及形成在第一包覆层中的位于基板的相对侧的第一包覆层中的第一光波导。该光器件还包括层压在第一包覆层的位于基板的相对侧的表面上的电光晶体层以及在电光晶体层的位于第一包覆层的相对侧的表面上由电光晶体层形成的第二光波导。该光器件还包括层压在电光晶体层的位于第一包覆层的相对侧的表面上的第二包覆层。的表面上的第二包覆层。的表面上的第二包覆层。

【技术实现步骤摘要】
光器件


[0001]本文讨论的实施方式涉及光器件。

技术介绍

[0002]硅光子组件由于芯层与包层之间的折射率差大而能够将光强烈地约束在微小区域内，因此可以有效地实现诸如光调制器、光接收元件、相位控制元件或偏振复用器/解复用器之类的各种硅光元件的小型化和高集成度。然而，普通的硅光调制器例如是具有掺杂PN结的载流子控制型，因此存在进一步扩展调制带宽的问题。
[0003]为了解决该问题，例如，使用具有电光效应的诸如铌酸锂(LiNbO3：LN)之类的电光晶体的光调制器能够扩展调制带宽并防止吸收损失，使得可以实现高性能的光调制器。然而，将除了光调制器之外的诸如光接收元件、相位控制元件或偏振复用器/解复用器之类的硅光元件集成到电光晶体中是很困难的。
[0004]因此，近年来，其中组合有硅光子组件和具有电光效应的晶体的混合光器件受到关注。在混合光器件中，需要实现硅光子组件的高集成度和具有电光效应的晶体的高调制特性的光器件。
[0005]在传统光器件中，具有电光效应的电光晶体层层压在预先形成的硅光子组件中的缓冲层上，由电光晶体制成的光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光器件，该光器件包括：基板；第一包覆层，该第一包覆层层压在所述基板的一个表面上；第一光波导，该第一光波导形成在所述第一包覆层中的位于所述基板的相对侧的第一包覆层中；电光晶体层，该电光晶体层层压在所述第一包覆层的位于所述基板的相对侧的表面上；第二光波导，该第二光波导在所述电光晶体层的位于所述第一包覆层的相对侧的表面上由所述电光晶体层形成；以及第二包覆层，该第二包覆层层压在所述电光晶体层的位于所述第一包覆层的相对侧的表面上。2.根据权利要求1所述的光器件，其中，所述第一包覆层包括：缓冲层，该缓冲层层压在所述基板的一个表面上；以及中间层，该中间层层压在位于所述基板的相对侧的缓冲层上，所述第一光波导形成在所述中间层的与所述缓冲层接触的表面上，并且所述电光晶体层层压在所述中间层的位于所述缓冲层的相对侧的表面上。3.根据权利要求1所述的光器件，该光器件还包括：至少一个硅组件，所述至少一个硅组件布置在所述第一光波导和所述基板之间的第一包覆层中。4.根据权利要求3所述的光器件，其中，所述硅组件是对穿过所述第一光波导的光信号进行电转换的光接收元件。5.根据权利要求3所述的光器件，其中，所述硅组件是通过对所述第一光波导进行加热的加热器来控...

【专利技术属性】
技术研发人员：牧野俊太郎，仓桥辉雄，久保田嘉伸，吉田宽彦，三田村宣明，田中刚人，
申请(专利权)人：富士通光器件株式会社，
类型：发明
国别省市：