一种液口距测量方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种液口距测量方法和装置，涉及单晶硅直拉法生长技术领域，该方法包括：获取第一位置对应的第一埚位、第一投料量和第一倒影面积；确定出与第一埚位、第一投料量和第一倒影面积对应的第一液口距补偿值，以及，获取第一液口距像素；获取第二位置对应的第二埚位、第二投料量和第二倒影面积；确定出与第二埚位、第二投料量和第二倒影面积对应的第二液口距补偿值，以及，获取第二液口距像素；基于第一埚位、第二埚位、第一液口距像素，以及第二液口距像素确定出液口距像素斜率；基于第一液口距补偿值、第一液口距像素和液口距像素斜率确定出炉台的液口距。本发明专利技术实施例通过视觉算法即可确定出炉台的液口距。施例通过视觉算法即可确定出炉台的液口距。施例通过视觉算法即可确定出炉台的液口距。

【技术实现步骤摘要】
一种液口距测量方法和装置


[0001]本专利技术涉及单晶硅直拉法生长
，特别是涉及一种液口距测量方法和一种液口距测量装置。

技术介绍

[0002]单晶生长过程中，获取炉台的真实液口距对拉晶已有工艺的优化、新工艺的突破及现场标准化管理等都有很重要的意义，如何获取炉台真实液口距迫在眉睫。
[0003]在直拉法等径工步中，液口距是一个很重要的参数，它决定着晶体纵向生长速度、晶体外观形状以及会影响晶体品质。所以在等径前中后的不同阶段有着不同液口距的工艺要求。
[0004]目前，通过采用过激光位移传感器、红外测距及籽晶晶体位置标定等多个方法尝试测量真实液口距，测量结果偏差较大，无法满足需求。

技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种液口距测量方法和相应的一种液口距测量装置。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种液口距测量方法，所述方法包括：
[0007]获取第一位置对应的第一埚位、第一投料量和第一倒影面积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液口距测量方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一位置对应的第一埚位、第一投料量和第一倒影面积；确定出与所述第一埚位、第一投料量和第一倒影面积对应的第一液口距补偿值，以及，获取第一液口距像素；获取第二位置对应的第二埚位、第二投料量和第二倒影面积；确定出与所述第二埚位、第二投料量和第二倒影面积对应的第二液口距补偿值，以及，获取第二液口距像素；基于所述第一埚位、所述第二埚位、所述第一液口距像素，以及所述第二液口距像素确定出液口距像素斜率；基于所述第一液口距补偿值、所述第一液口距像素和所述液口距像素斜率确定出炉台的液口距。2.根据权利要求1所述的液口距测量方法，其特征在于，所述确定出与所述第一埚位、第一投料量和第一倒影面积对应的第一液口距补偿值，包括：从预设的映射表中检索出与所述第一埚位、第一投料量和第一倒影面积对应的第一液口距补偿值；所述映射表包括至少一条映射链，所述映射链包括投料量、埚位、倒影面积和液口距补偿值之间的映射关系；所述确定出与所述第二埚位、第二投料量和第二倒影面积对应的第二液口距补偿值，包括：从所述映射表中检索出与所述第二埚位、第二投料量和第二倒影面积对应的第二液口距补偿值。3.根据权利要求1所述的液口距测量方法，其特征在于，所述基于所述第一埚位、所述第二埚位、所述第一液口距像素，以及所述第二液口距像素确定出液口距像素斜率，包括：计算所述第一埚位与所述第二埚位的第一差值，以及，所述第一液口距像素与所述第二液口距像素的第二差值；计算所述第一差值与所述第二差值的比值，得到液口距像素斜率。4.根据权利要求2所述的液口距测量方法，其特征在于，所述映射表通过如下方式生成：针对至少两个预设埚位中的任一埚位，获取所述任一埚位时的当前投料量、当前倒影图像和当前液口距；基于所述当前倒影图像和所述当前液口距确定出当前液口距补偿值；生成所述当前投料量、当前倒影图像、当前液口距和当前液口距补偿值之间的映射关系，得到所述任一埚位的映射链；重复执行针对至少两个预设埚位中的任一埚位，获取所述任一埚位时的当前投料量、当前倒影图像和当前液口距；基于所述当前倒影图像和所述当前液口距确定出当前液口距补偿值；生成所述当前投料量、当前倒影图像、当前液口距和当前液口距补偿值之间的映射关系，得到所述任一埚位的映射链，直至全部预设埚位生成对应的映射链，得到所述映射表...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭力，张伟建，杜婷婷，杨正华，武高峰，马宝，王正远，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：