正型抗蚀剂材料及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及正型抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明专利技术的课题是提供酸的扩散受到控制，具有优于已知的正型抗蚀剂材料的分辨率，边缘粗糙度、尺寸偏差小，且曝光后的图案形状良好的正型抗蚀剂材料及图案形成方法。该课题的解决手段为一种正型抗蚀剂材料，含有末端被下式(a)

【技术实现步骤摘要】
正型抗蚀剂材料及图案形成方法


[0001]本专利技术关于正型抗蚀剂材料及图案形成方法。
现有技术
[0002]伴随LSI的高集成化与高速化，图案规则的微细化也在急速进展。原因是5G的高速通信与人工智能(artificial intelligence，AI)的普及进展，用以处理它们的高性能器件已成为必要所致。就最先进的微细化技术而言，利用波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻所为的5nm节点的器件的量产已在进行。此外，在下一代的3nm节点、下下一代的2nm节点器件中，使用了EUV光刻的探讨也在进行。
[0003]伴随微细化的进行，因酸的扩散所致的图像的模糊也成为问题。为了确保在尺寸大小45nm以下的微细图案的分辨率，有人提出不仅已知已提出的溶解对比度的改善，还有酸扩散的控制亦为重要(非专利文献1)。但是，化学增幅抗蚀剂材料是利用酸的扩散来提高感度及对比度，故若降低曝光后烘烤(PEB)温度、或缩短时间来使酸扩散被抑制到极限的话，则感度及对比度会显著降低。
[0004]添加会产生体积庞大的酸的酸产生剂来抑制酸扩散为有效的。于是，有人本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种正型抗蚀剂材料，含有：末端被下式(a)
‑
1～(a)
‑
3中任一者表示的基团封端而成的基础聚合物；式中，X1为碳数1～20的亚烃基，且该亚烃基也可含有选自羟基、醚键、酯键、碳酸酯键、氨基甲酸酯键、内酯环、磺内酯环、硝基、氰基、氮原子及卤素原子中的至少1种；R1为氢原子或碳数1～12的烃基；X1及R1也可互相键结并和它们键结的氮原子一起形成碳数2～10的脂环；R2～R4分别独立地为碳数1～4的烷基；又，R2及R3也可互相键结并和它们键结的碳原子一起形成环；R5、R6及R7分别独立地为碳数1～8的脂肪族烃基或碳数6～10的芳基，且该脂肪族烃基及芳基也可含有选自醚键、酯键、硝基、卤素原子及三氟甲基中的至少1种；R
N1
及R
N2
分别独立地为氢原子、碳数1～10的烷基或碳数2～10的烷氧基羰基，且该烷基及烷氧基羰基也可含有醚键；圆R
a
为和式中的氮原子一起构成的碳数2～10的脂环族基团；虚线为原子键。2.根据权利要求1所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物包含具有羧基的氢原子被酸不稳定基团取代而成的重复单元b1或酚性羟基的氢原子被酸不稳定基团取代而成的重复单元b2的基础聚合物。3.根据权利要求2所述的正型抗蚀剂材料，其中，重复单元b1为下式(b1)表示者，且重复单元b2为下式(b2)表示者；
式中，R
A
分别独立地为氢原子或甲基；Y1为单键、亚苯基或亚萘基、或含有选自酯键、醚键及内酯环中的至少1种的碳数1～12的连接基团；Y2为单键、酯键或酰胺键；Y3为单键、醚键或酯键；R
11
及R
12
分别独立地为酸不稳定基团；R
13
为氟原子、三氟甲基、氰基或碳数1～6的饱和烃基；R
14
为单键或碳数1～6的烷二基，且该烷二基也可含有醚键或酯键；a为1或2；b为0～4的整数；但，1≤a+b≤5。4.根据权利要求1至3中任一项所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物为更包含含有选自羟基、羧基、内酯环、碳酸酯基、硫代碳酸酯基、羰基、环状缩醛基、醚键、酯键、磺酸酯键、氰基、酰胺键、
‑
O
‑
C(＝O)
‑
S
‑
及
‑
O
‑
C(＝O)
‑
NH
‑
的密合性基团的重复单元c者。5.根据权利要求1至3中任一项所述的正型抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物为更包含下式(d1)～(d3)中任一者表示的重复单元者；式中，R
A
分别独立地为氢原子或甲基；Z1为单键、碳数1～6的脂肪族亚烃基、亚苯基、亚萘基或将它们组合而得的碳数7～18的基团、或
‑
O
‑
Z
11
‑
、
‑
C(＝O)
‑
O
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山润，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：