一种发音单元及音响设备制造技术

本申请实施例提供一种发音单元及音响设备，其中，发音单元包括：振膜，振膜呈第一结构，第一结构具有至少一个发声腔，发声腔具有开口；振膜上设有多个磁极对应区及通电电路；多个磁体，多个磁体呈与第一结构匹配的第二结构排列；多个磁体分别对应磁极对应区设置，通电电路位于相邻且朝向振膜的磁极相反的两个磁体之间。本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜在磁体的磁场作用下产生振动时，向发声腔内及向发声腔外振动，振膜前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。单一发音元件实现全音域的覆盖。单一发音元件实现全音域的覆盖。

【技术实现步骤摘要】
一种发音单元及音响设备


[0001]本申请涉及发声设备
，尤其涉及一种发音单元及音响设备。

技术介绍

[0002]传统音箱在设计上一般是通过磁场中的导电线圈带动纸盆振动产生声音，将电流转换为声音信号。但纸盆在振动过程中会消耗大量的能量用来抵消惯性，所以对于振动频率较高的信号，纸盆的能力受到限制，所以这样的属性就导致该设计更适用于低音信号。
[0003]现有技术中利用多个发音元件，通过分频器分频得到能够覆盖更全音域的扬声器，但是，不同发音元件在材料结构上的复杂性以及不一致性，使得最终得到的音响构造复杂，且音频曲线并不完美。且传统音响依靠大箱体来更好地吸音以实现更好的音质效果，但在很多场景中(例如车载)无法实现。
[0004]申请内容
[0005]为解决或改善上述问题，本申请实施例提供了一种发音单元及音响设备。
[0006]在本申请的一个实施例中提供了一种发音单元，包括：
[0007]振膜，所述振膜呈第一结构，所述第一结构具有至少一个发声腔，所述发声腔具有开口；所述振膜上设有多个磁极对应区及通电电路；
[0008]多个磁体，多个所述磁体呈与所述第一结构匹配的第二结构排列；多个所述磁体分别对应所述磁极对应区设置，所述通电电路位于相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体之间。
[0009]可选地，还包括箱体，所述箱体呈配合所述第一结构的第三结构，所述振膜与所述磁体均设置在所述箱体上；
[0010]所述箱体上设有密封结构，所述密封结构密封所述发声腔的开口，以使所述发声腔呈封闭结构，所述振膜发出的声音从所述发声腔外侧传出；或者，
[0011]所述密封结构设置在所述发声腔的外侧，以使所述发声腔的开口呈敞开状态，所述振膜发出的声音从所述发声腔的开口传出。
[0012]可选地，多个所述磁体中包括多个第一子磁体及多个第二子磁体，所述第一子磁体朝向所述振膜的磁极与所述第二子磁体朝向所述振膜的磁极相反；
[0013]多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧；或者，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔且交错设置在所述振膜的相背的两侧。
[0014]可选地，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧时，所述第一子磁体与所述第二子磁体之间设有隔音结构。
[0015]可选地，多个所述磁体中包括多个磁体组，每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体，且每一对所述磁体之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置通电间隙；
[0016]所述振膜穿设于所述对置间隙中，所述通电电路设置于所述通电间隙中。
[0017]可选地，所述第一结构包括筒状结构、球状结构、U型结构、矩形结构、C型结构、J型结构、B型结构及S型结构中的一种；或者
[0018]所述第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，所述筒状结构段的至少一端设有所述半球形结构段。
[0019]可选地，还包括多个导磁件，所述导磁件与相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体分别连接。
[0020]可选地，所述振膜包括：
[0021]至少一个绝缘膜，所述绝缘膜上设有磁极对应区；
[0022]多个导电膜，每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区；
[0023]多个连通件，多个所述导电膜通过多个所述连通件串联，以形成通电电路。
[0024]可选地，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；
[0025]多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者
[0026]多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜，多个所述第一子膜设置在所述第一面上，多个所述第二子膜设置在所述第二面上，所述第一子膜与所述第二子膜间隔设置。
[0027]可选地，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个导电膜设置在两个所述绝缘膜之间。
[0028]可选地，相邻的两个所述导电膜之间设置绝缘结构。
[0029]可选地，所述绝缘膜包括多个，多个所述绝缘膜与多个所述导电膜依次间隔连接。
[0030]可选地，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面，及设置位于所述第一面与所述第二面之间的侧面；
[0031]多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者，多个所述导电膜均与所述侧面连接；或者，所述导电膜的两侧分别设置有绝缘膜，所述导电膜与其中一个所述绝缘膜的所述第一面连接，与另一个所述绝缘膜的所述第二面连接。
[0032]可选地，所述连通件包括设置在所述绝缘膜上的连通膜；或者
[0033]所述连通件包括导电线。
[0034]可选地，所述导电膜上设有反馈导线，所述反馈导线沿所述通电电路中电流流动的方向延伸。
[0035]可选地，每个所述导电膜包括多个分段膜，多个所述分段膜均沿着所述通电电路中电流的流动方向延伸；
[0036]从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜间隔分布。
[0037]可选地，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；
[0038]多个所述分段膜均与所述第一面连接，相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构；或者
[0039]多个所述分段膜中包括多个第一子段膜及多个第二子段膜，多个所述第一子段膜设置在所述第一面上，多个所述第二子段膜设置在所述第二面上，所述第一子段膜与所述第二子段膜间隔设置。
[0040]可选地，所述绝缘膜包括层叠设置的两个，多个分段膜设置在两个所述绝缘膜之间。
[0041]可选地，相邻的两个所述分段膜之间设置绝缘结构。
[0042]可选地，从一个所述磁极对应区到另一个所述磁极对应区方向，多个所述分段膜的尺寸相等，或者，越靠近所述磁极对应区，所述分段膜的尺寸越大。
[0043]相应地，本申请实施例还提供了一种音响设备，包括：设备主体及设置在所述设备主体上的如上述中所述的发音单元。
[0044]另外，可选地，还包括信号输入电路、信号放大器及反馈电路；
[0045]所述信号输入电路与所述信号放大器连接，所述信号放大器与所述发音单元连接；
[0046]所述反馈电路分别与所述发音单元内的导电膜上的反馈导线及所述信号放大器连接，用于向所述信号放大器反馈所述发音单元内的振膜的振动频率。
[0047]本申请实施例提供的技术方案中，通电的振膜在磁体的磁场作用下产生振动时，向发声腔内及向发声腔外振动，振膜前后的声波不会抵消，从而低音不会有损失，可以用较小的体积及单一发音元件实现全音域的覆盖。
附图说明
[0048]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发音单元，其特征在于，包括：振膜，所述振膜呈第一结构，所述第一结构具有至少一个发声腔，所述发声腔具有开口；所述振膜上设有多个磁极对应区及通电电路；多个磁体，多个所述磁体呈与所述第一结构匹配的第二结构排列；多个所述磁体分别对应所述磁极对应区设置，所述通电电路位于相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体之间。2.根据权利要求1所述的发音单元，其特征在于，还包括箱体，所述箱体呈配合所述第一结构的第三结构，所述振膜与所述磁体均设置在所述箱体上；所述箱体上设有密封结构，所述密封结构密封所述发声腔的开口，以使所述发声腔呈封闭结构，所述振膜发出的声音从所述发声腔外侧传出；或者，所述密封结构设置在所述发声腔的外侧，所述发声腔的开口呈敞开状态，所述振膜发出的声音从所述发声腔的开口传出。3.根据权利要求1所述的发音单元，其特征在于，多个所述磁体中包括多个第一子磁体及多个第二子磁体，所述第一子磁体朝向所述振膜的磁极与所述第二子磁体朝向所述振膜的磁极相反；多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧；或者，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔且交错设置在所述振膜的相背的两侧。4.根据权利要求3所述的发音单元，其特征在于，多个所述第一子磁体与多个所述第二子磁体间隔设置在所述振膜的同一侧时，所述第一子磁体与所述第二子磁体之间设有隔音结构。5.根据权利要求1所述的发音单元，其特征在于，多个所述磁体中包括多个磁体组，每个所述磁体组包括一对同极对置的磁体，且每一对所述磁体之间具有对置间隙，相邻且对置的磁极相反的两个所述磁体组之间设置通电间隙；所述振膜穿设于所述对置间隙中，所述通电电路设置于所述通电间隙中。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发音单元，其特征在于，所述第一结构包括筒状结构、球状结构、U型结构、矩形结构、C型结构、J型结构、B型结构及S型结构中的一种；或者所述第一结构包括筒状结构段及半球形结构段，所述筒状结构段的至少一端设有所述半球形结构段。7.根据权利要求1至5中任一项所述的发音单元，其特征在于，还包括多个导磁件，所述导磁件与相邻且朝向所述振膜的磁极相反的两个磁体分别连接。8.根据权利要求1至5中任一项所述的发音单元，其特征在于，所述振膜包括：至少一个绝缘膜，所述绝缘膜上设有磁极对应区；多个导电膜，每个所述导电膜至少与一个所述绝缘膜连接，多个导电膜间隔设置，每个所述导电膜的两侧分别设有所述磁极对应区；多个连通件，多个所述导电膜通过多个所述连通件串联，以形成通电电路。9.根据权利要求8所述的发音单元，其特征在于，所述绝缘膜包括一个，所述绝缘膜包括相背设置的第一面及第二面；多个所述导电膜均与所述第一面连接；或者多个所述导电膜中包括多个第一子膜及多个第二子膜，多个所述第一子膜设置在所述
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【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，袁泉，刘倩，
申请(专利权)人：天津大觥科技有限公司，
类型：发明
国别省市：