一种基于24VEPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法技术方案

本发明专利技术属于汽车制造技术领域,涉及一种基于24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法，通过采用MOSFET栅极电荷和工作频率的MOSFET驱动器功耗、根据MOSFET所需的导通和截止时间，将MOSFET驱动器的电流驱动能力与MOSFET栅极电荷相匹配，解决了24V EPS系统中MOSFET与MOSFET驱动器匹配问题，提高了24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET的匹配度，进而提高了驱动电机的效率和电机控制的稳定性，提高了MOSFET驱动器的驱动能力；因此，本发明专利技术解决了24V EPS系统MOSFET驱动器的电流驱动能力不足的问题并且降低了24V EPS系统MOSFET驱动器的功耗。器的功耗。器的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种基于24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法


[0001]本专利技术属于汽车制造
，涉及一种基于24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法。

技术介绍

[0002]随着汽车逐渐走向电动化、智能化，汽车底盘领域中的转向系统也在逐渐走向电动化与智能化。对于助力转向系统而言，由之前的传统机械助力系统演化到目前的电子助力系统，对于电子助力转向系统的电机控制器来讲，使用效果最好的就是由MOSFET搭建的逆变全桥电机驱动电路。但是，由于高端MOSFET的S极为浮地，在整个工作过程中电压一直变化，因此需专用的驱动电路，保证高端MOSFET的GS极电压可以达到开启电压。
[0003]在对MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计过程中，大部分设计者都只会关注MOSFET自身的参数，这样的电机驱动电路虽然也可以工作，但并不是最优方案。原因在于，一般情况下，在24V EPS系统中，MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计通常只考虑MOSFET的开启电压、导通电阻、最大电压、最大电流、管芯尺寸等参数，通过这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于24V EPS系统MOSFET驱动器与MOSFET匹配的方法，其特征在于，所述方法中，电机控制部分为24V EPS系统，所述电机控制部分通过MOSFET驱动器驱动由6个MOSFET组成的全桥逆变电路来实现EPS电机控制的功能；所述方法包括如下步骤：步骤一：根据下列公式(1)计算出MOSFET驱动器的功率损耗，进而利用计算值选择所需的MOSFET驱动器封装和计算结温；P
C ＝ Q
G
×
V
DD
ꢀ×ꢀ
F
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)；式中，P
C
表示MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗，Q
G
表示MOSFET的总栅极电容，V
DD
表示MOSFET驱动器驱动电压，F表示开关频率；步骤二：根据下列公式(2)计算出MOSFET驱动器的峰值驱动电流，进而根据计算值选择所需的MOSFET驱动器的峰值驱动电流；式中，I表示MOSFET驱动器的峰值驱动电流，Q表示MOSFET的总栅极电荷，d
T
表示MOSFET的导通/截至时间；步骤三：根据步骤一得出...

【专利技术属性】
技术研发人员：何连海，刘永星，马嘉，雷帅，吕欣悦，许斌，
申请(专利权)人：陕西万方汽车零部件有限公司，
类型：发明
国别省市：