具有Δ基极-发射极电压放大和数字曲率校正的温度传感器制造技术

本公开涉及具有Δ基极

【技术实现步骤摘要】
具有
Δ
基极
‑
发射极电压放大和数字曲率校正的温度传感器


[0001]本公开一般涉及电子设备，更具体地，涉及用于电子设备的温度传感器。

技术介绍

[0002]温度对电子设备有重大影响。例如，温度会影响系统性能和/或部件的预期寿命。准确测量和监测温度可以使电子系统补偿其影响并防止过热问题。
[0003]温度传感器可以由半导体器件制成，例如双极结晶体管(BJT)。BJT器件可以包括发射极区、基极区和集电极区。由于BJT器件处的正向偏置基极
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发射极结电压(VBE)的已知温度和电流依赖性，BJT设备可适合于温度测量。例如，可以通过在具有已知比率的两个不同偏置电流下减去两个VBE电压来从BJT器件获得温度测量。两个VBE之间的差异与BJT器件的绝对温度(PTAT)成比例。基极
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发射极电压差也可以称为ΔVBE。
附图说明
[0004]为了更全面地理解本公开及其特征和优点，结合附图参考以下描述，其中相同的附图标记表示相同的部件，其中：/>[0005]图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度传感器装置，包括：模拟温度传感器电路，用于产生指示温度的多个电压；模数转换器(ADC)，设置在所述模拟温度传感电路的下游；设置在所述ADC之前的开关电容器放大器电路，所述开关电容器放大电路包括单端放大器；和第一开关，耦合在所述模拟温度传感器电路和所述开关电容器放大器电路之间。2.权利要求1所述的温度传感器装置，其中所述开关电容器放大器电路还包括:第一电容器，经由所述第一开关耦合在所述第一开关和所述单端放大器的第一输入之间；和第二电容器，耦合在所述单端放大器的第一输入和输出之间。3.权利要求2所述的温度传感器装置，其中所述开关电容器放大器电路还包括:第二开关，耦合在所述单端放大器的第一输入和输出之间；和第三开关，耦合在所述第一电容器和所述单端放大器的第二输入之间。4.权利要求1所述的温度传感器装置，其中:所述模拟温度传感器电路还包括：晶体管，包括基极、发射极和集电极；和多个电流源和多个开关，用于选择性地向所述晶体管提供第一电流量和第二电流量，所述晶体管产生响应于所述第一电流量的第一基极
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发射极电压和响应于所二电流量的第二基极
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发射极电压，并且所述多个电压包括所述第一基极
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发射极电压和所述第二基极
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发射极电压；和所述开关电容器放大器电路相对于公共电压放大所述第一基极
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发射极电压和所述第二基极
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发射极电压中的每一个。5.权利要求4所述的温度传感器装置，还包括：偏置电路，包括：另一晶体管，包括基极、耦合到所述单端放大器的第二输入的发射极、和集电极；和另一电流源，用于向所述另一晶体管提供第三电流量，其中所述另一晶体管响应于所述第三电流量产生第三基极
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发射极电压，并且其中所述第三基极
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发射极电压作为所述公共电压提供给所述开关电容器放大器电路。6.权利要求4所述的温度传感器装置，其中:ADC将放大的第一基极
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发射极电压转换为第一数字值，并将放大的第二基极
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发射极电压转换成第二数字值；和所述温度传感器装置还包括：处理电路，用于至少部分地基于所述第一数字值、所述第二数字值和与数字带隙参考的至少倒数相关联的预定缩放因子来计算温度值。7.权利要求6所述的温度传感器装置，还包括：存储器，用于存储与所述数字带隙参考的至少倒数相关联的预定缩放因子。8.权利要求6所述的温度传感器装置，其中所述处理电路还通过预定的数字温度相关补偿值来调节所述温度值。9.权利要求8所述的温度传感器装置，还包括：
存储器，用于存储包括所述预定温度相关补偿值的多个数字温度相关补偿数值。10.权利要求1所述的温度传感器装置，还包括：多路复用器，具有耦合到所述开关电容器放大器电路和所述模拟温度传感器电路的输入、和耦合到ADC的输出。11.一种集成电路装置，包括：温度测量系统，包括：模拟温度传感器电路，用于产生指示温度的多个电压；开关电容器放大器电路，包括单端放大器，用于相对于公共电压放大所述多个电压；第一开关，耦合在所述模拟温度传感器电路和所述开关电容器放大器电路之间；和数字计算电路，用于基于所述多个放大电压计算温度值；和组件；和处理器，用于：接收所计算的温度值的指示；和响应于所述指示来调整所述组件的操作。12.权利要求11所述的集成电路装置，其中:所述模拟温度传感器电路包括：晶体管，包括基极、发射极和集电极；和多个电流源，用于向所述晶体管提供第一电流量的N个实例和第二电流量，其中所述第二电流量是所述第一电流量的N倍，并且其中所述晶体管响应于所述第一电流量的N个实例中的每一个实例产生相应的第一基极
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发射极电压，并且响应于所述第二电流量产生相应的第二基极
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发射极电压；和所述开关电容器放大器电路相对于公共电压放大所述第一基极
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发射极电压和...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：