有机发光显示装置制造方法及图纸

一种有机发光显示装置，包括具有显示区域和非显示区域的基板，在所述显示区域中的驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管；以及所述显示区域中的有机发光器件，其中所述驱动薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管分别包括氧化物半导体层，并且其中包括突起图案的表面处理层在所述驱动薄膜晶体管的所述氧化物半导体层的上表面上。层的上表面上。层的上表面上。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示装置


[0001]本公开涉及有机发光显示装置，并且具体地，涉及通过调节多个薄膜晶体管中的特定薄膜晶体管的S因子而能够实现良好的灰度表现和快速的开关速率的有机发光显示装置。

技术介绍

[0002]随着多媒体的发展，平板显示器的重要性在增加。作为这样的平板显示装置，诸如液晶显示装置、等离子体显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置已经商业化。在这些平板显示装置中，由于高响应速度、高亮度和良好的视角，目前广泛使用有机发光显示装置。
[0003]在有机发光显示装置中，多个像素排列成矩阵形状，并且有机发光器件和薄膜晶体管设置在每个像素中。薄膜晶体管包括多个薄膜晶体管，例如用于提供驱动电流以操作有机发光二极管的驱动TFT和用于向驱动薄膜晶体管提供选通信号的开关薄膜晶体管。
[0004]由于有机发光显示装置的多个薄膜晶体管执行不同的功能，根据不同功能的电特性也必须彼此不同。为了改变设置在像素中的多个薄膜晶体管的电特性，必须在像素中形成具有不同结构的多个薄膜晶体管，或者必须在像素中形成由不同半导体材料制成的多个薄膜晶体管。然而，在这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：基板，所述基板包括显示区域和非显示区域；所述显示区域中的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管；以及所述显示区域中的有机发光器件，所述有机发光器件电连接到所述驱动薄膜晶体管，其中，所述驱动薄膜晶体管包括第一氧化物半导体层，并且所述开关薄膜晶体管包括第二氧化物半导体层，并且其中，包括突起图案的表面处理层位于所述驱动薄膜晶体管的所述第一氧化物半导体层的表面上，并且所述开关薄膜晶体管的所述第二氧化物半导体层在所述第二氧化物半导体层的表面上不具有所述表面处理层。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一氧化物半导体层包括第一沟道区、所述第一沟道区的第一侧处的第一源极区、以及所述第一沟道区的与所述第一沟道区的第一侧相对的第二侧处的第一漏极区，并且所述驱动薄膜晶体管还包括：所述第一氧化物半导体层上的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的第一栅极；所述第一栅极上的钝化层；以及所述钝化层上的第一源极和第一漏极。3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述第二氧化物半导体层包括第二沟道区、在所述第二沟道区的第一侧处的第二源极区以及在所述第二沟道区的与所述第二沟道区的第一侧相对的第二侧处的第二漏极区，并且所述第一栅极绝缘层位于所述第二氧化物半导体层上，所述开关薄膜晶体管还包括：所述第一栅极绝缘层上的第二栅极、所述第二栅极上的所述钝化层；以及所述钝化层上的第二源极和第二漏极。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述表面处理层位于所述第一氧化物半导体层的整个上表面上。5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述表面处理层位于所述第一氧化物半导体层的所述第一沟道区的上表面上，但不位于所述第一氧化物半导体层的所述第一源极区的上表面和所述第一漏极区的上表面上。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述表面处理层与所述第一氧化物半导体层是一体的。7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置进一步包括：所述基板与所述第一氧化物半导体层之间以及所述基板与所述第二氧化物半导体层之间的第一缓冲层。8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中，与所述第一氧化物半导体层的所述表面处理层交叠的所述第一缓冲层的上表面包括另一突起图案。9.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，与所述表面处理层交叠的所述第一栅极绝缘层的上表面和所述第一栅极的上表面中的每一个包括各自的突起图案。10.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置进一步包括：在所述第一氧化物半导体层和所述基板之间的第一下阻挡金属层；以及在所述第二氧化物半导体层和所述基板之间的第二下阻挡金属层。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置进一步包括：所述非显示区域中的选通驱动薄膜晶体管。12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述选通驱动薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：延得豪，吴锦美，高宣煜，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：