一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置，涉及真空镀膜设备技术领域，包括栅格式离子源装置主体，所述栅格式离子源装置主体的正面固定安装有控制面板，所述栅格式离子源装置主体的上端固定安装有支撑架，且支撑架的上端固定安装有第一支撑横板，所述栅格式离子源装置主体的右端固定安装有出料阀口，所述栅格式离子源装置主体的下端固定安装有支撑腿。本实用新型专利技术通过第二支撑横板和密封橡胶元件的设置，可以在上下移动的过程中对内壁进行清理，从而方便下次的使用，另外在镀膜的过程中对镀膜的物料起到支撑的作用，根据伸缩杆、弹簧元件和支撑底座的设置，可以在使用的过程中对第二支撑横板起到支撑的作用，方便对内部的物件进行镀膜。对内部的物件进行镀膜。对内部的物件进行镀膜。

【技术实现步骤摘要】
一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置


[0001]本技术涉及真空镀膜设备
，具体涉及一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置。

技术介绍

[0002]真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上，在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜，虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜，在镀膜机使用的过程中容易使得一些杂质残留在内部，不方便进行清理，容易造成对内部的污染。针对现有技术存在以下问题：
[0003]现有的一些真空镀膜的栅格式离子源装置在镀膜之后容易对内部残留一些杂质，且不方便进行清理，堆积在内部，造成对内部的污染。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置，其中一种目的是为了解决一些真空镀膜的栅格式离子源装置在镀膜之后容易对内部残留一些杂质，且不方便进行清理，堆积在内部，造成对内部的污染问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置，包括栅格式离子源装置主体(1)，其特征在于：所述栅格式离子源装置主体(1)的正面固定安装有控制面板，所述栅格式离子源装置主体(1)的上端固定安装有支撑架(2)，且支撑架(2)的上端固定安装有第一支撑横板(3)，所述栅格式离子源装置主体(1)的右端固定安装有出料阀口(4)，所述栅格式离子源装置主体(1)的下端固定安装有支撑腿，所述第一支撑横板(3)的上端固定安装有液压缸(5)，且液压缸(5)的输出端固定安装有伸缩元件(6)，所述伸缩元件(6)的下端固定安装有连接板(7)，所述连接板(7)的下端固定安装有驱动电机(8)，所述驱动电机(8)的输出端固定安装有转动搅拌元件(9)。2.根据权利要求1所述的一种用于真空镀膜的栅格式离子源装置，其特征在于：所述栅格式离子源装置主体(1)的内部底端固定安装有支撑底座(11)，所述支撑底座(11)的内部开设有凹槽，且凹槽的内部底...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐睿，王静辉，
申请(专利权)人：杰莱特苏州精密仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：