【技术实现步骤摘要】
一种含二硫键的高介电常数复合材料及其制备方法与应用
[0001]本申请涉及一种含二硫键的高介电常数复合材料及其制备方法与应用,属于高介电常数复合材料
技术介绍
[0002]高介电常数(High
‑
k)聚合物复合材料因其独特的介电性能被广泛应用于先进电子器件(如栅极介质材料、微型电容器),储能系统(如薄膜电容器)、和先进绝缘系统(如介电功能梯度绝缘)中。目前,High
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k聚合物复合材料往往由有机聚合物基体和无机微纳填料组成。通过向聚合物基体中掺杂大量介电常数较高的微纳填料(如钛酸钡、二氧化钛)可以显著提高材料的介电常数,获得具有高介电常数的聚合物复合材料体系。然而,由于无机填料颗粒与有机聚合物基体的表面性质存在显著差异,High
‑
k聚合物复合材料中的填料颗粒与聚合物基体通常并不相容,这就导致High
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k聚合物复合材料往往具有较高的介电损耗和较低的击穿强度,从而限制了High
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k聚合物复合材料的使用。
[0003]为解决无机填料与有机聚合物不相容的问题,降低High
‑
k聚合物复合材料的介电损耗并提升其击穿场强,常用的一种方法是利用硅烷偶联剂对无机颗粒表面进行接枝包覆改性,从而增强无机填料与聚合物有机基体之间的相容性。例如利用全氟硅烷(FAS
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17)对纳米钛酸钡进行处理,制得具有核壳结构的,表面包覆FAS
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17的纳米钛酸钡粉末(BT@FAS
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含二硫键的高介电常数复合材料,其特征在于,按重量份数计,包括环氧树脂90
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100份、含二硫键的固化剂25
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35份和改性钛酸钡140
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170份;所述改性钛酸钡为采用含二硫键的硅烷偶联剂进行表面改性的钛酸钡。2.根据权利要求1所述的含二硫键的高介电常数复合材料,其特征在于,所述含二硫键的固化剂选自含二硫键的胺类固化剂和/或含二硫键的酸酐类固化剂;优选的,所述含二硫键的胺类固化剂选自4,4
’‑
二氨基二苯二硫醚、3,3'二氨基二苯二硫醚、双(2
‑
氨基苯基)二硫、双(3
‑
氟
‑4‑
氨基苯基)二硫醚、4,4'
‑
双(2
‑
氨基
‑6‑
甲基嘧啶基)二硫醚中的任意一种或多种;所述含二硫键的酸酐类固化剂选自3,3'
‑
二硫代二丙酸酐。3.根据权利要求1所述的含二硫键的高介电常数复合材料,其特征在于,所述含二硫键的硅烷偶联剂选自双
‑
[3
‑
(三乙氧基硅)丙基]
‑
二硫化物、双
‑
[3
‑
(三乙氧基硅)丙基]
‑
四硫化物、4,4,14,14
‑
四乙氧基
‑
3,15
‑
二噁
‑
8,9,10
‑
三硫杂
‑
4,14
‑
二硅十七烷中的任意一种或多种。4.根据权利要求1所述的含二硫键的高介电常数复合材料,其特征在于,所述钛酸钡的直径为50nm
‑
30μm;优选的,所述钛酸钡的直径不大于100nm。5.根据权利要求1所述的含二硫键的高介电常数复合材料,其特征在于,所述复合材料的介电常数为12
‑
14,工频介质损耗为0.015
‑
0.02,体积电阻率为1.4
×
10
15
...
【专利技术属性】
技术研发人员:张冠军,张宇程,李文睿,李文栋,赵鑫,王超,孙鹏,邓军波,
申请(专利权)人:西安交通大学,
类型:发明
国别省市:
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