【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法
[0001]本申请涉及显示
,具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前显示行业竞争激烈,各家厂商都为了提高自家产品竞争力,想尽各种办法。为了降低制程的成本,目前普遍使用HT Mask制程(Half Tone Mask)的方法,减少光罩,简化制程。比如,将原本使用PV Mask和PLN Mask两道光罩做连续开孔制程,现在都开发用一道钝化层和平坦层共用一道HT Mask制程的方式,即钝化层沉积成膜后,紧接制备平坦层,然后用HT光罩进行后续的光刻制程。但在实际制程中有如下制程不良:在源漏极层的第二走线跨线底层遮光层时,由于遮光层的第一走线较厚时,因为有地势差异产生的段差及爬坡,爬坡边缘的平坦层材料因流动性会流向低地势地方,导致爬坡边缘处PV裸露,未被平坦层覆盖,进而在钝化层的湿蚀刻时,该处第二走线上方钝化层被蚀刻,在后续的阳极湿蚀刻制程中第二走线被蚀刻液蚀刻,导致走线短路,形成显示不良。在GOA区域,则会造成驱动不良。
[0003]因此,现有OLED显示面 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板,包括显示区和非显示区,其特征在于,所述非显示区包括:衬底;遮光层,所述遮光层设置于所述衬底上方,所述遮光层包括第一走线;源漏极层,所述源漏极层设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧,所述源漏极层包括第二走线;钝化层,所述钝化层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧;阳极层,所述阳极层设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧,所述阳极层包括孤岛电极;其中,一所述第二走线在膜厚方向上与一所述第一走线相交于一交点,所述交点处的所述第二走线自身存在段差形成爬坡区,所述第二走线在所述爬坡区贯穿所述钝化层设置,所述孤岛电极至少覆盖所述爬坡区的所述第二走线设置。2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,在任一所述交点处,所述爬坡区至少包括位于所述交点一侧的第一爬坡区、位于所述交点相对另一侧的第二爬坡区。3.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述孤岛电极包括第一孤岛电极、第二孤岛电极,所述第一孤岛电极至少覆盖所述第一爬坡区的所述第二走线,所述第二孤岛电极至少覆盖所述第二爬坡区的所述第二走线,所述第一孤岛电极与所述第二孤岛电极间隔设置。4.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述孤岛电极在任一所述交点上方为连续设置,所述孤岛电极至少覆盖所述第一爬坡区、所述第二爬坡区以及所述交点处的所述第二电极设置。5.如权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,相邻所述交点上方的相邻所述孤岛电极为间隔设置。6.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘建欣,韩佰祥,请求不公布姓名,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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