OLED显示面板及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种OLED显示面板及其制备方法，该OLED显示面板包括衬底、遮光层、源漏极层、钝化层、阳极层，在非显示区，遮光层包括第一走线，源漏极层包括第二走线，阳极层包括孤岛电极，其中，一第二走线在膜厚方向上与一第一走线相交于一交点，交点处的第二走线自身存在段差形成爬坡区，第二走线在爬坡区贯穿钝化层设置，孤岛电极至少覆盖爬坡区的第二走线设置；利用孤岛电极覆盖爬坡区的第二走线，避免了在制备阳极层的过程中未被钝化层覆盖的第二走线被刻蚀产生断线。盖的第二走线被刻蚀产生断线。盖的第二走线被刻蚀产生断线。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种OLED显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前显示行业竞争激烈，各家厂商都为了提高自家产品竞争力，想尽各种办法。为了降低制程的成本，目前普遍使用HT Mask制程(Half Tone Mask)的方法，减少光罩，简化制程。比如，将原本使用PV Mask和PLN Mask两道光罩做连续开孔制程，现在都开发用一道钝化层和平坦层共用一道HT Mask制程的方式，即钝化层沉积成膜后，紧接制备平坦层，然后用HT光罩进行后续的光刻制程。但在实际制程中有如下制程不良：在源漏极层的第二走线跨线底层遮光层时，由于遮光层的第一走线较厚时，因为有地势差异产生的段差及爬坡，爬坡边缘的平坦层材料因流动性会流向低地势地方，导致爬坡边缘处PV裸露，未被平坦层覆盖，进而在钝化层的湿蚀刻时，该处第二走线上方钝化层被蚀刻，在后续的阳极湿蚀刻制程中第二走线被蚀刻液蚀刻，导致走线短路，形成显示不良。在GOA区域，则会造成驱动不良。
[0003]因此，现有OLED显示面板存在非显示区的走线被蚀刻断线产生不良的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法，可以缓解现有OLED显示面板存在非显示区的走线被蚀刻断线产生不良的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种OLED显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区包括：
[0006]衬底；
[0007]遮光层，所述遮光层设置于所述衬底上方，所述遮光层包括第一走线；
[0008]源漏极层，所述源漏极层设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括第二走线；
[0009]钝化层，所述钝化层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧；
[0010]阳极层，所述阳极层设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧，所述阳极层包括孤岛电极；
[0011]其中，一所述第二走线在膜厚方向上与一所述第一走线相交于一交点，所述交点处的所述第二走线自身存在段差形成爬坡区，所述第二走线在所述爬坡区贯穿所述钝化层设置，所述孤岛电极至少覆盖所述爬坡区的所述第二走线设置。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，在任一所述交点处，所述爬坡区至少包括位于所述交点一侧的第一爬坡区、位于所述交点相对另一侧的第二爬坡区。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述孤岛电极包括第一孤岛电极、第二孤岛电极，所述第一孤岛电极至少覆盖所述第一爬坡区的所述第二走线，所述第二孤岛电极至少覆盖所述第二爬坡区的所述第二走线，所述第一孤岛电极与所述第二孤岛电极间隔设置。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述孤岛电极在任一所述交点上方为连续设置，所述孤岛电极至少覆盖所述第一爬坡区、所述第二爬坡区以及所述交点处的所述第二电极设置。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，相邻所述交点上方的相邻所述孤岛电极为间隔设置。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述孤岛电极的结构为单层结构或多层层叠结构。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极层还包括位于所述显示区的阳极，所述孤岛电极与所述阳极的制备材料、厚度、所述结构中的至少一种相同。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述孤岛电极的截面形状为阶梯状、梯形、平行四边形中的任一种。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述非显示区还包括GOA区域，所述第一走线、所述第二走线、所述交点位于所述GOA区域。
[0020]本申请实施例提供一种OLED显示面板制备方法，包括：
[0021]提供一衬底；
[0022]在所述衬底上方沉积一层金属遮光材料，对所述金属遮光材料采用黄光工艺制备得到遮光层，所述遮光层包括位于非显示区的第一走线；
[0023]在所述遮光层远离所述衬底的一侧沉积第一层金属材料，对所述第一层金属材料采用黄光工艺制备得到源漏极层，所述源漏极层包括位于所述非显示区的第二走线，一所述第二走线与一所述第一走线在膜厚方向上相交于一交点；
[0024]在所述源漏极层远离所述衬底一侧沉积一层无机材料制备得到钝化层，在所述钝化层上方涂布一层有机光阻材料，图案化所述有机光阻材料制备得到平坦层，利用所述平坦层刻蚀所述钝化层，所述交点处的所述第二走线自身存在段差形成爬坡区，所述第二走线在所述爬坡区贯穿所述钝化层设置；
[0025]在所述钝化层上方沉积第二层金属材料，对所述第二金属材料采用黄光工艺制备得到阳极层，所述阳极层包括位于所述非显示区的孤岛电极，所述孤岛电极至少覆盖所述爬坡区的所述第二走线设置。
[0026]有益效果：使阳极层包括位于非显示区的孤岛电极，利用孤岛电极覆盖所述爬坡区的所述第二走线，避免了在制备阳极层的过程中未被钝化层覆盖的第二走线被刻蚀产生断线，缓解了现有OLED显示面板存在非显示区的走线被蚀刻断线产生不良的技术问题。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是本申请提供的OLED显示面板的第一种截面示意图；
[0029]图2是本申请提供的OLED显示面板的第一种俯视示意图；
[0030]图3是本申请提供的OLED显示面板的第二种截面示意图；
[0031]图4是本申请提供的OLED显示面板的第二种俯视示意图；
[0032]图5是本申请提供的OLED显示面板制备方法的流程示意图；
[0033]图6A至图6D是本申请提供的OLED显示面板制备方法的第一种状态流程图；
[0034]图7A至图7D是本申请提供的OLED显示面板制备方法的第二种状态流程图。
[0035]附图标记说明：
[0036]具体实施方式
[0037]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0038]请参阅图1至图4，本申请提供的OLED显示面板包括显示区和非显示区1，所述OLED显示面板的所述非显示区1包括衬底10、遮光层20、源漏极层40、钝化层50、阳极层60，所述遮光层20设置于所述衬底10上方，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，包括显示区和非显示区，其特征在于，所述非显示区包括：衬底；遮光层，所述遮光层设置于所述衬底上方，所述遮光层包括第一走线；源漏极层，所述源漏极层设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧，所述源漏极层包括第二走线；钝化层，所述钝化层设置于所述源漏极层远离所述衬底的一侧；阳极层，所述阳极层设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧，所述阳极层包括孤岛电极；其中，一所述第二走线在膜厚方向上与一所述第一走线相交于一交点，所述交点处的所述第二走线自身存在段差形成爬坡区，所述第二走线在所述爬坡区贯穿所述钝化层设置，所述孤岛电极至少覆盖所述爬坡区的所述第二走线设置。2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，在任一所述交点处，所述爬坡区至少包括位于所述交点一侧的第一爬坡区、位于所述交点相对另一侧的第二爬坡区。3.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述孤岛电极包括第一孤岛电极、第二孤岛电极，所述第一孤岛电极至少覆盖所述第一爬坡区的所述第二走线，所述第二孤岛电极至少覆盖所述第二爬坡区的所述第二走线，所述第一孤岛电极与所述第二孤岛电极间隔设置。4.如权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述孤岛电极在任一所述交点上方为连续设置，所述孤岛电极至少覆盖所述第一爬坡区、所述第二爬坡区以及所述交点处的所述第二电极设置。5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，相邻所述交点上方的相邻所述孤岛电极为间隔设置。6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建欣，韩佰祥，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：