一种双面压电层结构及其加工工艺制造技术

本发明专利技术提供一种双面压电层结构及其加工工艺，所述双面压电层结构包括：结构层；第一振膜，设置于所述结构层上，且所述第一振膜位于所述结构层的一侧；具有第三金属层和第四金属层的第二振膜，所述第二振膜设置于所述结构层上，且所述第二振膜位于所述结构层远离所述第一振膜的一侧；第一沟槽，设置于所述结构层上，且所述第一沟槽由所述结构层的一侧贯穿至所述第三金属层的上表面；以及第二沟槽，设置于所述结构层上，且所述第二沟槽由所述结构层的一侧贯穿至所述第四金属层的上表面。本发明专利技术提供一种双面压电层结构及其加工工艺，该双面压电层结构解决了与基底键合的一面的压电层结构的引线问题。构的引线问题。构的引线问题。

【技术实现步骤摘要】
一种双面压电层结构及其加工工艺


[0001]本专利技术涉及微机电系统
，尤其涉及一种双面压电层结构及其加工工艺。

技术介绍

[0002]微机电系统(MEMS,Micro
‑
E l ectro
‑
Mechanica l System)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。微机电系统是在微电子技术(半导体制造技术)基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LI GA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。MEMS是一项革命性的新技术，广泛应用于高新技术产业，是一项关系到国家的科技发展、经济繁荣和国防安全的关键技术。
[0003]双面压电层结构的MEMS器件由于有一面的压电层结构是与基底键合的，故与基底键合的一面的压电层结构的引线就很困难。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种双面压电层结构及其加工工艺，该双面压电层结构通过在结构层上开设第一沟槽和第二沟槽，将第三金属层和第四金属层的部分裸露出来，从而引出第三金属层和第四金属层的信号，解决了与基底键合的一面的压电层结构的引线问题。
[0005]为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：
[0006]本专利技术提供一种双面压电层结构，所述双面压电层结构包括：
[0007]结构层；
[0008]第一振膜，设置于所述结构层上，且所述第一振膜位于所述结构层的一侧；
[0009]具有第三金属层和第四金属层的第二振膜，所述第二振膜设置于所述结构层上，且所述第二振膜位于所述结构层远离所述第一振膜的一侧；
[0010]第一沟槽，设置于所述结构层上，且所述第一沟槽由所述结构层的一侧贯穿至所述第三金属层的上表面；以及
[0011]第二沟槽，设置于所述结构层上，且所述第二沟槽由所述结构层的一侧贯穿至所述第四金属层的上表面。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，所述第一振膜包括：
[0013]第一金属层，设置于所述结构层的一侧；
[0014]第一压电层，设置于所述第一金属层上；以及
[0015]第二金属层，设置于所述第一压电层上。
[0016]在本专利技术的一个实施例中，所述第二振膜还包括第二压电层，所述第二压电层位于所述第三金属层和所述第四金属层之间。
[0017]在本专利技术的一个实施例中，所述双面压电层结构还包括：
[0018]第一焊盘，设置于所述第一金属层上，且所述第一焊盘位于所述第一压电层的一侧；以及
[0019]第二焊盘，设置于所述第二金属层上，且所述第二焊盘位于远离所述第一压电层的一侧。
[0020]在本专利技术的一个实施例中，所述双面压电层结构还包括：
[0021]第三焊盘，设置于所述第三金属层上，且所述第三焊盘位于所述第一沟槽的内部；以及
[0022]第四焊盘，设置于所述第四金属层上，且所述第四焊盘位于所述第二沟槽的内部。
[0023]在本专利技术的一个实施例中，所述双面压电层结构还包括基底，所述基底位于所述第四金属层上远离所述第二压电层的一侧。
[0024]在本专利技术的一个实施例中，所述结构层上设置有第一过渡层，所述第一过渡层位于所述结构层与所述第一振膜之间。
[0025]在本专利技术的一个实施例中，所述结构层上还设置有第二过渡层，所述第二过渡层位于所述结构层与所述第二振膜之间。
[0026]本专利技术还提供一种双面压电层结构的加工工艺，所述加工工艺包括：
[0027]取样片；
[0028]在所述样片上键合所述基底，并且图形化形成所述第一振膜和所述第二振膜；
[0029]刻蚀所述第一沟槽和所述第二沟槽，用于将所述第三金属层和所述第四金属层裸露出来；以及
[0030]在裸露出来的所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属层上分别生长并刻蚀所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘和所述第四焊盘。
[0031]综上所述，本专利技术提供一种双面压电层结构及其加工工艺，该双面压电层结构通过在结构层上开设第一沟槽和第二沟槽，将第三金属层和第四金属层的部分裸露出来，从而引出第三金属层和第四金属层的信号，解决了与基底键合的一面的压电层结构的引线问题。
附图说明
[0032]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0033]图1是本专利技术的整体结构示意图；
[0034]图2是本专利技术一个实施例的结构示意图；
[0035]图3是本专利技术另一个实施例的结构示意图；
[0036]图4是本专利技术图2的部分结构示意图；
[0037]图5是本专利技术图3的部分结构示意图；
[0038]图6是本专利技术图4的正视图；
[0039]图7是本专利技术图5的正视图；
[0040]图8
‑
1至图8
‑
4是本专利技术的加工工艺图。
[0041]图中标号说明：1
‑
基底、11
‑
槽体、2
‑
第二振膜、21
‑
第三金属层、211
‑
第三焊盘、22
‑
第二压电层、23
‑
第四金属层、231
‑
第四焊盘、24
‑
开口、3
‑
第一振膜、31
‑
第二金属层、311
‑
第二焊盘；32
‑
第一压电层、33
‑
第一金属层、331
‑
第一焊盘、4
‑
第一沟槽、5
‑
第二沟槽、6
‑
第一缓冲层、7
‑
结构层、8
‑
第二缓冲层、9
‑
第一过渡层、10
‑
第二过渡层。
具体实施方式
[0042]下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本专利技术。
[0043]请参阅图1至图7，本专利技术提供一种双面压电层结构，该双面压电层结构包括结构层7、第一振膜3和第二振膜2。第一振膜3设置于结构层7上，且第一振膜3位于结构层7的一侧。结构层7上还设置有第一过渡层9和第二过渡层10，第一过渡层9位于结构层7与第一振膜3之间，第二过渡层10位于结构层7与第二振膜2之间。具体的，第一振膜3包括第一金属层33、第一压电层32和第二金属层31，第一金属层33位于第一过渡层9上，且第一金属层33的面积小本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面压电层结构，其特征在于,所述双面压电层结构包括：结构层；第一振膜，设置于所述结构层上，且所述第一振膜位于所述结构层的一侧；具有第三金属层和第四金属层的第二振膜，所述第二振膜设置于所述结构层上，且所述第二振膜位于所述结构层远离所述第一振膜的一侧；第一沟槽，设置于所述结构层上，且所述第一沟槽由所述结构层的一侧贯穿至所述第三金属层的上表面；以及第二沟槽，设置于所述结构层上，且所述第二沟槽由所述结构层的一侧贯穿至所述第四金属层的上表面。2.根据权利要求1所述的双面压电层结构，其特征在于,所述第一振膜包括：第一金属层，设置于所述结构层的一侧；第一压电层，设置于所述第一金属层上；以及第二金属层，设置于所述第一压电层上。3.根据权利要求1所述的双面压电层结构，其特征在于,所述第二振膜还包括第二压电层，所述第二压电层位于所述第三金属层和所述第四金属层之间。4.根据权利要求2所述的双面压电层结构，其特征在于,所述双面压电层结构还包括：第一焊盘，设置于所述第一金属层上，且所述第一焊盘位于所述第一压电层的一侧；以及第二焊盘，设置于所述第二金属层上，且所述第二焊盘位于远离所述第一压电层的一侧。5.根据权利要求1所述的双面压...

【专利技术属性】
技术研发人员：慈伟杰，储清清，
申请(专利权)人：合肥领航微系统集成有限公司，
类型：发明
国别省市：