可挠式电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种可挠式电子装置，其包括一突出单元、一可挠式基板以及复数个感测单元。可挠式基板设置在突出单元上并包括一变形区域，且变形区域对应于突出单元。感测单元设置在可挠式基板上，其中感测单元中的至少一个与变形区域重叠。变形区域的面积对感测单元中的至少一个中的其中一个的面积的比值大于或等于1.4并小于或等于2222。等于1.4并小于或等于2222。等于1.4并小于或等于2222。

【技术实现步骤摘要】
可挠式电子装置


[0001]本专利技术涉及一种可挠式电子装置，特别是涉及一种包含突出单元的可挠式电子装置。

技术介绍

[0002]近年来，可挠式电子装置广泛地应用在各式各样的电子产品，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电视、车用显示器或可穿戴装置等。随着电子产品的应用越来越广泛，制造商持续开发新型的可挠式电子装置，且对于产品的使用者体验及可靠度都具有更高的期望。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施例提供一种可挠式电子装置，通过可挠式基板的变形区域的面积和设置在可挠式基板上的感测单元的面积的适当比例设计，当可挠式基板因突出单元而变形时，感测单元不易因可挠式基板的变形而损坏，而且可维持良好的感测效果。
[0004]本专利技术的一些实施例提供一种可挠式电子装置，其包括一突出单元、一可挠式基板以及复数个感测单元。可挠式基板设置在突出单元上并包括一变形区域，且变形区域对应于突出单元。感测单元设置在可挠式基板上，其中感测单元中的至少一个与变形区域重叠。变形区域的面积对感测单元中的至少一个中的其中一个的面积的比值大于或等于1.4并小于或等于2222。
附图说明
[0005]图1为本专利技术第一实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0006]图2为本专利技术第一实施例的可挠式电子装置的三维示意图。
[0007]图3至图6为本专利技术一些实施例的感测单元的示意图。
[0008]图7为本专利技术第二实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0009]图8为本专利技术第二实施例的可挠式电子装置的三维示意图。
[0010]图9为本专利技术第三实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0011]图10为本专利技术第四实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0012]图11为本专利技术第五实施例的可挠式电子装置的一部分的俯视示意图。
[0013]图12为沿图11的切线A
‑
A
’
的剖面示意图。
[0014]图13为本专利技术第六实施例的可挠式电子装置的俯视示意图。
[0015]图14为本专利技术第七实施例的可挠式电子装置的俯视示意图。
[0016]图15为本专利技术第八实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0017]图16为本专利技术第九实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0018]图17为本专利技术第十实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0019]图18为本专利技术第十一实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0020]图19为本专利技术第十二实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0021]图20为本专利技术第十三实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0022]图21为本专利技术第十四实施例的可挠式电子装置的剖面示意图。
[0023]图22为本专利技术第十四实施例的振动基板的俯视示意图。
[0024]附图标记说明：10
‑
可挠式电子装置；100、200
‑
突出单元；100a、100b
‑
部分；102
‑
可挠式基板；102i
‑
斜边；104
‑
感测单元；106、106A、106B
‑
变形区域；108
‑
面板；110、112、116、118、176
‑
感测电极；114
‑
桥接电极；120、148
‑
开口；122、124、154
‑
发光元件；126
‑
光传感器；128、130、152
‑
薄膜晶体管；132、188
‑
压电材料层；134、136、190、192、IN1
‑
IN7
‑
绝缘层；138、140、194、196
‑
电极；142
‑
电子单元、显示单元；144
‑
主部分；146
‑
连接部分；150
‑
缓冲层；156
‑
第一电极；158
‑
第二电极；160
‑
第一半导体层；162
‑
发光层；164
‑
第二半导体层；166、168
‑
接合垫；170
‑
像素定义层；172
‑
保护层；174
‑
中间基板；178、180
‑
信号线；182、184、2041、2043、2045
‑
黏着层；186
‑
基板；198
‑
空气间隙；2021、2023、2025
‑
振动器；2061、2063
‑
侧边；208
‑
振动基板；210
‑
黏着层；220
‑
图案化压电材料层；DE
‑
汲极；D1、D2
‑
线条；GE
‑
闸极；H1、H2
‑
高度；J1、J2
‑
区域；K1、K2
‑
图案化部分；L1、P2
‑
长度；N1、N3
‑
最高点；N2、N4
‑
最低点；R1、R2
‑
范围；P1
‑
间距；Q1、Q2
‑
中央区；Q3、Q4
‑
侧区；R1、R2
‑
范围；SC
‑
半导体层；SE
‑
源极；S1、S2
‑
侧；Tx、Rx
‑
感测电极串；Wa、Wb
‑
宽度；X、Y、Z
‑
方向；α
‑
夹角。
具体实施方式
[0025]通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本专利技术，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本专利技术中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本专利技术的范围。
[0026]本专利技术通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
[0027]本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本专利技术。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可挠式电子装置，其特征在于，包括：一突出单元；一可挠式基板，设置在所述突出单元上并包括一变形区域，且所述变形区域对应于所述突出单元；以及复数个感测单元，设置在所述可挠式基板上，其中所述复数个感测单元中的至少一个与所述变形区域重叠，其中所述变形区域的一面积对所述复数个感测单元中的所述至少一个中的其中一个的一面积的一比值大于或等于1.4并小于或等于2222。2.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，所述复数个感测单元包括电容式传感器、压力式传感器、电磁式传感器、光学式传感器或电容式传感器、压力式传感器、电磁式传感器及光学式传感器的组合。3.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，所述复数个感测单元能够感测触摸。4.根据权利要求1所述的可挠式电子装置，其特征在于，还包括复数个显示单元，设置在所述可挠式基板上，其中所述复数个显示单元中的至少一个与所述变形区域重叠。5.根据权利要求4所述的可挠式电子装置，其特征在于，所述复数个显示单元设置在所述可挠式基板和所述复数个感测单元之间。6.根据权利要求4所述的可挠式电子装置，其特征在于，所述复数个感测单元设置在所述可挠式基板和所述复数个显示单元之间。7.根据权利要求4所述的可挠式电...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴湲琳，黄昱嘉，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：