半导体存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。半导体存储器装置包括：包括多个存储器单元行的存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在参考时间间隔期间，从外部存储器控制器捕获伴随有从激活命令随机选择的第一激活命令的行地址，每个激活命令具有一致的第一选择概率；并且在参考时间间隔期间，从捕获的行地址中多次选择至少一个行地址作为锤击地址，选择的次数与对应于至少一个行地址的激活命令的访问计数成比例。刷新控制电路接收锤击地址，并且对与对应于锤击地址的存储器单元行物理地相邻的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。存储器单元行执行锤击刷新操作。存储器单元行执行锤击刷新操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月10日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0153972以及于2022年1月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0000084的优先权的权益，所述申请的每一个的公开内容以引用其全部的方式并入本文。


[0003]示例实施例涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器装置可分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置是指在断电时丢失存储在其中的数据的存储器装置。作为易失性存储器装置的示例，动态随机存取存储器(DRAM)可用于各种装置，诸如移动系统、服务器或图形装置。
[0005]在诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置的易失性存储器装置中，存储在存储器单元中的单元电荷可能由于泄漏电流而丢失。此外，当字线频繁地在激活状态和预充电状态之间转变时(即，当字线被密集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个易失性存储器单元；行锤击管理电路，其被配置为：在参考时间间隔期间，从外部存储器控制器捕获伴随有从激活命令随机选择的第一激活命令的行地址，每个激活命令具有一致的第一选择概率；以及在所述参考时间间隔期间，从捕获的所述行地址中多次选择至少一个行地址作为锤击地址，选择的次数与对应于所述至少一个行地址的激活命令的访问计数成比例；以及刷新控制电路，其被配置为接收所述锤击地址，并且对与对应于所述锤击地址的存储器单元行物理地相邻的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：所述参考时间间隔对应于所述半导体存储器装置的刷新间隔，并且所述第一选择概率对应于在所述半导体存储器装置的刷新周期期间要对所述多个存储器单元行执行的所述锤击刷新操作的数量与在所述参考时间间隔期间所述多个存储器单元行的平均访问计数的比率。3.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：所述行锤击管理电路被配置为选择伴随有所述第一激活命令的所述行地址的一部分，所述第一激活命令是基于与参考二进制码匹配的随机二进制码随机选择的，并且所述随机二进制码响应于所述激活命令而随机变化。4.如权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路包括：随机位生成器，其被配置为响应于所述激活命令生成所述随机二进制码；比较器，其被配置为比较所述随机二进制码和所述参考二进制码，以基于比较的结果输出匹配信号；地址捕获器，其被配置为基于所述匹配信号输出伴随有随机选择的所述第一激活命令的所述行地址作为所述捕获的行地址；地址存储部，其被配置为顺序地存储所述捕获的行地址；锤击地址选择器，其被配置为选择存储在所述地址存储部中的所述捕获的行地址中的至少一个行地址，以输出所选择的行地址作为所述锤击地址；以及控制逻辑，其被配置为控制所述地址存储部和所述锤击地址选择器。5.如权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述锤击地址选择器被配置为根据被存储在所述地址存储部中的顺序来输出所述捕获的行地址作为所述锤击地址。6.如权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述锤击地址选择器被配置为以一致的第二选择概率随机地输出所述捕获的行地址作为所述锤击地址。7.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中：所述行锤击管理电路被配置为选择伴随有所述第一激活命令的所述行地址中的一部分，所述第一激活命令是基于与通过对所述激活命令进行计数而获得的计数值匹配的随机数而选择的，并且所述随机数响应于所述激活命令而随机地变化。8.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路包括：
随机数生成器，其被配置为响应于所述激活命令生成所述随机数；激活计数器，其被配置为对所述激活命令进行计数以输出所述计数值；比较器，其被配置为比较所述随机数和所述计数值，以基于比较的结果输出匹配信号；地址捕获器，其被配置为基于所述匹配信号输出伴随有随机选择的所述第一激活命令的所述行地址作为所述捕获的行地址；地址存储部，其被配置为顺序地存储所述捕获的行地址；锤击地址选择器，其被配置为选择存储在所述地址存储部中的所述捕获的行地址中的至少一个，以输出选择的行地址作为所述锤击地址；以及控制逻辑，其被配置为控制所述地址存储部和所述锤击地址选择器。9.如权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述锤击地址选择器被配置为根据被存储在所述地址存储部中的顺序来输出所述捕获的行地址作为所述锤击地址。10.如权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述锤击地址选择器被配置为以一致的第二选择概率随机地输出所述捕获的行地址作为所述锤击地址。11.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路被配置为：基于随机二进制码从所述激活命令中选择N个第一激活命令，所述随机二进制码响应于所述激活命令匹配参考二进制码而随机地变化，N是大于1的自然数；将伴随有N个第一激活命令的N个行地址存储为第一候选行地址；以及选择所述第一候选行地址的至少一部分作为所述锤击地址。12.如权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述行锤击管理电路包括；随机位生成器，其被配置为响应于所述激活命令生成所述随机二进制码；比较器，其被配置为比较所述随机二进制码和所述参考二进制码，以基于比较的结果输出匹配信号；地址捕获器，其被配置为基于所述匹配信号输出伴随有随机选择的所述N个第一激活命令的所述N...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵诚慧，李起准，李明奎，李恩爱，朴炳奎，宋英杰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：