基于TSV的超高耦合全对称变压器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于TSV的超高耦合全对称变压器，本发明专利技术所提出的1:1变压器的初级线圈和次级线圈结构完全对称，可用于差分电路，抑制共模噪声。本发明专利技术采用硅通孔形成垂直结构，初级线圈和次级线圈的每个金属层均通过硅通孔连接实现上下交替的形式，这种紧凑结构与二维变压器相比，占位面积减少一半，并且在相同的占位面积里，实现了更长的耦合路径，增强了初级与次级绕组之间的耦合。由于该结构初次级线圈相互包围，初级线圈产生的磁通量尽可能多的通过了次级线圈，磁泄露小，形成了大于0.970的超高的耦合系数。0.970的超高的耦合系数。0.970的超高的耦合系数。

【技术实现步骤摘要】
基于TSV的超高耦合全对称变压器


[0001]本专利技术属于无源电子器件
，涉及一种基于TSV的超高耦合全对称变压器。

技术介绍

[0002]变压器是许多射频集成电路(RFIC)应用中的关键无源器件，已广泛用于滤波器、巴伦、耦合器、压控振荡器和功率放大器的设计中。传统的二维片式变压器是平面或者叠层结构，存在着耦合系数低、占用芯片面积大等问题。近年来，随着硅通孔技术的发展，基于TSV的三维变压器开始崭露头角，通过增加垂直方向的TSV，将二维变成三维，可以有效降低变压器的占位面积，并且提高耦合系数，解决了二维变压器在设计中所面临的瓶颈，这同时也成为三维变压器在未来的射频集成电路设计中的一大优势。然而到目前为止，还没有研究人员提出的基于TSV的三维变压器同时兼备小型化、高耦合和全对称的特点。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种基于TSV的超高耦合全对称变压器，解决了现有三维变压器耦合系数低、占用芯片面积大，难与差分电路集成的问题。
[0004]本专利技术所采用的技术方案是，基于TSV的超高耦合全对称三维本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于TSV的超高耦合全对称三维变压器，其特征在于：包括对称设置的初级线圈结构和次级线圈；所述初级线圈和次级线圈均采用金属层、接触孔及硅通孔TSV连接形成；所述初次级线圈的每段金属层均通过两个接触孔和一个硅通孔进行连接，形成上下交替的形式；所述初级线圈和次级线圈均采用从外向内方向绕制。2.根据权利要求1所述的基于TSV的超高耦合全对称三维变压器，其特征在于：所述初级线圈设置有Port
p1
、Port
p2
两个端口，所述次级线圈设置有Port
s1
、Port
s2
两个端口，变压器工作时，端口Port

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，邓悦，余宁梅，杨媛，尹湘坤，朱樟明，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：