阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统技术方案

本申请涉及一种阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统。其中，阻挡杂质带探测器包括：衬底、转接电极与至少一个接收单元；所述衬底具有相对的第一表面与第二表面，所述接收单元从所述第一表面开始朝向所述第二表面延伸；所述接收单元在所述第一表面上阵列排布；所述接收单元被配置为接收辐射，并产生与接收的辐射相对应的电流；每一所述接收单元均包括接触部；所述转接电极位于至少部分所述接触部朝向所述第一表面的一侧，所述转接电极的材料包括石墨烯。石墨烯。石墨烯。

【技术实现步骤摘要】
阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统


[0001]本申请涉及光电探测领域，尤其涉及一种阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统。

技术介绍

[0002]在相关技术中，红外探测技术在环境监测、导弹制导、卫生医疗、夜视成像等领域有着广泛的应用，主流的红外探测器主要以HgCdTe、InGaAs等材料体系为代表，响应波段在1
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20微米。这类器件是基于半导体PN结构光伏效应原理工作。因此，探测器的响应率高并且器件具有较高的工作温度(液氮)，发展迅速。但受材料类型的制约，探测器的响应波长较短。
[0003]而阻挡杂质带(BIB)探测器以传统的非本征杂质跃迁光电导探测器为基础，具有灵敏度高、覆盖波长宽、暗电流低、光电导增益高、响应速度快与抗辐射性能强等优点。但是，阻挡杂质带探测器仍存在晶格损伤的问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种阻挡杂质带探测器及其制备方法、探测系统，以解决相关技术中全部或部分不足。
[0005]根据本申请实施例的第一方面，提供一种阻挡杂质带探测器，包括：衬底、转接电极与至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻挡杂质带探测器，其特征在于，包括：衬底、转接电极与至少一个接收单元；所述衬底具有相对的第一表面与第二表面，所述接收单元从所述第一表面开始朝向所述第二表面延伸；所述接收单元在所述第一表面上阵列排布；所述接收单元被配置为接收辐射，并产生与接收的辐射相对应的电流；每一所述接收单元均包括接触部；所述转接电极位于所述接触部朝向所述第一表面的一侧，所述转接电极的材料包括石墨烯。2.根据权利要求1所述的阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述阻挡杂质带探测器还包括总电极；所述总电极位于所述转接电极远离所述接触部的一侧；每一所述接收单元均通过所述转接电极与所述总电极电连接；在所述总电极的延伸方向上，所述接收单元阵列排布于所述总电极的两侧。3.根据权利要求2所述的阻挡杂质带探测器，其特征在于，在与所述总电极的延伸方向相垂直的方向上，所述接收单元交错排列。4.根据权利要求2所述的阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述阻挡杂质带探测器还包括钝化层，所述钝化层位于所述第一表面一侧；所述钝化层与所述总电极位于同一层，且在所述第一表面上，所述钝化层与所述总电极相邻。5.根据权利要求2所述的阻挡杂质带探测器，其特征在于，每一所述接收单元均包括阻挡部、吸收部与至少两个接触部，所述阻挡部、所述吸收部与所述至少两个接触部位于同一层；所述阻挡部与所述吸收部均位于所述接触部之间；且所述阻挡部与所述吸收部部分接触，所述阻挡部与所述吸收部分别与至少一个所述接触部接触。6.根据权利要求5所述的阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述阻挡部与所述衬底一体形成。7.根据权利要求6所述的阻挡杂质带探测器，其特征在于，所述接触部与所述吸收部均通过在所述衬底内进行离子注入同时形成；注入的所述离子包括镓离子；所述离子的浓度为0.5
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个/cm3至5
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个/cm3；所述离子的注入深度为0.5μm。8.根据权利要求7所述的阻挡杂质带...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜瑀，朱家旗，陈焕坚，阮罗渊，宋睿烜，白石根，林虹宇，唐燕如，单玉凤，俞国林，邓惠勇，戴宁，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：