半导体基板结构体和功率半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体基板结构体和功率半导体装置，该半导体基板结构体包括基板、配置在所述基板上的表面粗糙度改善层和通过室温接合或扩散接合经由所述表面粗糙度改善层接合到所述基板的单晶体。接合到所述基板的单晶体。接合到所述基板的单晶体。

【技术实现步骤摘要】
半导体基板结构体和功率半导体装置
本申请是原申请的申请日为2019年5月30日、申请号为201910462227.0、专利技术名称为《半导体基板结构体和功率半导体装置》的中国专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请基于并要求2018年5月31日提交的日本专利申请第2018
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104672号和2018年5月31日提交的日本专利申请第2018
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104673号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


本公开涉及半导体基板结构体和功率半导体装置。

技术介绍

近年来，能够实现高耐压、大电流、低导通电阻、高效率、低功耗、高速切换等的碳化硅(SiC)半导体因其与Si半导体和GaAs半导体相比具有更宽的带隙能量和更高的电场耐压性能而受到关注。SiC由于其低功耗性能而可以减少二氧化碳气体(CO2)的产生，因此它在环境保护方面也受到关注。近年来，SiC装置已经应用于例如各种应用领域，例如空调、太阳能发电系统、汽车系统、火车/车辆系统等。形成SiC晶片的方法包括，例如，通过使用化学气相沉积(CVD)方法的升华方法而在S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基板结构体，包括：基板；配置在所述基板上的表面粗糙度改善层；和通过室温接合或扩散接合经由所述表面粗糙度改善层接合到所述基板的单晶体。2.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述单晶体包括选自包含IV族元素半导体、III
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V族化合物半导体和II
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VI族化合物半导体的组中的至少一种或多种。3.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述单晶体包括选自包含碳化硅、氮化镓、硅、氮化铝和氧化镓的组中的至少一种或多种。4.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述基板包括选自包含烧结体、BN、AlN、Al2O3、Ga2O3、金刚石、碳和石墨的组中的至少一种或多种。5.根据权利要求4所述的半导体基板结构体，其中，所述烧结体包括选自包含IV族元素半导体、III
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V族化合物半导体和II
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VI族化合物半导体的组中的至少一种或多种类型的烧结体。6.根据权利要求4所述的半导体基板结构体，其中，所述烧结体包括选自包含碳化硅、氮化镓、硅、氮化铝和氧化镓的组中的至少一种或多种类型的烧结体。7.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述表面粗糙度改善层包括通过化学气相沉积法形成的膜。8.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述表面粗糙度改善层包括通过溶胶
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凝胶法或浸渍法形成的膜。9.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述表面粗糙度改善层包括与所述基板相同类型的材料。10.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述单晶体包括与所述表面粗糙度改善层相同类型的材料。11.根据权利要求1所述的半导体基板结构体，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：前川拓滋，森本满，高村诚，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：