降低交流损耗的线圈结构及电感器制造技术

本实用新型专利技术涉及电感器技术领域，涉及一种降低交流损耗的线圈结构及电感器，降低交流损耗的线圈结构包括第一水平导体、第二水平导体、第三水平导体、第一垂直导体和第二垂直导体。第一水平导体具有相对的第一端和第二端，第一垂直导体和第二垂直导体分别连接第一水平导体的第一端和第二端，第二水平导体连接第一垂直导体的远离第一水平导体的一端，第三水平导体连接第二垂直导体的远离第一水平导体的一端，第一垂直导体和第二垂直导体是面对面设置的，第一垂直导体上开设有第一贯通孔。借由第一贯通孔的设置，可有效降低漏磁产生的交流损耗及在高频状态下由于电流趋肤效应造成的交流损耗，提升电感器品质。提升电感器品质。提升电感器品质。

【技术实现步骤摘要】
降低交流损耗的线圈结构及电感器


[0001]本技术涉及电感器
，特别涉及一种降低交流损耗的线圈结构及电感器。

技术介绍

[0002]电感器是指能够将电能转化为磁能而储存起来的元件，其是根据电磁感应原理制成的器件，实际上，凡是能够产生自感和互感的器件均可称为电感器。电感器的用途极为广泛，在交流电路中电感器有阻碍交流通过的能力，在电路中常被用作阻流、变压、交流耦合及负载等，从而被广泛应用于汽车、家电、数码、航天等各类电子终端领域中。
[0003]传统电感器通常采取在磁芯上环绕绝缘铜线圈的方式来实现。然而，随着科学技术的发展，人类在电子通讯、精密测量、电池技术等诸多领域对电感器等硬件设施提出了更高的要求。传统电感器的漏磁现象使得线圈表面产生涡电流，造成了多余的交流损耗。且高频状态下，电流在导线中，由于趋肤效应，导体内部电流分布不均匀，集中在导线的表面，造成等效的导线截面积降低，进而使导线的等效电阻随频率提高，这就会造成较高的交流损耗。
[0004]需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

[0005]为解决上述
技术介绍
中的难题，本技术提出一种降低交流损耗的线圈结构，其可以降低传统组合式电感器因漏磁产生的交流损耗及在高频状态下由于电流趋肤效应造成的交流损耗等问题。
[0006]本技术提供一种降低交流损耗的线圈结构，其包括第一水平导体、第二水平导体、第三水平导体、第一垂直导体和第二垂直导体。
[0007]第一水平导体具有相对的第一端和第二端，第一垂直导体和第二垂直导体分别连接第一水平导体的第一端和第二端，第二水平导体连接第一垂直导体的远离第一水平导体的一端，第三水平导体连接第二垂直导体的远离第一水平导体的一端，第一垂直导体和第二垂直导体是面对面设置的，第一垂直导体上开设有第一贯通孔。
[0008]在一些实施例中，第一贯通孔自第一垂直导体的外表面贯穿至第一垂直导体的内表面。
[0009]在一些实施例中，第一贯通孔的开孔面积占第一垂直导体的面积的比例是20％
‑
80％。
[0010]在一些实施例中，第二垂直导体开设第二贯通孔，第二贯通孔自第二垂直导体的外表面贯穿至第二垂直导体的内表面。
[0011]在一些实施例中，第一垂直导体的形状与第二垂直导体的形状相同
[0012]在一些实施例中，第一贯通孔的开孔形状呈长条形。
[0013]在一些实施例中，线圈结构是“几”字形镀锡线圈。
[0014]在一些实施例中，线圈结构的材质包括选自于金、银、铜或铁所构成材料群组中的至少一种材料。
[0015]本技术还提供一种电感器，其包括第一芯体、第二芯体和如前述任一实施例中所述的线圈结构。
[0016]第二芯体连接第一芯体，第二芯体与第一芯体之间构成凹槽，且第二芯体与第一芯体之间具有缝隙。线圈结构位于第一芯体与第二芯体之间构成的凹槽内，第一贯通孔对应于缝隙。
[0017]在一些实施例中，第一芯体的外形和尺寸分别与第二芯体的外形和尺寸相同。
[0018]本技术提供一种降低交流损耗的线圈结构及电感器，相较于传统的线圈结构而言，借由第一贯通孔能够让第一芯体与第二芯体的间隙处产生的漏磁通接触不到线圈，从而降低因漏磁通在线圈表面形成涡电流而造成的交流损耗；并且，借由第一贯通孔能够增加线圈结构的表面积，以此降低在高频状态下由于电流趋肤效应造成的交流损耗。
[0019]本技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地特征和有益效果可以通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他有益效果可通过在说明书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述位置关系，若无特别指明，皆是以图示中组件绘示的方向为基准。
[0021]图1是本技术一实施例提供的线圈结构的结构示意图；
[0022]图2是图1的左视示意图；
[0023]图3是本技术一实施例提供的电感器的结构示意图；
[0024]图4是图3的爆炸示意图。
[0025]图中标记：
[0026]10
‑
线圈结构；11
‑
第一水平导体；111
‑
第一端；112
‑
第二端；12
‑
第二水平导体；13
‑
第三水平导体；21
‑
第一垂直导体；22
‑
第二垂直导体；31
‑
第一贯通孔；32
‑
第二贯通孔；41
‑
第一芯体；42
‑
第二芯体；44
‑
凹槽；46
‑
缝隙。
具体实施方式
[0027]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本技术不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实
施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
[0029]请参阅图1和图2，图1是本技术一实施例提供的线圈结构10的结构示意图，图2是图1的左视示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本技术的一实施例提供一种能够降低交流损耗的线圈结构10。如图中所示，线圈结构10可以包括第一水平导体11、第二水平导体12、第三水平导体13、第一垂直导体21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述线圈结构包括：第一水平导体，具有相对的第一端和第二端；第一垂直导体，连接所述第一水平导体的第一端；第二垂直导体，连接所述第一水平导体的第二端；第二水平导体，连接所述第一垂直导体的远离所述第一水平导体的一端；第三水平导体，连接所述第二垂直导体的远离所述第一水平导体的一端；其中，所述第一垂直导体和所述第二垂直导体是面对面设置的，所述第一垂直导体上开设有第一贯通孔。2.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第一贯通孔自所述第一垂直导体的外表面贯穿至所述第一垂直导体的内表面。3.根据权利要求2所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第一贯通孔的开孔面积占所述第一垂直导体的面积的比例是20%
‑
80%。4.根据权利要求1所述的降低交流损耗的线圈结构，其特征在于：所述第二垂直导体开设第二贯通孔，所述第二贯通孔自所述第二垂直导体的外表面贯穿至所述第二垂直导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥龙，杨鹏飞，
申请(专利权)人：厦门艾申迪电子有限公司，
类型：新型
国别省市：