一种半导体蚀刻清洁系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种半导体蚀刻清洁系统，包括蚀刻装置以及连接蚀刻装置的清洁装置，清洁装置包括冷阱、干泵及尾气处理组件，冷阱的一端连通蚀刻装置、另一端连通干泵，干泵远离冷阱的一端连通尾气处理组件；冷阱包括水冷外壳、水冷内壳及过滤网筒，水冷内壳设于水冷外壳内，水冷内壳和水冷外壳间隔设置形成有一空腔，空腔用于存储冷却水，过滤网筒包括第一网筒主体和第二网筒主体，第一网筒主体设于水冷外壳的一端、第二网筒主体设于水冷外壳的另一端，第一网筒主体和第二网筒主体之间错位对向设置。解决了现有技术中，蚀刻过程中对产生的气体聚合物过滤效果差，导致影响蚀刻的速率与精准度的技术问题。精准度的技术问题。精准度的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体蚀刻清洁系统


[0001]本技术涉及半导体制备
，特别涉及一种半导体蚀刻清洁系统。

技术介绍

[0002]当前微电子制造技术迅速发展，硅片的生产线进入技术成熟期，芯片线宽已经达到纳米级，因此相应的产品对生产环境的要求也越来越高。
[0003]在高科技领域内，芯片的加工成为了重中之重，芯片在加工过程中需要进行半导体的蚀刻处理，现有技术中通常采用干法等离子蚀刻对半导体进行加工，以便于提高蚀刻的精准度。
[0004]然而，现今半导体工艺过程中仍存在一定的缺陷，蚀刻过程中产生的气体聚合物容易吸附在蚀刻腔的内壁面进行堆积，利用真空泵对加速蚀刻腔内部气体流动的同时容易造成聚合物对滤网的堵塞，进而影响蚀刻的速率与精准度。

技术实现思路

[0005]基于此，本技术的目的是提供一种半导体蚀刻清洁系统，用于解决现有技术中，蚀刻过程中对产生的气体聚合物过滤效果差，导致影响蚀刻的速率与精准度的技术问题。
[0006]本技术提出一种半导体蚀刻清洁系统，包括蚀刻装置以及连接所述蚀刻装置的清洁装置，所述清洁装置包括冷阱、干泵及尾气处理组件，所述冷阱的一端连通所述蚀刻装置、另一端连通所述干泵，所述干泵远离所述冷阱的一端连通所述尾气处理组件；
[0007]所述冷阱包括水冷外壳、水冷内壳及过滤网筒，所述水冷内壳设于所述水冷外壳内，所述水冷内壳和所述水冷外壳间隔设置形成有一空腔，所述空腔用于存储冷却水，所述过滤网筒包括第一网筒主体和第二网筒主体，所述第一网筒主体设于所述水冷外壳的一端、所述第二网筒主体设于所述水冷外壳的另一端，所述第一网筒主体和所述第二网筒主体之间错位对向设置。
[0008]上述半导体蚀刻清洁系统，通过在蚀刻装置与干泵之间设置冷阱，通过冷阱提升对气体聚合物过滤效果，具体地，冷阱中的第一网筒主体和第二网筒主体错位对向设置，相比传统采用单根管道运输气体的结构设计，气体在冷却内壳内的停留时间更久，反应更充分，进而提升了过滤的效果，解决了现有技术中，蚀刻过程中对产生的气体聚合物过滤效果差，导致影响蚀刻的速率与精准度的技术问题。
[0009]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述第一网筒主体位于所述水冷外壳内的一端与所述第二网筒主体位于所述水冷外壳内的一端相互交叠设置。
[0010]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述第一网筒主体通过第一法兰盘可拆卸设于所述水冷外壳的一端，所述第二网筒主体通过第二法兰盘可拆卸设于所述水冷外壳的另一端。
[0011]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述第一法兰盘与所述水冷外壳之间
设有密封垫圈。
[0012]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述水冷外壳的外侧壁上设有进水管和出水管，所述进水管位于靠近所述第一网筒主体的一端，所述出水管位于靠近所述第二网筒主体的一端。
[0013]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述水冷外壳和所述水冷内壳内设有螺旋状的隔板。
[0014]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述水冷外壳的外侧壁上设有支撑架。
[0015]进一步地，所述半导体蚀刻清洁系统，其中，所述尾气处理组件为水洗尾气处理器。
附图说明
[0016]图1为本技术中半导体蚀刻清洁系统的结构示意图；
[0017]图2为本技术中冷阱的立体图；
[0018]图3为本技术中冷阱在第一视角下的剖视图；
[0019]图4为本技术中冷阱在第二视角下的剖视图；
[0020]主要元件符号说明：
[0021]蚀刻装置10冷阱20干泵30尾气处理组件40水冷外壳21水冷内壳22第一网筒主体23第二网筒主体24第一法兰盘25第二法兰盘26进水管27出水管28隔板29支撑架50
[0022]如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本技术。
具体实施方式
[0023]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的若干实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0024]需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0025]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0026]请结合图1至图4，所示为本技术中的半导体蚀刻清洁系统，包括蚀刻装置10以及连接所述蚀刻装置10的清洁装置，所述清洁装置包括冷阱20、干泵30及尾气处理组件40，所述冷阱20的一端连通所述蚀刻装置10、另一端连通所述干泵30，所述干泵30远离所述冷阱20的一端连通所述尾气处理组件40，其中，尾气处理组件40具体为水洗尾气处理器，通过水洗尾气处理器将尾气中的有害气体溶解在水里，以达到最终清洁净化的目的；
[0027]所述冷阱20包括水冷外壳21、水冷内壳22及过滤网筒，所述水冷内壳22设于所述水冷外壳21内，所述水冷内壳22和所述水冷外壳21间隔设置形成有一空腔，所述空腔用于存储冷却水，所述过滤网筒包括第一网筒主体23和第二网筒主体24，所述第一网筒主体23设于所述水冷外壳21的一端、所述第二网筒主体24设于所述水冷外壳21的另一端，所述第一网筒主体23和所述第二网筒主体24之间错位对向设置。
[0028]进一步地，所述第一网筒主体23位于所述水冷外壳21内的一端与所述第二网筒主体24位于所述水冷外壳21内的一端相互交叠设置。在实际应用中，气体从第一网筒主体23通入水冷内壳22中，当气体到达水冷内壳22的端部时折返至相对的另一端，最终从第二网筒主体24出排出，气体在折返的过程中增加了在水冷内壳22中的反应时间，在冷却水的作用下，废尾气制程物通过冷却低温附着在水冷内壳22的内壁上，不易堵塞，且干泵30的损坏率降低，从而达到顺畅的排放效果。
[0029]具体地，所述第一网筒主体23通过第一法兰盘25可拆卸设于所述水冷外壳21的一端，所述第二网筒主体24通过第二法兰盘26可拆卸设于所述水冷外壳21的另一端。其中，第一网筒主体23和第一法兰盘25一体成型设置，第二网筒主体24和第二法兰盘26一体成型设置，通过可拆卸的结构设计，便于后续拆除第一网筒主体23和第二网筒主体24对水冷内壳22中的附着物进行清理。
[0030]进一步地，所述第一法兰盘25与所述水冷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体蚀刻清洁系统，包括蚀刻装置以及连接所述蚀刻装置的清洁装置，其特征在于，所述清洁装置包括冷阱、干泵及尾气处理组件，所述冷阱的一端连通所述蚀刻装置、另一端连通所述干泵，所述干泵远离所述冷阱的一端连通所述尾气处理组件；所述冷阱包括水冷外壳、水冷内壳及过滤网筒，所述水冷内壳设于所述水冷外壳内，所述水冷内壳和所述水冷外壳间隔设置形成有一空腔，所述空腔用于存储冷却水，所述过滤网筒包括第一网筒主体和第二网筒主体，所述第一网筒主体设于所述水冷外壳的一端、所述第二网筒主体设于所述水冷外壳的另一端，所述第一网筒主体和所述第二网筒主体之间错位对向设置。2.根据权利要求1所述的半导体蚀刻清洁系统，其特征在于，所述第一网筒主体位于所述水冷外壳内的一端与所述第二网筒主体位于所述水冷外壳内的一端相互交叠设置。3.根据权利要求1所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：付勇林，李孟轩，范绅钺，文国昇，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：