深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、第一插入层、多量子阱层、第二插入层、电子阻挡层、P型AlGaN层和欧姆接触层；所述第一插入层包括依次层叠于所述N型AlGaN层上的第一MgN三维层、N型三维合并层和N型缺陷愈合层，所述第二插入层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第二MgN三维层、P型三维合并层和P型缺陷愈合层。本发明专利技术提供的深紫外发光二极管外延片能够增加深紫外LED的发光效率。发光效率。发光效率。

【技术实现步骤摘要】
深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED


[0001]本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、LED。

技术介绍

[0002]紫外发光二极管（UVLED）在生物医疗、防伪鉴定、净化(水、空气等)领域、计算机数据存储和军事等方面有着广阔的市场应用前景。
[0003]AlGaN材料中的施主和受主杂质能级均较GaN更深，而且随着Al组分的增大，AlGaN材料的禁带宽度增大，施主/受主能级不断加深，激活能持续能增加，导致载流子激活效率和浓度降低，发光效率低制约着深紫外发光二极管进一步的应用。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种深紫外发光二极管外延片，其能够增加深紫外LED的发光效率。
[0005]本专利技术所要解决的技术问题还在于，提供一种深紫外发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的深紫外发光二极管外延片。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种深紫外发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于所述衬底上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、第一插入层、多量子阱层、第二插入层、电子阻挡层、P型AlGaN层和欧姆接触层；所述第一插入层包括依次层叠于所述N型AlGaN层上的第一MgN三维层、N型三维合并层和N型缺陷愈合层，所述N型三维合并层包括交替层叠的Al
x
Ga1‑
x
N层和N型GaN层，所述N型缺陷愈合层包括交替层叠的第一InN层和N型Al
y
Ga1‑
y
N层，其中，x的取值范围为0.1~0.6，y的取值范围为0.1~0.6；所述第二插入层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第二MgN三维层、P型三维合并层和P型缺陷愈合层，所述P型三维合并层包括交替层叠的Al
a
Ga1‑
a
N层和P型GaN层，所述P型缺陷愈合层包括交替层叠的第二InN层和P型Al
b
Ga1‑
b
N层，其中，a的取值范围为0.1~0.6，b的取值范围为0.1~0.6。2.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一MgN三维层的厚度为3nm~10nm；所述第二MgN三维层的厚度为3nm~10nm。3.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Al
x
Ga1‑
x
N层和N型GaN层的交替层叠的周期数为5~20；所述Al
x
Ga1‑
x
N层的厚度为1nm~10nm；所述N型GaN层的厚度为1nm~10nm；所述N型GaN层的掺杂浓度为1
×
10
16
atoms/cm3~1
×
10
17
atoms/cm3。4.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一InN层和N型Al
y
Ga1‑
y
N层的交替层叠的周期数为1~6；所述第一InN层的厚度为0.1nm~3nm；所述N型Al
y
Ga1‑
y
N层的厚度为10nm~20nm；所述N型Al
y
Ga1‑
y
N层的掺杂浓度为1
×
10
15
atoms/cm3~1
×
10
16
atoms/cm3。5.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Al
a
Ga1‑
a
N层和P型GaN层的交替层叠的周期数为5~20；所述Al
a
Ga1‑
a
N层的厚度为1nm~5nm；所述P型GaN层的厚度为1nm~5nm；所述P型GaN层的掺杂浓度为1
×
10
17
atoms...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彩霞，印从飞，程金连，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：