一种FS-IGBT背面电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种FS

【技术实现步骤摘要】
一种FS
‑
IGBT背面电极的制备方法


[0001]本专利技术涉及功率半导体
，特别涉及一种FS
‑
IGBT背面电极的制备方法。

技术介绍

[0002]电力电子器件又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。自从绝缘栅双极型晶体管(IGBT)问世以来，因其驱动功率小而饱和压降低，在直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域得到广泛应用。
[0003]目前，被广泛应用的平面型IGBT有三种常用的内部结构第一代的穿通型IGBT、第二代的非穿通型IGBT和第三代的场截止型IGBT(FS
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IGBT)。场截止绝缘栅双极型晶体管。IGBT发展主流是FS
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IGBT，在FS
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IGBT的制备工艺中，硅片(晶圆)厚度非常薄，厚度基本在一百多微米，复杂的背面工艺大大增加碎片、弯曲的概率，总体生产技术难度大、效率低、成本高。同时，在FS
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IGBT制备中的高能氢本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FS
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IGBT背面电极的制备方法，其特征在于，包括，对正面工艺完成的硅片的背面减薄、抛光和区注入后进行退火得到带有区集电极的硅片；将所述带有区集电极的硅片进行质子辐照后进行再次退火得到背面缓冲层；将带有区集电极和背面缓冲层的硅片表面进行镀金属以及烘烤完成FS
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IGBT背面电极的制备。2.一种FS
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IGBT背面电极的制备方法，其特征在于，包括，对正面工艺完成的硅片的背面减薄、抛光和区注入后进行退火得到带有区集电极的硅片；将所述带有区集电极的硅片进行质子辐照得到带有质子辐照的硅片；将带有区集电极和质子辐照的硅片的表面镀金属和烘烤完成FS
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IGBT背面电极的制备。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述区注入包括，注入硼离子。4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述质子辐照的影响区域的宽度根据降能片厚度调节，所述质子辐照的影响区域的宽度为5
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50μm。5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王婉琳，吕银龙，葛涛，
申请(专利权)人：北京核力同创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：