镍纳米线及其制造方法技术

技术编号:37507624 阅读:72 留言:0更新日期:2023-05-07 09:45
本发明专利技术可提供一种镍纳米线,其可形成耐高温性充分优异的无纺布等结构体,且磁特性充分优异。本发明专利技术涉及一种镍纳米线,其具有面心立方晶格结构,且(111)晶格面方向的微晶尺寸为15nm以上,且饱和磁化率为20emu/g以上。且饱和磁化率为20emu/g以上。且饱和磁化率为20emu/g以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】镍纳米线及其制造方法


[0001]本专利技术涉及镍纳米线及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于镍纳米线为强磁性体,因而不仅可用作透明导电膜或高介电常数材料这样的导电材料,也可以用作电波吸收材料等磁性材料。纳米线的特征是利用纤维形状的各向异性(较高的长径比)而发挥渗透性或磁各向异性,可得到粒子所无法得到的性能(专利文献1)。
[0003]例如,专利文献1公开的镍纳米线,是利用1种镍盐的还原进行制造,(111)晶格面方向的微晶尺寸超过10nm且小于15nm。。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:国际公开2019/073833号小册子

技术实现思路

[0007]本专利技术的专利技术人等发现现有的镍纳米线会发生耐高温性差的问题。
[0008]详细而言,镍纳米线根据假设的电池电极部件或电容器等用途,会有在高温环境下使用或处理的情况。例如,含镍纳米线的无纺布等结构体在高温环境下会产生收缩和/或熔接,其结果是,产生因形状变化导致的体积变化。因此,该结构体会有容易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种镍纳米线,其具有面心立方晶格结构,(111)晶格面方向的微晶尺寸为15nm以上,饱和磁化率为20emu/g以上。2.根据权利要求1所述的镍纳米线,其中,平均直径为50nm以上且小于1μm。3.根据权利要求1或2所述的镍纳米线,其中,所述镍纳米线的六方最密堆积结构相对于面心立方晶格结构的含有比例即hcp/fcc为0.2以下。4.根据权利要求1~3中任一项所述的镍纳米线,其中,所述镍纳米线由仅具有面心立方晶格结构的镍构成。5.根据权利要求1~4中任一项所述的镍纳米线,其中,平均长度为10μm以上。6.根据权利要求1~5中任一项所述的镍纳米线,其中,(110)晶格面方向的微晶尺寸为10nm...

【专利技术属性】
技术研发人员:竹田裕孝山田千夏子
申请(专利权)人:尤尼吉可株式会社
类型:发明
国别省市:

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