【技术实现步骤摘要】
射频信号处理电路
[0001]本申请基于申请号为202010005215.8、申请日为2020年01月03日的中国专利申请提出，是该中国专利申请的分案申请，该中国专利申请的全部内容在此引入本申请作为参考。
[0002]本专利技术实施例涉及射频信号处理技术，尤其涉及一种射频信号处理电路。
技术介绍
[0003]随着通信技术的发展，对射频功放的性能提出更高的要求，而射频放大器作为射频前端重要的组成部分，可实现射频信号的放大。然而，射频放大器中，以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)器件为例，源极、栅极和漏极两两之间存在寄生电容，从而有部分输入信号被寄生电容吸收，使得输出端输出信号减小，造成增益较低，效率降低，饱和功率稍恶化。并且，随着无线通信使用的频率越来越高，器件中的寄生电容变得越来越大，也使得寄生电容所导致的增益恶化更加明显。
技术实现思路
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频信号处理电路，其特征在于，所述射频信号处理电路，包括：第一路径和第二路径；其中，所述第一路径包括射频放大器件；所述第二路径的一端通过所述射频放大器件接入所述第一路径；所述第二路径的另一端接地；所述射频信号处理电路还包括接入所述第一路径的输入端的谐振模块，所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块的第一端接入所述第一路径的输入端，且与所述射频放大器件用于接收输入信号的第二端相连接，所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块的第二端接入所述第二路径；所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块用于提高连接的射频放大器件的功率增益。2.根据权利要求1所述的射频信号处理电路，其特征在于，所述射频放大器件包括：第一射频放大器件，所述第一射频放大器件的第二端与输入端连接；所述第一射频放大器件的第三端与输出端连接；所述第二路径包括第二电感；所述第二电感的第一端与所述第一射频放大器件的第一端、所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块的第二端相连接；所述第二电感的第二端接地。3.根据权利要求1所述的射频信号处理电路，其特征在于，所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块通过与所述射频放大器件的寄生电容进行阻抗匹配，提高连接的射频放大器件的功率增益。4.根据权利要求1所述的射频信号处理电路，其特征在于，所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块包括第一电容和第一电感；所述第一电容的第一端接入所述第一路径，并与所述射频放大器件的所述第二端相连接；所述第一电容的第二端与所述第一电感的第一端连接；所述第一电感的第二端接入所述第二路径，并与所述射频放大器件的第一端相连接。5.根据权利要求1所述的射频信号处理电路，其特征在于，所述射频放大器件包括：第一射频放大器件和第二射频放大器件；其中，所述第一射频放大器件的第二端与输入端连接；所述第二射频放大器件的第一端与所述第一射频放大器件的第三端连接；所述第二射频放大器件的第三端与输出端连接；所述第二路径包括第二电感；所述第二电感的第一端与所述第一射频放大器件的第一端连接；所述第二电感的第二端接地；所述接入所述第一路径的输入端的谐振模块的第一端、第二端分别与所述第一射频放大器件的第二端、第一端相连接。6.根据权利要求1所述的射频信号处理电路，其特征在于，所述射频信号处理电路还包括接入所述第一路径的输出端的谐振模块，所述接入所述第一路径的输出端的谐振模块的一端接入所述第一路径的输出端，且与所述射频放大器件的输出端相连接，另一端接入所述第二路径；所述接入所述第一路径的输出端的谐振模块用于产生与连接的所述射频放大器件反向的谐振电流。7.根据权利要求6所述的射频信号处理电路，其特征在于，每个所述谐振模块均包括第一电容和第一电感；所述第一电容的第一端接入所述第一路径；所述第一电容的第二端与所述第一电感的第一端连接；所述第一电感的第二端接入所述第二路径。8.根据权利要求7所述的射频信号处理电路，其特征在于，所述射频放大器件包括：第
一射频放大器件，所述第一射频放大器件的第二端与输入端连接；所述第一射频放大器件的第三端与输出端连接；所述第二路径包括第二电感；所述第二电感的第一端与所述第一射频放大器件的第一端连接；所述第二电感的第二端接地；所述射频信号处理电路包括接入所述第一路径输出端的第一谐振模块和接入所述第一路径的输入端的第二谐振模块；其中，所述第一谐振模块中的第一电容的第一端与所述第一射频放大器件的第三端连接；所述第一谐振模块中的第一电容的第二端与所述第一谐振...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏强，戴大杰，彭振飞，
申请(专利权)人：广州慧智微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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