存储器装置、存储器模块和存储器控制器的操作方法制造方法及图纸

提供存储器装置、存储器模块和存储器控制器的操作方法。存储器装置包括：存储器单元阵列包括存储数据的正常区域和存储数据的奇偶校验位的奇偶校验区域；以及纠错码(ECC)引擎。ECC引擎被配置为基于第一数据和奇偶校验位确定第一数据中是否存在错误，并且响应于从存储器控制器接收到不纠正读取命令，输出处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置、存储器模块和存储器控制器的操作方法
[0001]本申请要求于2021年10月29日提交到韩国知识产权局的第10
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2021
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0147163号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思的实施例涉及存储器装置，更具体地，涉及易失性存储器装置、包括易失性存储器装置的存储器模块和存储器控制器的操作方法。

技术介绍

[0003]用于服务器的存储器可保证可靠性、可用性和可扩展性(RAS)，并且利用错误检测和纠正功能来保持数据完整性。纠错码(ECC)操作可在存储器模块层级被执行，以存储器单元为单位纠正错误的裸片上ECC(on
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die ECC)技术可用于存储器芯片。一个错误可通过裸片上ECC操作(单错误纠正，SEC)而被纠正。
[0004]通过裸片上ECC操作不能被纠正的错误可发生。例如，发生两个错误的情况被视为RAS无法被保证的范围内的错误。另外，其他错误还可由于用于纠正两个错误的裸片上ECC操作而发生。从接收误纠正的数据的主机的角度来看，可能难以区分数据中的错误是存储器单元中生成的错误还是由裸片上ECC操作的故障导致的错误。

技术实现思路

[0005]专利技术构思的实施例提供存储器装置、包括存储器装置的存储器模块和存储器控制器的操作方法，存储器装置通过去激活裸片上纠错码(ECC)操作来输出处于包括错误位的状态的数据。
[0006]根据专利技术构思的实施例，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括存储第一数据的正常区域和存储所述数据的奇偶校验位的奇偶校验区域；以及ECC引擎，被配置为基于第一数据和奇偶校验位确定第一数据中是否存在错误。ECC引擎还被配置为：响应于从存储器控制器接收到不纠正读取命令，输出处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。
[0007]根据专利技术构思的实施例，一种存储器控制器的操作方法包括：将正常读取命令发送到存储器装置；响应于正常读取命令，接收通过存储器装置的裸片上纠错码(ECC)操作误纠正第一数据而生成的误纠正的数据；将用于接收处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据的第一不纠正读取命令发送到存储器装置；并且从存储器装置接收第二数据。
[0008]根据专利技术构思的实施例，一种存储器模块包括：印制电路基底；以及安装在印制电路基底上的多个存储器芯片。所述多个存储器芯片中的每个包括：存储第一数据的存储器单元阵列；以及纠错码(ECC)引擎，被配置为：响应于从存储器控制器接收到正常读取命令，纠正第一数据中的错误位并且输出纠正后的数据，并且响应于从存储器控制器接收到不纠正读取命令，输出处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。ECC引擎还被配置
为：响应于正常读取命令，将通过误纠正第一数据中的错误位而生成的误纠正的数据发送到存储器控制器，并且响应于错误纠正数据的发送来接收不纠正读取命令。
附图说明
[0009]专利技术构思的上述和其他特征将根据下面结合附图的详细描述而被更清楚的理解，其中：
[0010]图1是根据示例实施例的存储系统的框图；
[0011]图2是根据示例实施例的数据芯片的框图；
[0012]图3是根据示例实施例的数据芯片的一部分的框图；
[0013]图4是根据示例实施例的以8位(X8)操作的数据芯片的一部分的框图；
[0014]图5示出根据示例实施例的数据的示例；
[0015]图6示出根据示例实施例的存储器装置的输入/输出引脚的示例；
[0016]图7示出根据示例实施例的存储器装置的正常读取命令真值表的示例；
[0017]图8是根据示例实施例的纠错码(ECC)引擎的框图；
[0018]图9至图11各自示出根据示例实施例的ECC引擎的操作的示例；
[0019]图12A和图12B是各自示出根据示例实施例的读取重试操作的流程图；
[0020]图13是示出根据示例实施例的数据清理操作的流程图；
[0021]图14是示出根据示例实施例的存储器装置应用于计算系统的示例的框图；
[0022]图15是根据示例实施例的包括存储系统的服务器系统的框图。
具体实施方式
[0023]在下文中，将参照附图详细描述专利技术构思的实施例。贯穿附图，相同的参考标号表示的相同的元件。
[0024]将理解，术语“第一”、“第二”、“第三”等在此使用以将一个元件与另一个元件区分开，并且元件不受这些术语限制。因此，实施例中的“第一”元件可在另一个实施例中被描述为“第二”元件。
[0025]应理解，除非上下文另外清楚地指示，否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为是可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。
[0026]如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也意在包括复数形式。
[0027]图1是根据示例实施例的存储系统10的框图。
[0028]参照图1，存储系统10可包括存储器装置100和存储器控制器(或控制器)200。存储器控制器200可控制存储系统10的所有操作，并且可控制主机与存储器装置100之间的数据交换。例如，存储器控制器200可通过将各种类型的命令应用于存储器装置100来控制存储器装置100的操作。存储器控制器200可根据主机的请求通过控制存储器装置100来写入或读取数据。
[0029]存储器控制器200可通过缓冲器芯片130将地址ADDR、命令CMD和数据DATA(例如，写入数据)发送到存储器装置100和从存储器装置100接收地址ADDR、命令CMD和数据DATA(例如，读取数据)。在一个实施例中，存储器控制器200还可通过缓冲器芯片130将时钟信号
和控制信号发送到存储器装置100和从存储器装置100接收时钟信号和控制信号。
[0030]根据实施例，存储器控制器200可将正常读取命令r_CMD和不纠正读取命令NECC_CMD发送到存储器装置100。正常读取命令r_CMD可以是用于读取纠正后的数据的命令，纠正后的数据可作为通过存储器装置100的裸片上(on
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die)纠错码(ECC)操作纠正数据中的错误的结果而被生成。不纠正读取命令NECC_CMD可以是用于从存储器装置100去激活裸片上ECC操作并读取数据的命令。正常读取命令r_CMD和不纠正读取命令NECC_CMD将在下面被进一步详细描述。
[0031]存储器装置100可包括多个数据芯片(例如，DRAM)110、ECC芯片120和缓冲器芯片(RCD)130。根据实施例，多个数据芯片110可各自包括动态随机存取存储器(DRAM)(诸如，例如，双倍数据率同步动态随机存取存储器(DRR SDRAM)、低功率双倍数据率(LPDDR)SDRAM、图形双倍数据率(GDDR)SDRAM、Rambus动态随机存取存储器(RDRAM)或利用纠错操作的任何易失性存储器)。
[0032]存储器装置100可被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括存储第一数据的正常区域和存储第一数据的奇偶校验位的奇偶校验区域；以及纠错码ECC引擎，被配置为基于第一数据和奇偶校验位确定第一数据中是否存在错误，其中，ECC引擎还被配置为：响应于从存储器控制器接收到不纠正读取命令，输出处于第一数据中的错误位未被纠正的状态的第二数据。2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：多个引脚，连接到存储器控制器；以及命令解码器，被配置为基于所述多个引脚中的至少一个分别地接收正常读取命令和不纠正读取命令，其中，正常读取命令被配置为纠正第一数据中的错误位。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述多个引脚中的所述至少一个包括：正常读取命令的无关引脚。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述多个引脚中的所述至少一个包括：命令/地址引脚。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，第一数据包括128位，并且奇偶校验位包括8位。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，错误位包括n位，n是正整数，并且ECC引擎还被配置为：响应于正常读取命令，生成通过纠正错误位获得的纠正后的数据。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，存储器装置的突发长度是16，所述多个引脚包括八个数据输入/输出引脚，第一数据基于数据输入/输出引脚和突发长度被划分为四个数据单元，错误位是所述四个数据单元中的任何一个数据单元中的第一错误位和第二错误位之一，并且ECC引擎响应于正常读取命令误纠正第一错误位和第二错误位。8.根据权利要求2至5中的任何一项所述的存储器装置，其中，ECC引擎包括：校正子生成器，被配置为基于第一数据和奇偶校验位计算校正子数据，并且校正子生成器还被配置为：响应于从命令解码器接收到基于不纠正读取命令的控制信号，总是将校正子数据输出为第一值。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，第一值包括0。10.根据权利要求2至5中的任何一项所述的存储器装置，其中，ECC引擎还被配置为：响应于从命令解码器接收到基于不纠正读取命令的控制信号，绕过对第一数据的纠错处理并且直接输出第二数据。11.根据权利要求2至5中的任何一项所述的存储器装置，其中，ECC引擎还被配置为：响应于从命令解码器接收到基于不纠正读取命令的控制信号，通过纠正错误位生成纠正后的数据，并且输出第二数据而不是纠正后的数据。12.根据权利要求1至5中的任何一项所述的存储器装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐德浩，高兑京，金南亨，金大正，金度翰，李浩荣，崔仁寿，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：