一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法，属于光电子领域，GaP电流扩展层上生长有纳米ITO层和P电极；GaP电流扩展层上的发光点区域之外被刻蚀至N

【技术实现步骤摘要】
一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法，属于光电子


技术介绍

[0002]一般红点瞄具使用的光源芯片出的光通过透镜时,有部分光会被透镜反射,而被透镜反射回的光点又会被芯片功能区、键合导线再次反射，即传统的芯片功能区、键合导线表面光滑，反射面在一个平面上，光线经反射后大体上按反射规律向一个方向平行射出，在其他方向的光线较少，其他方向难以看清物体，即引起反光,反射现象对发射出的红点造成影响,形成光斑或重影,严重影响红点的整体效果。
[0003]传统的LED灯珠封装工艺无法消除上面所述的反射效应，因此需要提出一种光源芯片结构化工艺，消除光源的反射效应，进而解决光斑或重影对红点的影响，提高发射红点的效果，使红点点更加清晰、精确。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提出一种表面结构化的红点瞄具光源芯片及其制备方法，通过MOCVD采用低温抑制生长电流扩展层、纳米ITO等技术创新，并将红点瞄具光源芯片发光区域外反射光的部分进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面结构化的红点瞄具光源芯片，其特征在于，由下自上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、DBR反射层、N
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AlInP下限制层、多量子阱有源区、P
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AlInP上限制层和GaP电流扩展层；所述GaAs衬底上设有N电极，所述GaP电流扩展层上生长有纳米ITO层和P电极；所述GaP电流扩展层上的发光点区域之外被刻蚀至N
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AlInP下限制层，暴露出的N
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AlInP下限制层上设置有表面粗糙的结构化层；所述纳米ITO层、GaP电流扩展层、P
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AlInP上限制层、多量子阱有源区、结构化层表面制备有SiO2绝缘层。2.一种权利要求1所述的表面结构化的红点瞄具光源芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在GaAs衬底上通过MOCVD生长外延片，依次生长GaAs缓冲层、DBR反射层、N
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AlInP下限制层、多量子阱有源区、P
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AlInP上限制层；(2)先低温生长一厚150
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170nm的薄层GaP，然后高温生长1.5
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2微米的厚层GaP，形成GaP电流扩展层；(3)将外延片N面向下、P面向上放置到电子束蒸发台内，在GaP电流扩展层上蒸镀纳米ITO层，该纳米ITO层覆盖在整个外延片表面；(4)LED外延片表面的GaP电流扩展层上发光点区域以外刻蚀外刻蚀至N
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AlInP下限制层；(5)将步骤(4)刻蚀完成的晶片，放置在匀胶机中涂覆光刻胶，通过显影光刻胶覆盖住电极及发光点区域，然后放入碘酸、96
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98％的硫酸、氢氟酸、水的混合溶液中进行表面结构化；(6)在步骤(5)得到的晶片上表面制备SiO2绝缘层；(7)在步骤(6)的SiO2绝缘层上制作P电极，P电极与发光图形相接触；(8)将衬底通过研磨的方式进行晶片减薄；(9)通过电子束蒸镀制作N电极，完成；(10)采用激光划片和金刚刀切割方式得到表面结构化的红点瞄具光源芯片。3.根据权利要求2所述的表面结构化的红点瞄具光源芯片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，通过AlGaInP外延材料有序化抑制技术分别完成各外延层的生长。4.根据权利要求2所述的表面结构化的红点瞄具光源芯片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，生长薄层GaP的温度为600
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630℃，生长厚层GaP的温度为720
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【专利技术属性】
技术研发人员：闫宝华，吴向龙，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：