发光元件制造技术

技术编号:37301310 阅读:27 留言:0更新日期:2023-04-21 22:47
本发明专利技术公开一种发光元件,其包含:基板结构,包含基底部,其具有表面以及多个凸出部位于基底部之上,多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上;以及缓冲层,其覆盖于多个凸出部及表面上,其中,缓冲层包含氮化铝材料且具有一厚度大于5nm及不超过50nm;以及

【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号:201910348458.9,申请日:2019年04月28日,专利技术名称:发光元件)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种发光元件,尤其是涉及一种具有基板结构的发光元件。

技术介绍

[0003]发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯,发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点,因此发光二极管已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种发光元件,包含:基板结构,包含基底部,其具有表面以及多个凸出部位于基底部之上,多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上;以及缓冲层,其覆盖于多个凸出部及表面上,其中,缓冲层包含氮化铝材料且具有一厚度大于5nm及不超过50nm;以及
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体层,位于缓冲层上;其中,多个凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分,第一部分一体成形于基底部,且第二部分的材料与第一部分的材料不同;以及第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包含:基板结构,包含基底部,其具有表面以及多个凸出部位于该基底部之上,该多个凸出部以二维阵列方式排列于该基底部的该表面上;缓冲层,其覆盖于该多个凸出部及该表面上,其中,该缓冲层包含氮化铝材料且具有厚度大于5nm及不超过50nm;以及
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体层,位于该缓冲层上;其中,该多个凸出部各包含第一部分以及位于该第一部分上的第二部分,该第一部分一体成形于该基底部,且该第二部分的材料与该第一部分的材料不同;以及其中,该第一部分的高度占该凸出部的高度的1%至30%(两者都含)。2.如权利要求1所述的发光元件,其中在该基板结构的剖视图中,该多个凸出部其中之一与该基底部的该表面间形成夹角,该夹角小于65度。3.如权利要求1所述的发光元件,其中该第一材料的折射率比该第二材料的折射率小。4.如权利要求1所述的发光元件,其中该多个凸出部其中之一具有底部宽度,该凸出部的该高度与该底部宽度的比值大于0且不大于0.5;及/或该多个凸出部的该高度分别不大于1.5μm。5.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鹏壬邱于珊林文祥王士玮欧震
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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