像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素构造，具有像素电极（２０）、与该像素电极（２０）对应的开关元件（１０）。像素电极（２０）和开关元件（１０）被形成于同一基板（Ｐ）上，像素电极（２０）被配置于基板（Ｐ）侧的层（第１层Ｌ１）中，而不是开关元件（１０）的半导体层（１１）中。根据本发明专利技术，可以提供制造工艺的半导体层的热的限制的影响少、有利于低成本化的像素构造。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及 电子设备。
技术介绍
例如在有源矩阵方式的液晶显示装置中，在每个像素中设有开关元件，借助该开关元件进行各像素的开关动作。作为开关元件，例如使用TFT(薄膜晶体管)。 作为具有TFT的有源矩阵基板的制造方法，一般来说是在形成了栅电极及半导体层(例如无定形硅层及N型硅层)后，层叠形成电极配线(源线、漏线等)或像素电极(透光性导电膜等)(例如参照专利文献1)。专利第3261699号公报 在有源矩阵基板的制造工艺中，对于成膜后的半导体层有热的限制。例如当对成 膜后的半导体层施加250 30(TC左右以上的热时，则会有伴随着脱氢产生的元件特性的 恶化的情况。这样的半导体层的热的限制由于对在半导体层之后所形成的电极配线或像素 电极的形成方法造成制约，因此成为实现制造工艺的低成本化的工艺适用性上的障碍。
技术实现思路
本专利技术是鉴于所述情况而完成的，其目的在于，提供制造工艺的半导体层的热的 限制的影响小、有利于低成本化的像素构造及具有该像素构造的有源矩阵基板的制造方 法。 本专利技术的像素构造是具有像素电极、与该像素电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素构造，其具有像素电极；和与该像素电极对应的开关元件，其中，所述像素电极和所述开关元件被形成于同一基板上，每个像素电极被配置于所述基板的层中，而不是所述开关元件的半导体层中；和形成在所述基板上的绝缘膜，该绝缘膜包括多个开口部，所述像素电极和所述开关元件形成在所述多个开口部的各个开口部中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：傅田敦，野田洋一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]