本发明专利技术提供一种可维持耐硫化特性的同时，即使在低电阻下也能够确保低TCR的芯片电阻器。本发明专利技术的芯片电阻器1具备：绝缘基板2、设置于绝缘基板2的表面两端部的一对前电极3、连接两前电极3之间的电阻体5、设置于电阻体5上的底涂层6、设置于底涂层6上的外涂层7、在远离绝缘基板2的端面的位置跨过前电极3和电阻体5的连接部分的方式而设置的导电性辅助膜8、向绝缘基板2的两端面延伸而与前电极3连接的一对端面电极9、以及覆盖端面电极9和前电极3及辅助膜8的一对外部镀层10，并且辅助膜8由含有Ag等金属粒子的树脂材料形成，辅助膜8的一部分被包夹于底涂层6和外涂层7之间。被包夹于底涂层6和外涂层7之间。被包夹于底涂层6和外涂层7之间。
【技术实现步骤摘要】
芯片电阻器及芯片电阻器的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种芯片电阻器及其制造方法。
技术介绍
[0002]一般而言，芯片电阻器主要由下列构成：长方体形状的绝缘基板；于绝缘基板的表面以规定间隔存在而对向配置的一对前电极；于绝缘基板的背面以规定间隔存在而对向配置的一对背电极；将前电极与背电极导通的一对端面电极；覆盖这些各电极的一对外部镀层；将成对的前电极彼此桥接的电阻体；覆盖电阻体的绝缘性保护膜等。
[0003]在这种芯片电阻器中，通常在前电极使用电阻率低的Ag(银)系的金属材料，并形成外部镀层覆盖这前电极的构成，但由于腐蚀性强的硫化气体等容易从外部镀层和保护膜的边界部分的间隙侵入，所以有前电极和保护膜的边界位置中的前电极部分被硫化气体等腐蚀而导致电阻值变化、断线等不良状况的担忧。
[0004]因此，以往如图9a所示，已提出在前电极101的上面形成以含有金属粒子和碳粒子的树脂构成的辅助膜100，通过将这个辅助膜100配置在外部镀层102和保护膜103的边界位置，以辅助膜100阻挡硫化气体从外部镀层102和保护膜103的边界部分侵入，从而作成前电极101不暴露于硫化气体的芯片电阻器(例如，参考专利文献1)。
[0005]在这种芯片电阻器中，形成外部镀层的情况，与无电解电镀相比，由于具有价格便宜并且处理时间也短等优点，所以电解电镀被广泛采用。在前述电解电镀，由于在具有导电性的被镀物的表面上形成镀层，如图9a所示，外部镀层102以覆盖端面电极104和辅助膜100的表面的方式形成。而且，在图9a和图9b中，各自以符号105表示绝缘基板，以符号106表示电阻体，以符号107表示背电极。
[0006][现有技术文献][0007][专利文献][0008][专利文献1]日本专利第5957693号
技术实现思路
[0009][专利技术所欲解决问题][0010]顺便一提，在低电阻(例如，100mΩ以下)的芯片电阻器，由于前电极的电阻值对芯片电阻器整体的电阻值有影响，因此随着芯片电阻器电阻越低，TCR会增加。前述图9a所示的芯片电阻器中，由于辅助膜100和电阻体106之间有保护膜103的一部分进入的构成，而于外部镀层102与电路板的焊盘焊接的封装状态，从外部镀层102供给的电流，如图9b的箭头所示，从辅助膜100通过保护膜103正下方的前电极101而流向电阻体106。其结果，由于从电极区域(包含前电极101和外部镀层102及辅助膜100的整体)到电阻体106的电流路径中的辅助膜100和电阻体106间的前电极101的长度变长，位于前述部分的前电极101的电阻值成分变大，因此TCR会劣化。
[0011]又，在前述图9a所示的芯片电阻器中，从外部镀层102和保护膜103的边界部分侵
入的硫化气体会被辅助膜100阻挡，但保护膜103由环氧树脂等树脂材料形成的情况，特别是在耐湿气氛下，由于无法忽视透过保护膜103内的硫化气体，而位于保护膜103正下方的前电极101会容易被硫化。
[0012]本专利技术是鉴于上述现有技术的实际情况而完成，第1目的在于提供一种可维持耐硫化特性的同时，即使在低电阻下也能够确保低TCR的芯片电阻器，第2目的在于提供这种芯片电阻器的制造方法。
[0013][解决问题的手段][0014]为达成上述第1目的，本专利技术的芯片电阻器的特征在于具备：长方体形状的绝缘基板；设置于前述绝缘基板的主面两端部的一对电极；将一对前述电极之间连接的电阻体；设置于前述电阻体上的绝缘性的第1保护膜；设置于前述第1保护膜上的绝缘性的第2保护膜；在远离前述绝缘基板的端面的位置跨过前述电极和前述电阻体的连接部分的方式而设置的导电性辅助膜；向前述绝缘基板的两端面延伸而与前述电极连接的一对端面电极；和覆盖前述端面电极和前述电极及前述辅助膜的一对外部镀层，并且前述辅助膜由比前述电极难以硫化的材料形成，其一部分被包夹于前述第1保护膜和前述第2保护膜之间。
[0015]在这样构成的芯片电阻器中，辅助膜存在于外部镀层与第2保护膜相接的边界部分的内部，这种辅助膜由比电极更难硫化的材料形成的同时，由于其一部分被包夹于第1保护膜和第2保护膜之间，所以以辅助膜阻挡硫化气体从外部镀层和第2保护膜的边界部分侵入而不会到达电极，而可防止电极的硫化。此外，通过在跨越电极和电阻体的连接部分的位置形成辅助膜，可缩短从电极区域(包含前电极和外部镀层及辅助膜的整体)到电阻体的电流路径中的辅助膜与电阻体间的电极长度，又，由于辅助膜的厚度使电流容易流动，降低电极部的电阻值，因而即使在低电阻下也可确保低TCR。
[0016]在上述构成的芯片电阻器中，辅助膜的材料只要具有导电性则没有特别限制，辅助膜为含有碳粒子、金属粒子等导电粒子的树脂材料时，可容易形成辅助膜而为优选。
[0017]另外，在上述构成的芯片电阻器中，电阻体中的与电极的连接部分成为未被第1保护膜覆盖的露出部，这个露出部整体被辅助膜覆盖时，可在辅助膜未覆盖的位置处增加与外部镀层连接的电极面积，换言之，由于位于从电极区域通过辅助膜到电阻体的电流路径上的电极长度缩短，电极部的电阻值降低，而可以有效地抑制TCR的劣化。
[0018]另外，在上述构成的芯片电阻器中，相对于电阻体的电极间方向的长度，第1保护膜和第2保护膜两者都被设定为较短时，辅助膜位于电阻体和电极的连接部分的上方部，在这个辅助膜的上方部进一步形成外部镀层，因而成为电极的整个面被外部镀层覆盖的形态，可降低电极部的电阻率而TCR提高。
[0019]另外，在上述构成的芯片电阻器中，相对于电极中的与电阻体的连接部分的厚度，其他部分的厚度较厚地形成时，则由于在电极和电阻体的边界位置处会产生凹状的台阶，因而在这个台阶部分上可高精度地形成辅助膜。
[0020]为了达成上述第2目的，本专利技术的芯片电阻器的制造方法的特征包含：在绝缘基板上形成电阻体和与前述电阻体的两端部连接的电极的步骤；形成由玻璃材料制成的第1保护膜以覆盖前述电阻体的至少一部分的步骤；在跨过前述电极和前述电阻体的连接部分的位置处形成由含有导电粒子的树脂材料制成的辅助膜的步骤；形成由树脂材料制成的第2保护膜以覆盖前述辅助膜的一部分和前述第1保护膜的步骤；将金属粒子溅射于前述绝缘
基板的端面而形成与前述电极连接的端面电极的步骤；以及施加电解电镀而形成覆盖前述端面电极和前述电极及前述辅助膜的外部镀层的步骤。
[0021]在上述构成的芯片电阻器的制造方法中，作为形成辅助膜的前步骤，进一步包含除了在与电阻体的连接部分的部分的电极上形成第2电极的步骤，通过形成第2电极而在电极中与电阻体的边界位置处产生凹状的台阶，因而在这个台阶部分上形成由树脂材料制成的辅助膜时，通过台阶而抑制树脂流到第2电极上，因而可高精度地形成辅助膜。
[0022][专利技术技术效果][0023]依据本专利技术，可提供维持耐硫化特性的同时，即使于低电阻也可确保低TCR的芯片电阻器。
附图说明
[0024]图1是涉及第1实施方式的芯片电阻器的平面图。
[00本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻器，其特征在于，包括：长方体形状的绝缘基板、设置于前述绝缘基板的主面两端部的一对电极、将一对前述电极间连接的电阻体、设置于前述电阻体上的绝缘性的第1保护膜、设置于前述第1保护膜上的绝缘性的第2保护膜、在远离前述绝缘基板的端面的位置跨接前述电极和前述电阻体的连接部分的方式而设置的导电性辅助膜、向前述绝缘基板的两端面延伸而与前述电极连接的一对端面电极、以及覆盖前述端面电极和前述电极及前述辅助膜的一对外部镀层，并且前述辅助膜由比前述电极难以硫化的材料形成，其一部分被包夹于前述第1保护膜和前述第2保护膜之间。2.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，前述辅助膜是由含有导电粒子的树脂材料制成。3.根据权利要求1或2所述的芯片电阻器，其特征在于，前述电阻体中的与前述电极的连接部分成为没有被前述第1保护膜覆盖的露出部，这个露出部的整体被前述辅助膜覆盖。4.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，相对于前述电阻体的电极间方...
【专利技术属性】
技术研发人员：木村太郎，
申请(专利权)人：KOA株式会社，
类型：发明
国别省市：
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