一种纳米通道原位可控疏水改性方法技术

技术编号:37479015 阅读:20 留言:0更新日期:2023-05-07 09:20
本发明专利技术公开了一种纳米通道原位可控疏水改性方法,包括将用光刻

【技术实现步骤摘要】
一种纳米通道原位可控疏水改性方法


[0001]本专利技术涉及一种纳米通道原位可控疏水改性方法,属于石油化工领域页岩油气的开发


技术介绍

[0002]我国页岩油气储量丰富,储层微纳米孔隙大量发育,特别是纳米孔隙,页岩油气主要赋存于微纳米孔隙中,储层内发育的微纳米孔隙是制约页岩油气高效开发的关键,如美国Eagle Ford页岩储层孔隙直径为5

2500nm,长庆鄂尔多斯盆地延长组致密储层孔隙直径为30

900nm,新疆吉木萨尔芦草沟组页岩油储层典型孔隙直径为300nm。我国陆相页岩油储层的润湿性行为较复杂,属于混合润湿偏油湿。发育的纳米级孔隙结构、致密的基质和复杂的润湿性行为导致原油在基质中很难被采出。如果将基质改为水湿,水将在毛管力的作用下进入基质,将其中的原油驱赶至裂缝,从而提高采收率。对于非常规气藏而言将基质改为水性润湿会增加天然气的渗透率,但是过分水湿有会限制天然气从基质进入裂缝。因此在理论上存在最佳润湿性,在该润湿条件下采收率和注入压力达到相对最佳。实验室研究纳米孔隙内流体传输规律基本需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米通道原位可控疏水改性方法,其特征在于,包括以下步骤:A、将用光刻

阳极键合工艺加工的具有纳米通道的芯片依次置于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗,并用氮气吹干;B、对经过步骤A处理的芯片进行注水实验,试验结束后在去离子水中清洗芯片,并用氮气吹干;C、将步骤B中吹干的芯片放入Piranha溶液中水浴加热,同时使用磁力搅拌加速溶液进入纳米通道,使通道表面被充分羟基化;D、将经过步骤C处理的芯片放在去离子水中超声清洗,并用氮气吹干;E、再对经过步骤D处理的芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水清洗芯片,并用氮气吹干;F、将经过步骤E处理的芯片浸入疏水改性剂溶液中,同时进行超声波处理,完成通道表面的疏水改性;G、取出经过步骤F处理的芯片,依次用丙酮、乙醇和去离子水进行超声洗涤,并用氮气吹干;H、最后再对经过步骤F处理的芯片进行注水实验,试验结束后用去离子水清洗芯片,并用氮气吹干。2.根据权利要求1的一种纳米通道原位可控疏水改性方法,其特征在于,所述步骤A中的芯片有16条平行的纳米通道,每条纳米通道的宽度范围为5

500微米,长度范围为10

4000微米,深度范围为5

1000纳米,纳米通道间隔为10

100微米,纳米通道两端分别于与两条微通道相连,微通道两端的二氧化硅被打出四个与外界相连的小孔,其中微通道的宽度范围为50

500微米,深度范围为1

100微米。3.根据权利要求1的一种纳米通...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏兵王旭成王典林张翔王静懿谢钦宇
申请(专利权)人:西南石油大学
类型:发明
国别省市:

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