压电扬声器及其制备方法、电子设备技术

一种压电扬声器及其制备方法、电子设备，涉及扬声器技术领域。该扬声器包括衬底、设于衬底相对两面的第一振膜和第二振膜、设于第一振膜上的第一有源发声区、设于第二振膜上的第二有源发声区以及两端分别与第一振膜和第二振膜连接的驱动推杆；第一有源发声区和第二有源发声区均包括层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；第一电极层、压电层、第二电极层和声腔在衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；第一振膜具有围绕发声有源区设置的第一褶皱结构，第一褶皱结构通过在第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的相对两个表面的第一凹槽呈交错设置。该压电扬声器能够提高发声声压级、工作相对带宽。宽。宽。

【技术实现步骤摘要】
压电扬声器及其制备方法、电子设备


[0001]本专利技术涉及扬声器
，具体而言，涉及一种压电扬声器及其制备方法、电子设备。

技术介绍

[0002]扬声器是一种将电学信号转换为声音信号的换能器件，微型扬声器现已大量应用在消费性电子产品中。MEMS扬声器为通过微电子和微机械加工技术制造出来的一类扬声器，由于使用了MEMS工艺，相较传统微型扬声器制备工艺，使其具有可批量生产、易集成、尺寸精度高易控制、成本低等优点。MEMS扬声器从工作原理上一般分为三类：电磁式MEMS扬声器、静电式MEMS扬声器和压电式MEMS扬声器。其中，压电式MEMS扬声器结构简单、无需软磁等特殊材料，使得加工工艺及整合技术更为简单，故在实现轻薄化微型高性能扬声器方面有更大优势。
[0003]现有技术中常规的扬声器主要采用的是悬臂梁振膜结构，然而，悬臂梁振膜结构因其在低频频段存在发射灵敏度差、低频滚降特性差等缺点阻碍了其大规模走向应用。为改善压电式微扬声器的发声效果，目前较常用的手段包括增大振膜面积、设计低频振膜结构、多振膜阵列、增加辅助装配结构或电路等，然而，上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压电扬声器，其特征在于，包括具有声腔的衬底、设于所述衬底一面的第一振膜、设于所述第一振膜上的第一有源发声区、设于所述衬底另一面的第二振膜、设于所述第二振膜上的第二有源发声区，以及位于所述声腔内且两端分别与所述第一振膜和所述第二振膜连接的驱动推杆；其中，所述第一有源发声区和所述第二有源发声区均包括依次层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；所述第一电极层、所述压电层、所述第二电极层和所述声腔在所述衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；所述第一振膜具有围绕所述发声有源区设置的第一褶皱结构，所述第一褶皱结构通过在所述第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的一个表面的所述第一凹槽与另一个表面的所述第一凹槽呈交错设置。2.根据权利要求1所述的压电扬声器，其特征在于，所述驱动推杆的径向宽度在20μm至100μm之间。3.根据权利要求1所述的压电扬声器，其特征在于，所述第一褶皱结构靠近所述衬底的第一凹槽的槽底至所述衬底靠近所述第一振膜的一面之间的距离小于或等于10μm。4.根据权利要求1所述的压电扬声器，其特征在于，所述第二有源发声区的有源发声区与所述声腔在所述衬底上的正投影区域重合。5.根据权利要求1所述的压电扬声器，其特征在于，所述第二振膜具有围绕所述发声有源区设置的第二褶皱结构，所述第二褶皱结构通过在所述第二振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第二振膜的一个表面的所述第一凹槽与另一个表面的所述第一凹槽呈交错设置。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡博豪，刘文娟，卢亮宇，杨超翔，王健，孙博文，国世上，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：